【技术实现步骤摘要】
一种非易失存储器编程状态处理方法以及装置
本专利技术涉及非易失存储器领域，特别是一种非易失存储器编程状态处理方法以及装置。
技术介绍
目前非易失存储器的数据是以位的方式保存在存储单元中，对于SLC(Single-LevelCell)来说，一个单元存储一个位，这些单元以8个为单位组成一个字节，若干个字节再组成页，非易失存储器以页为单位进行读写数据，在现有非易失存储器的用户手册中规定，对同一个页来说页内连续的部分页编程，不能超过规定次数。现有的非易失存储器在设计中，没有办法限制用户对一个页编程几次，这样用户对某个页的多次编程可能会导致此页的数据出现错误，为了保证数据的正确性，用户一般会采取一个页只编程一次的方法，但这种方法降低了非易失存储器的利用率，所以用户会采用同一个页内连续的部分页编程的方法进行操作，这种操作方法提高了用户对非易失存储器的利用率。但采用同一个页内连续的部分页编程的方法进行操作，就需要保证同一个页内连续的部分页编程的次数不大于规定次数，通常用户在进行编程时，不会专门对编程的次数进行记录，或者有的...
【技术保护点】
1.一种非易失存储器编程状态处理方法，其特征在于，所述非易失存储器内每一个页包括有预设的NOP列，所述NOP列用于储存编程次数，所述方法包括：/n接收上位机发送的状态读取指令；/n确定所述状态读取指令对应的目标页；/n根据所述目标页的NOP列中的编程次数，确定所述目标页的编程状态；/n将所述编程状态返回给所述上位机进行展示；/n当接收到所述上位机发送的对应所述状态读取指令目标页的编程指令，则根据所述编程指令，对所述目标页进行编程，并在编程完毕后修改所述目标页的NOP列中的编程次数。/n
【技术特征摘要】
1.一种非易失存储器编程状态处理方法，其特征在于，所述非易失存储器内每一个页包括有预设的NOP列，所述NOP列用于储存编程次数，所述方法包括：
接收上位机发送的状态读取指令；
确定所述状态读取指令对应的目标页；
根据所述目标页的NOP列中的编程次数，确定所述目标页的编程状态；
将所述编程状态返回给所述上位机进行展示；
当接收到所述上位机发送的对应所述状态读取指令目标页的编程指令，则根据所述编程指令，对所述目标页进行编程，并在编程完毕后修改所述目标页的NOP列中的编程次数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NOP列的字节数小于等于预设值；所述NOP列的各字节的字节值为编程次数；
所述根据所述目标页的NOP列中的编程次数，确定所述目标页的编程状态，包括：
从目标页的NOP列中，读取各字节的字节值；
根据各字节的字节值，确定所述目标页的编程状态。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在编程完毕后修改所述目标页的NOP列中的编程次数，包括：
在编程完毕后，将所述目标页的NOP列中的一个字节值为第一值的字节，更改为第二值；其中所述第一值表示未编程，第二值表示已编程。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据各字节的字节值，确定所述目标页的编程状态，包括：
统计第二值出现的次数；
当所述次数小于所述预设值，则确认所述目标页处于可编程状态；
当所述次数等于所述预设值，则确认所述目标页处于不可编程状态。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在编程完毕后，将所述目标页的NOP列中的一个字节值为第一值的字节，更改为第二值，包括：
在编程完毕后，在所述目标页的NOP列中的字节序列中，按序选择一个字节值为第一值的字节；
更改所述字节值为第一值的字节的所述字节值为第二值。
6.一种非易失存储器编程状态处理装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘大平，陈敏怡，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，西安格易安创集成电路有限公司，上海格易电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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