【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过单元探测进行故障预测
技术介绍
为了补偿由存储器阵列缺陷或周边缺陷引起的误差，NAND闪存存储器产品部署了各种对策来检测和校正这些误差。通常，这些对策不利地影响NAND闪存存储器产品的性能参数。举例来说，可不利地影响I/O性能、驱动容量和/或驱动耐久性。附图说明将参考随附图式进行详细描述：图1为示出示例状态分布和用于追踪闪存存储器编程状态的数据锁存器的图。图2A为示出在写入预定数目的编程脉冲之前和之后的示例状态分布的图。图2B为示出识别示例编程状态分布中的快速通过写入单元的图。图3为示出用于通过单元探测提供故障预测的示例性存储装置的图。图4为示出用于通过单元探测提供故障预测的示例过程的流程图。图5为示出示例数据存储系统的组件的框图。具体实施方式下文阐述的详细描述意图作为对本专利技术技术的各种配置的描述，且并非意图表示可实践本专利技术技术的唯一配置。附图并入本文中并且构成详细描述的一部分。详细描述包含出于提供对本专利技术技术的透彻理解的目的的具体细节。然而，...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n接收写入请求；/n将预定数目的编程脉冲施加到闪存存储器装置的块内的多个存储器单元；/n将验证脉冲施加到所述多个存储器单元中的每一相应存储器单元；/n将所述多个存储器单元的编程状态存储到锁存器集合中；/n基于所存储编程状态而确定所述块内的超出一或多个预定的预期范围的存储器单元的总数目；以及/n在存储器单元的所述总数目满足预定风险阈值时将所述块识别为处于风险中的块。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180521 US 15/985,5881.一种方法，其包括：
接收写入请求；
将预定数目的编程脉冲施加到闪存存储器装置的块内的多个存储器单元；
将验证脉冲施加到所述多个存储器单元中的每一相应存储器单元；
将所述多个存储器单元的编程状态存储到锁存器集合中；
基于所存储编程状态而确定所述块内的超出一或多个预定的预期范围的存储器单元的总数目；以及
在存储器单元的所述总数目满足预定风险阈值时将所述块识别为处于风险中的块。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个预定的预期范围包括一或多个预定电压范围。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述一或多个预定电压范围基于所述块的损耗均衡。
4.根据权利要求1所述的方法，其中确定存储器单元的所述总数目包括：
在每次施加验证脉冲之后，使得一或多个硬件电路追踪所述块内的超出所述一或多个预定的预期范围的存储器单元的所述总数目。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述一或多个硬件电路是耦合到所述锁存器集合中的至少一个的一或多个硬件计数器。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述一或多个硬件电路在所述锁存器集合中的至少一个指示所述多个存储器单元中的禁止单元时使存储器单元的所述总数目增加。
7.根据权利要求1所述的方法，其中确定存储器单元的所述总数目包括：
识别所述多个存储器单元中的快速通过写入(QPW)单元；以及
使存储在耦合到所述锁存器集合中的至少一个的计数器中的值增加。
8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述块识别为所述处于风险中的块包括将信息写入到所述闪存存储器装置的所述块中的元数据区域。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在存储器单元的所述总数目不满足所述预定风险阈值时将所述块识别为可用的；
确定所述块的损耗均衡是否满足寿命终止阈值；以及
基于将所述块识别为可用的以及确定所述块的所述损耗均衡满足所述寿命终止阈值而推迟所述块的引退。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
响应于将所述块识别为所述处于风险中的块，将存储在所述处于风险中的块中的数据重新定位到所述闪存存储器装置中的可用块。
11.一种存储系统，其包括：
第一控制器；以及
多个闪存存储器装置，其耦合到所述第一控制器，所述多个闪存存储器装置中的每一个包括：
存储器单元阵列，其具有多个块；
多个锁存器，其耦合到所述存储器单元阵列；以及
第二控制器，其耦合到所述存储器单元阵列和所述多个锁存器，所述第二控制器配置成：
接收写入请求；
将预定数目的编程脉冲施加到所述多个块中的一个内的多个存储器单元；
将验证脉冲施加到所述多个存储器单元中的每一相应存储器单元；以及
将所述多个存储器单元的编程状态存储到所述多个锁存器中的一或多个中，
其中所述第一控制器配置成：
基于所存储编程状态而确定所述多个块中的所述一个内的超出一或多个预定的预期范围的存储器单元的总数目；以及
在存储器单元的所述总数目满足预定风险阈值时将所述多个块中的所述一个识别为处于风险中的块。
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【专利技术属性】
技术研发人员：T·T·埃利亚什，A·舒尔金，J·Y·汤姆，E·莎伦，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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