补偿非易失存储元件编程时电荷流失与源极线偏置的方法技术

一种补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，其步骤包含以第一参考电压读取前次编程页来产生原前次编程模式、将该原前次编程模式与当前编程模式合并以产生合并后编程模式、以第二参考电压读取该前次编程页来产生检验后前次编程模式、以及将该检验后前次编程模式与该合并后编程模式合并以产生补偿后当前编程模式，其中该第二参考电压高于该第一参考电压。

【技术实现步骤摘要】
补偿非易失存储元件编程时电荷流失与源极线偏置的方法
本专利技术通常关于一种编程非易失性存储元件的方法，更具体地，关于一种编程非易失性存储元件来补偿其在多次编程后电荷流失与源极线偏置的方法。
技术介绍
固态内存能够以非易失性(non-volatile)的方式来存储电荷，特别是以电可擦可编程只读存储器(electrically-erasableprogrammableread-onlymemory，EEPROM)以及闪存EEPROM的形式封装在小尺寸外型的存储卡中，其近来成为多种移动或手持式装置，特别是信息装置与消费性电子产品等的存储方案选择。与同是固态内存的随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)不同的是，闪存是非易失性质的，其在电源关闭后也能够保留所存储的数据。尽管成本较高，越来越高比例的闪存被用在大容量存储应用中。不论是内建式或是外插式，闪存因为其尺寸小、低能耗、高速、高可靠性等诸多优点，非常适合用在移动或手持式装置存储的场合。上述的EEPROM或是可擦可编程只读存储器(EPROM)都是非易失性内存的一种，其存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，包含：/n以第一参考电压读取前次编程页，以产生原前次编程模式，其中该前次编程页包含多个存储单元；/n将该原前次编程模式与当前编程模式合并，以产生合并后编程模式；/n以第二参考电压读取该前次编程页，以产生检验后前次编程模式；以及/n将该检验后前次编程模式与该合并后编程模式合并，以产生补偿后当前编程模式，其中该第二参考电压高于该第一参考电压。/n

【技术特征摘要】
20190109 TW 1081007871.一种补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，包含：
以第一参考电压读取前次编程页，以产生原前次编程模式，其中该前次编程页包含多个存储单元；
将该原前次编程模式与当前编程模式合并，以产生合并后编程模式；
以第二参考电压读取该前次编程页，以产生检验后前次编程模式；以及
将该检验后前次编程模式与该合并后编程模式合并，以产生补偿后当前编程模式，其中该第二参考电压高于该第一参考电压。


2.如权利要求1所述的补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，其中以该第一参考电压来读取该前次编程页以产生该原前次编程模式的步骤还包含：
读取该前次编程页中每个存储单元的电压，当该存储单元的电压低于该第一参考电压，则该存储单元为“L”态，当该存储单元的电压高于该第一参考电压，则该存储单元为“H”态；以及
将该原前次编程模式存储在第一节点。


3.如权利要求2所述的补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，其中将该原前次编程模式与该当前编程模式合并以产生该合并后编程模式的步骤还包含：
将该当前编程模式加载第二节点，其中该第二节点连接至合并栅的漏极，该合并栅具有源极连接至第一电压；
根据该原前次编程模式控制该合并栅，其中当该原前次编程模式中的该存储单元为该“H”态则该合并栅开启，当该原前次编程模式中的该存储单元为该“L”态则该合并栅关闭。


4.如权利要求3所述的补偿非易失性存储元件在编程时电荷流失与源极线偏置的方法，其中以该第二参考电压来读取该前次编程页...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜君毅，蔡明璋，翁瑞隆，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71