【技术实现步骤摘要】
影像传感器及其制造方法
本专利技术涉及一种影像感测技术，且特别是涉及一种影像传感器及其制造方法。
技术介绍
随着数字相机、电子扫描机等产品不断地开发与成长，市场上对影像感测(图像传感)元件的需求持续增加。目前常用的影像感测元件包含有电荷耦合感测元件(chargecoupleddevice，CCD)以及互补式金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，CMOS)影像感测元件(又称CMOSimagesensor，CIS)两大类，其中CMOS影像感测元件因具有低操作电压、低功率消耗与高操作效率、可根据需要而进行随机存取等优点，同时具有可整合于目前的半导体技术以大量制造的优势，因此应用范围非常广泛。目前的CMOS影像感测元件一般包括光电二极管(photodiode，PD)、浮置扩散区节点(floatingdiffusionnode，FD)及转移晶体管(transfertransistor，TG)等元件，用于收集光能并将其转换成可读电信号。然而，在照射强光的情况下，信号载流子...
【技术保护点】
1.一种影像传感器，其特征在于，包括：/n半导体基底；/n光电二极管，形成于所述半导体基底中；/n浮置扩散区节点，形成于所述半导体基底中并与所述光电二极管相隔一距离；以及/n转移晶体管，形成于所述光电二极管与所述浮置扩散区节点之间，其中所述转移晶体管包括形成于所述半导体基底内的一通道区，且所述通道区具有沿通道长度变化的静电势(electrostatic potential)。/n
【技术特征摘要】
20181119 TW 1071410801.一种影像传感器，其特征在于，包括：
半导体基底；
光电二极管，形成于所述半导体基底中；
浮置扩散区节点，形成于所述半导体基底中并与所述光电二极管相隔一距离；以及
转移晶体管，形成于所述光电二极管与所述浮置扩散区节点之间，其中所述转移晶体管包括形成于所述半导体基底内的一通道区，且所述通道区具有沿通道长度变化的静电势(electrostaticpotential)。
2.如权利要求1所述的影像传感器，其中所述光电二极管包括：第一型钉扎层(pinninglayer)，位于所述半导体基底的表面；以及第二型扩散区，位于所述第一型钉扎层的下方。
3.如权利要求2所述的影像传感器，其中所述第一型钉扎层为p型钉扎层，所述第二型扩散区为n型扩散区；反之亦然。
4.如权利要求2所述的影像传感器，其中所述通道区为第一型掺杂通道区，所述第一型掺杂通道区与所述第一型钉扎层为相同导电态，且所述第一型掺杂通道区与所述光电二极管的所述第二型扩散区接触，所述第一型掺杂通道区不与所述光电二极管的所述第一型钉扎层接触。
5.如权利要求4所述的影像传感器，其中在所述第一型掺杂通道区中，自接近所述光电二极管处至接近所述浮置扩散区节点处的掺杂浓度是以所述距离为变数而变化；垂直所述半导体基底的所述表面的所述掺杂浓度是以所述第一型掺杂通道区的深度为变数而变化，且所述静电势由所述光电二极管往所述浮置扩散区节点的方向上逐渐增加。
6.如权利要求5所述的影像传感器，其中所述第一型掺杂通道区延伸于整个所述距离内的所述半导体基底内。
7.如权利要求5所述的影像传感器，其中所述第一型掺杂通道区自接近所述光电二极管处延伸于至少一部分的所述半导体基底内。
8.如权利要求2所述的影像传感器，其中所述通道区为第二型掺杂通道区，且所述第二型掺杂通道区与所述第一型钉扎层为不同导电态。
9.如权利要求8所述的影像传感器，其中在所述第二型掺杂通道区中，自接近所述浮置扩散区节点处至接近所述光电二极管处的掺杂浓度是以所述距离为变数而变化；垂直所述半导体基底的所述表面的所述掺杂浓度是以所述第二型掺杂通道区的深度为变数而变化，且所述静电势由所述浮置扩散区节点往所述光电二极管的方向上逐渐减低。
10.如权利要求9所述的影像传感器，其中所述第二型掺杂通道区延伸于整个所述距离内的所述半导体基底内。
11.如权利要求9所述的影像传感器，其中所述第二型掺杂通道区包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶益诚，李世平，张娟华，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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