静态随机存取存储器的读出电路以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种静态随机存取存储器的读出电路以及电子装置，静态随机存取存储器具有存储单元以及互补的第一位线和第二位线，读出电路包括：充电模块，具有输入端，并与第一位线和第二位线连接，充电模块用以在预充电阶段将第一位线和第二位线充电至预设电压；读出模块，具有电压输入端以及读值输出端，读出模块用以根据第一位线和第二位线的电压差，从读值输出端输出存储单元的读值，其中，充电模块的输入端与电源电压之间连接有降压器件，上述预设电压低于电源电压，本发明专利技术提供的读出电路，具有较短的电压建立时间，进而使得设置有该读出电路的电子装置具有较短的读操作耗时。出电路的电子装置具有较短的读操作耗时。出电路的电子装置具有较短的读操作耗时。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器的读出电路以及电子装置


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种静态随机存取存储器的读出电路以及电子装置。

技术介绍

[0002]闪存存储器(Flash Memory)的读操作通常包括：将存储阵列的一页(Page)数据读取到页缓冲器中(Page Buffer，一般为静态随机存取存储器SRAM，Static Random Access Memory)，然后，将页缓冲器中的数据读取到十六位或八位的数据总线(Data Bus)上，并通过输入输出端口(I/O端口)输出至主机。
[0003]但是，现有技术下的SRAM的读出电路，因具有较长的电压建立时间(即，充电时间以及放大读值时间)，从而导致较长的读操作耗时。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种静态随机存取存储器的读出电路以及电子装置，有效地解决了由于静态随机存取存储器的读出电路具有较长的电压建立时间，而使设置有该读出电路的电子装置具有较长的读操作耗时的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种静态随机存取存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器的读出电路，所述静态随机存取存储器具有存储单元以及互补的第一位线和第二位线，其特征在于，所述读出电路包括：充电模块，具有输入端，并与所述第一位线和所述第二位线连接，所述充电模块用以在预充电阶段将所述第一位线和所述第二位线充电至预设电压；以及，读出模块，具有用以接入所述电源电压的电压输入端，以及读值输出端，所述读出模块用以根据所述第一位线和所述第二位线的电压差，从所述读值输出端输出所述存储单元的读值；其中，所述充电模块的输入端与所述电源电压之间连接有降压器件，所述预设电压低于所述电源电压。2.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述降压器件包括：第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极以及漏极与所述电源电压电连接。3.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述降压器件包括：第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极以及漏极电连接，且所述第一PMOS晶体管的源极与所述电源电压电连接。4.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述读出电路还包括第一开关电路，设置于所述电源电压与所述电压输入端之间，所述第一开关电路在所述预充电阶段断开。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：贾少旭，
申请(专利权)人：西安格易安创集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：