西安格易安创集成电路有限公司专利技术

西安格易安创集成电路有限公司共有30项专利

  • 本发明提供一种芯片封装结构。所述芯片封装结构包括:裸片,包括第一内部导线以及位于裸片表面的第一接入焊盘和多个功能焊盘,裸片具有相邻的第一侧边和第二侧边,第一接入焊盘设置在第一侧边,第一侧边和第二侧边均设置有功能焊盘,第一接入焊盘和第一侧...
  • 本申请公开了一种随机存储器,该随机存储器包括:存储单元;字线;互补的位线对;第一输入输出线和第二输入输出线,用于与位线对连接,当位线对对应的列选通模块导通时,位线对通过导通的列选通模块而与输入输出线对连通;初始化模块,连接在第一输入输出...
  • 本申请公开了一种随机存储器及其替换匹配电路,该替换匹配电路包括锁存电路和逻辑门电路,锁存电路包括地址锁存模块和使能锁存模块,地址锁存模块用来锁存被替换电路的地址信息,第一逻辑门模块连接地址锁存模块,并接收输入地址信息,以确定输入地址信息...
  • 本申请公开了一种随机存储器及其灵敏放大及驱动电路,该灵敏放大及驱动电路包括灵敏放大模块和灵敏电压提供模块,其中,灵敏电压提供模块连接灵敏电压线,以提供灵敏放大电压,其中,灵敏放大电压包括预设灵敏放大电压和过压灵敏放大电压,在灵敏放大阶段...
  • 公开了一种I2C唤醒电路、方法和电子装置。该I2C唤醒电路包括:时钟唤醒电路,用于响应于检测到串行时钟线SCL和串行数据线SDA上的起始信号,向时钟电路发送时钟唤醒信号;以及信号保持电路,用于在接收到被唤醒的时钟电路发送的时钟信号之前,...
  • 本申请公开了适用于随机存储器的字线驱动电路及随机存储器,该字线驱动电路,包括:第一电压产生模块,用于产生第一电压,其中,第一电压为字线的预定驱动电压;第二电压产生模块,用于产生第二电压,其中,第二电压大于第一电压;第一选择器,连接第一电...
  • 本发明提供了一种带隙基准电路,其包括启动电路以及具有运算放大器和尾电流源的带隙基准核心电路,其启动电路设置在运算放大器的输出端与尾电流源之间或者设置在运算放大器的输出端与地之间,不会影响带隙基准核心电路的原有设计,且能够在一电压信号的控...
  • 一种智能升降工作台的系统,包括:工作台;摄像头,设置于所述工作台上;升降单元,机械性连接至所述工作台;微控制单元,电性连接至所述摄像头及所述升降单元;以及移动终端,无线连接至所述微控制单元且用于设定所述工作台的升降模式;其中所述升降模式...
  • 一种多通道烧录器,用于多个待烧录芯片,所述多通道烧录器包括:微控制单元;以及电平控制电路,电性连接至所述微控制单元;其中所述微控制单元用于将至少一二进制文件转换为复数下载协议数据,所述下载协议数据符合下载协议,所述微控制单元通过多个第一...
  • 公开了一种存储器、控制方法和系统。存储器包括:存储单元阵列;电源管理器;指令译码器;控制器;以及输入输出接口,包括芯片选通管脚。待机状态下,指令译码器和控制器使能,低功耗状态下,指令译码器使能,在超低功耗状态下则全部禁用。响应于接收到芯...
  • 一种烧录代码的安全保护方法,用于待烧录芯片,所述烧录代码的安全保护方法包括:上位机对第一密钥加密以产生第二密钥,其中所述第一密钥携带有目标芯片的信息;烧录器接收所述上位机所传送的所述第二密钥;所述烧录器解密所述第二密钥以获取所述目标芯片...
  • 本发明提供了一种静态随机存取存储器的读出电路以及电子装置,静态随机存取存储器具有存储单元以及互补的第一位线和第二位线,读出电路包括:充电模块,具有输入端,并与第一位线和第二位线连接,充电模块用以在预充电阶段将第一位线和第二位线充电至预设...
  • 本公开提供了一种电荷泵电路和存储器,涉及存储器技术领域。其中,电荷泵电路包括:多级串联的电荷泵,每级电荷泵包括电压输入端、电压输出端和第一信号输入端和第二信号输入端;时钟驱动电路,包括与多级串联的电荷泵逐一对应连接的多个时钟模块,时钟模...
  • 本申请公开了一种运放电路和电子装置,所述运放电路包括:第一级放大电路;第二级放大电路,所述第二级放大电路的输入端与所述第一级放大电路的输出端电性连接;补偿电容,所述补偿电容设置在所述第二级放大电路的输入端和输出端之间;以及预充模块,所述...
  • 本公开提供一种非易失性存储器,涉及存储器技术领域。该存储器包括:存储单元阵列、第一锁存单元、第二锁存单元、第一缓存单元、第二缓存单元、错误校正码(ECC)单元和输出控制单元,其中,ECC单元用于分别通过第一锁存单元和第二锁存单元依次获取...
  • 本实用新型公开了一种电荷泵稳压电路及电子装置。本实用新型电荷泵稳压电路包括分压调节单元,用于接收输出电压,并与阈值电压进行比较以产生调节信号,进而调节分压单元的分压比。本实用新型通过在接入负载后,调节电荷泵稳压电路的上分压单元的分压比例...
  • 本发明实施例提供一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存,NAND闪存包括SRAM、与SRAM连接的N个寄存器区以及与N个寄存器区一一对应的N个充电选择信号,N个充电选择信号的周期包括延迟时间,N个充电选择信号相互之间存在时间延迟,N...
  • 本发明提供一种位线电压控制电路和Nand Flash,电路包括第一至第三开关管;第二电源;第一开关模块,第一端与第二开关管或地相连,当第一端与第二开关管相连时,第二端与第一开关管和第三开关管相连,当第一端与地相连时,第二端与第二开关管相...
  • 本发明实施例提供了一种非易失存储器检测电路及检测方法,该电路包括:补偿电路与充电电路连接,用于补偿非易失存储器检测电路的阈值偏差;充电电路与存储单元选择电路连接,用于在初始时,对存储单元选择电路进行充电;充电电路与比较电路连接,用于当存...
  • 本发明实施例提供了一种非易失存储器处理电路及方法,该方法包括:充电电路与存储单元选择电路连接,用于在初始时,对存储单元选择电路进行充电;充电电路与比较电路连接,用于当存储单元选择电路充电稳定后,对比较电路进行充电,且,当比较电路充电稳定...