【技术实现步骤摘要】
一种像素单元、传感器以及传感阵列
本专利技术的实施方式涉及微电子
，更具体地，本专利技术的实施方式涉及一种像素单元、传感器、以及传感阵列。
技术介绍
本部分旨在为权利要求书中陈述的本专利技术的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。目前，互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)传感器因其成本低并且较适于批量生产而备受关注。例如常见的CMOS传感器有基于光电二极管结构的CMOS传感器等。在远距离、高精度的测距场景中，由于光的传播速度很快，为了保证CMOS传感器能够及时接收反射辐射，就会要求CMOS传感器拥有较高的响应速度和精度，例如要求CMOS传感器的响应时间为几十纳秒。而传统的光电二极管结构中由于光电二极管内部电势平坦，电荷转移主要依靠扩散运动，转移速度较慢，转移效率较低，从而会导致图像拖尾。传统的光电二极管结构中电荷传输沟道还可能会存在势垒和势阱等问题，同样也会导致图像拖尾。对于传统的光电二极管结构，电...
【技术保护点】
1.一种像素单元，其特征在于，包括：/n电荷收集区，用于接收辐射生成光生电荷；/n悬浮扩散节点，用于存储并输出所述电荷收集区生成的所述光生电荷；/n传输栅，连接于所述电荷收集区与所述悬浮扩散节点之间，用于将所述光生电荷从所述电荷收集区转移至所述悬浮扩散节点；/n电势调整区，设置于所述电荷收集区的外围，用于将所述光生电荷向所述电荷收集区中与所述传输栅连接的一侧集中。/n
【技术特征摘要】
1.一种像素单元，其特征在于，包括：
电荷收集区，用于接收辐射生成光生电荷；
悬浮扩散节点，用于存储并输出所述电荷收集区生成的所述光生电荷；
传输栅，连接于所述电荷收集区与所述悬浮扩散节点之间，用于将所述光生电荷从所述电荷收集区转移至所述悬浮扩散节点；
电势调整区，设置于所述电荷收集区的外围，用于将所述光生电荷向所述电荷收集区中与所述传输栅连接的一侧集中。
2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述电势调整区由多晶电阻构成，所述多晶电阻的形状为条状或块状。
3.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，若所述电势调整区由多个块状多晶电阻构成，则所述多个块状多晶电阻之间通过金属导体连接，或者所述多个块状多晶电阻之间无连接物。
4.如权利要求1-3中任一项所述的像素单元，其特征在于，电源与所述电势调整区相连；所述电势调整区包括至少两个子调整区，所述至少两个子调整区的连接处接地。
5.如权利要求4所述的像素单元，其特征在于，若所述电势调整区由多个块状多晶电阻与金属导体构成，则所述电源的数量为一个，所述电源...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷述宇，
申请(专利权)人：宁波飞芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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