本发明公开一种晶片夹盘装置、晶片形变量的测量方法及半导体制造流程，其中该晶片形变量的测量方法包括以下步骤，放置晶片于晶片夹盘装置上。对晶片夹盘装置的通道对的进气通道进行进气程序。对晶片夹盘装置的通道对的出气通道进行出气程序。在晶片放置于...

本发明公开一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括具有主动面与背面的基底、第一与第二隔离结构、光二极管、存储节点、晶体管、反光层以及微透镜。第一隔离结构设置于主动面处的基底中以界定出主动区。光二极管与存储节点设置于主动区中的基底中且彼...

本发明公开一种半导体离子注入机的离子源头结构，其包括一灯丝、一灯丝夹具、一阴极、一阴极夹具以及一绝缘组件。灯丝夹具夹持灯丝。阴极呈一壳罩状且具有一容置空间。灯丝位于容置空间中。阴极夹具夹持阴极。绝缘组件设置于灯丝夹具与阴极夹具之间，以使...

本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，其中该电阻式随机存取存储器包括堆叠结构、至少一垂直电极、选择元件以及多个可变电阻结构。堆叠结构是由交替堆叠的多个水平电极与多个第一介电层所组成，其中堆叠结构具有至少一孔道贯穿水平电极与第一...

本发明公开一种存储器结构及其制造方法。在所述存储器结构中，第一介电层位于基底上；栅极堆叠结构位于第一介电层上；栅极堆叠结构包括字符线、抹除栅极与第二介电层；第二介电层位于字符线与抹除栅极之间；第三介电层位于栅极堆叠结构的表面上；浮置栅极...

本发明公开一种半导体组件及其制造方法。半导体组件包括基底以及位于基底中的第一掺杂区、多个第二掺杂区与多个光电二极管，且包括设置于基底上的多个彩色滤光图案。基底具有第一导电型，而第一掺杂区与第二掺杂区具有第二导电型。光电二极管由基底的顶面...

本发明公开一种内存结构，其包括第一晶体管、第二晶体管与电容器。第一晶体管包括第一栅极与位于第一栅极的两侧的第一掺杂区与第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区在第一方向上排列。第二晶体管包括第二栅极与位于第二栅极的两侧的第三掺杂区与第四掺杂区...

本发明公开一种光掩模的设计方法与半导体光刻制作工艺，其中该光掩模的设计方法包括先计算初始光掩模的开口率是否小于25％，若是所述开口率小于25％，则变更所述初始光掩模的设计，使变更后的光掩模与所述初始光掩模设计为反相(reverse to...

本发明公开一种存储器结构及其制造方法。所述存储器结构包括第一与第二晶体管、隔离结构、导电层以及电容器。第一与第二晶体管设置于基底上。隔离结构设置于第一与第二晶体管之间的基底中。导电层设置于第一与第二晶体管上方，且包括线路部分与至少一虚设...

本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件的制造方法包括：在一半导体基底上形成多条闪存存储器结构，每个所述闪存存储器结构包括形成于所述半导体基底上的浮置栅极以及形成于所述浮置栅极上的控制栅极；在所述多条闪存存储器结构之间形成...

本发明公开一种沟槽式隔离结构的制造方法及高压半导体组件，其中该沟槽式隔离结构的制造方法包括于基底上形成掩模层，并图案化掩模层，以形成第一开口，其对应于沟槽式隔离结构的预定形成位置。然后，在第一开口的多个侧壁形成多个间隙壁，其中每个间隙壁...

本发明公开一种阶梯式元件及其制造方法，其中该阶梯式元件包括基底。位于主动区中的基底具有阶梯式结构。阶梯式结构的高度在通道宽度方向上从主动区的一端至另一端逐步降低。

本发明公开一种存储器结构，其包括绝缘层覆硅基底、第一晶体管、第二晶体管、隔离结构以及电容器。绝缘层覆硅基底包括硅基体以及依序设置于硅基体上的介电层与硅层。第一晶体管与第二晶体管设置于硅层上。隔离结构设置于第一晶体管与第二晶体管之间的硅层...

一种补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，其步骤包含以第一参考电压读取前次编程页来产生原前次编程模式、将该原前次编程模式与当前编程模式合并以产生合并后编程模式、以第二参考电压读取该前次编程页来产生检验后前次编程模式、以...

本发明公开一种影像传感器，其包括基底、感光元件、半导体层、第一栅极与遮光层。感光元件设置在基底中。半导体层设置在感光元件的一侧的基底上。第一栅极设置在感光元件与半导体层之间的基底上。第一栅极与基底彼此绝缘。遮光层覆盖半导体层。基底具有第...

本发明公开一种静态随机存取存储器及其制作方法，其中该静态随机存取存储器，其包含基底、第一导电型晶体管、第二导电型晶体管以及电容单元。第一导电型晶体管与第二导电型晶体管设置在基底表面，电容单元位于第一导电型晶体管与第二导电型晶体管之间，且...

本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括基底、隔离结构、阻障结构、第一导体层、第二导体层、第一栅介电层以及第二栅介电层。基底具有第一区与第二区。阻障结构位于隔离结构上。第一导体层位于第一区上。第二导体层位于第二区上。第一栅...

一种晶片的标记方法，包括以下步骤。提供晶圆，其中晶圆包括多个晶片。在晶圆上划分出多个曝光区，其中每个曝光区对应到多个晶片中的至少一个。利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号。利用第二掩膜与重迭...

本发明公开一种研磨垫，其具有一圆形的研磨表面，多条半圆弧形的第一沟槽位于该研磨表面中且采同心圆的形式从该研磨表面的圆心处以一定的间距向外分布，且位于一半圆的该研磨表面中的该些第一沟槽与位于另一半圆的该研磨表面中的该些第一沟槽呈交错地同心...

本发明公开一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦...