基于标准CMOS工艺的浮栅突触制造技术

本发明专利技术公开了一种基于标准CMOS工艺的浮栅突触，涉及神经形态器件技术领域，所述浮栅突触包括两个标准MOS晶体管，其中一个为隧穿晶体管，另一个为输出晶体管；隧穿晶体管的源、漏和阱相连构成MOS电容，当作突触前神经元，用来接收尖峰刺激V

【技术实现步骤摘要】
基于标准CMOS工艺的浮栅突触


[0001]本专利技术涉及神经形态器件
，尤其涉及一种基于标准CMOS工艺的浮栅突触。

技术介绍

[0002]随着人工智能领域的兴起，全球产生的数据集规模每两年翻一番，并将很快超越目前计算和存储设备的极限。传统的冯
·
诺依曼计算机架构由于内存模块和处理器的分离将面临一系列问题，如“存储墙”、“功耗墙”等。未来的智能化社会势必需要高能效、自适应强的新型计算范式作为支撑。
[0003]人脑由约10
11
个神经元和约10
15
个突触组成，是自然界高性能、低功耗计算硬件的典范。21世纪以来，神经形态(或类脑)计算以其存算一体、高度并行和极低功耗等优点，被认为是最有希望解决冯
·
诺依曼瓶颈的方法之一。在人脑中，神经元是人脑功能的基本单元，而突触是神经元进行信号传递和信息交换的重要结构，也是模拟人脑记忆和学习的基础。因此，实现神经形态计算的重要前提是开发能模拟生物突触行为的人工突触器件。
[0004]使用新兴的忆阻器构建人工突触器件是当下实现神经形态计算的研究热点。但忆阻器件种类繁杂，大多数由特殊的材料和特定的工艺制造，缺乏用于制造它们的统一工艺流程，这导致现有忆阻器件难与标准CMOS工艺兼容。忆阻器的商业化进一步受到可靠性问题的阻碍，包括工艺一致性和泄漏电流路径问题。对于忆阻器的大规模集成而言，其制造工艺仍很不成熟。
[0005]因此，基于浮栅MOS晶体管的突触器件应运而生。目前流行的浮栅MOS突触器件普遍采用双层多晶硅工艺的结构，不能完全与标准CMOS工艺兼容。该结构有两层栅，分别为控制栅和浮栅，需要不同的栅氧化层厚度，以及需要调整不同的掺杂浓度等，都增加了工艺的复杂性和成本。面对这一系列的挑战，寻找一种完全与标准CMOS工艺兼容的突触器件是有必要的。

技术实现思路

[0006]为克服上述现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种基于标准CMOS工艺的浮栅突触，以实现一种工艺简单、成本低及易于大规模集成的神经形态突触器件。
[0007]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0008]本专利技术提供了一种基于标准CMOS工艺的浮栅突触，包括2个标准MOS晶体管M1和M2，其中M1为隧穿晶体管，其当作突触前神经元，用来接收尖峰刺激V
pre
；M2为输出信号管，其当作突触后神经元，用来输出突触后电流；通过共浮栅方式隧穿晶体管M1控制输出信号管M2的沟道电流状态，进而影响输出信号管M2的漏极电流，并以此模拟生物突触行为。
[0009]所述隧穿晶体管M1是一个MOS电容器，由漏极、源极和阱短接的标准MOS晶体管构成，其短接端口连接到输入电压V
pre
。
[0010]所述输出信号管M2通过共浮栅的方式与隧穿晶体管M1连接在一起，而且输出信号
管M2的源极外接固定偏压V
bias
，以保证其工作在晶体管亚阈值区，实现低功耗的工作状态。
[0011]所述共浮栅方式指隧穿晶体管M1和输出信号管M2的控制栅相连接并形成浮栅，浮栅被栅氧化层隔离，具有非易示性。通过福勒
‑
诺德海姆(FN)隧穿对浮栅电荷进行改变，进而影响所述输出信号管M2的漏极电流，因此M2的漏极电流可以用来表征突触强度。
[0012]进一步地，所述输出信号管M2工作在亚阈值区，而MOS晶体管亚阈值区的漏极电流和栅极电压之间的指数性质恰恰与生物突触电流的指数性质相吻合，这将有助于突触功能的实现。
[0013]进一步地，所述基于标准CMOS工艺的浮栅突触器件，包括兴奋性突触器件和抑制性突触器件两种结构：
[0014]所述兴奋性突触由两个NMOS晶体管构成，用来实现生物突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、短时程增强(STP)和双脉冲易化(PPF)等行为，
[0015]所述兴奋性突触由两个PMOS晶体管构成，用来实现生物突触的抑制性突触后电流(IPSC)、短时程抑制(STD)和双脉冲抑制(PPD)等行为。
[0016]本专利技术的有益效果如下：
[0017]1、本专利技术提供的浮栅突触完全与标准CMOS工艺兼容，易于大规模集成，是一种潜在的商业化突触器件方案。
[0018]2、本专利技术提出的突触器件工作在晶体管亚阈值区，为构建高密度的低功耗神经形态系统奠定了基础。
[0019]3、本专利技术提出的突触器件中的浮栅通过单多晶硅工艺实现，可以降低制造成本。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0021]图1为基于标准CMOS工艺的浮栅突触的结构示意图；
[0022]图2为兴奋性突触后电流的理想曲线图；
[0023]图3为兴奋性突触器件的电路模型图；
[0024]图4为单个脉冲下的兴奋性突触后电流仿真图；
[0025]图5为连续脉冲下的短时程增强现象；
[0026]图6为双脉冲易化现象；
[0027]图7为抑制性突触器件的电路模型图；
[0028]图8为单个脉冲下的兴奋性突触后电流仿真图；
[0029]图9为在连续脉冲下的短时程抑制现象；
[0030]图10为双脉冲抑制现象。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例
仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0032]现阶段，具有独特物理机制的神经突触器件是神经形态计算硬件的基本组成单元，对新型非冯
·
诺依曼架构芯片的研发乃至类脑智能的最终实现都具有重要意义。然而，目前的人工神经突触器件大多由特殊的材料和特定的工艺制造，没有统一的制造流程。对于大规模的集成而言，其制造成本高、制造工艺不成熟。
[0033]为解决上述问题，本专利技术的实施例提供了一种基于标准CMOS工艺的浮栅突触。
[0034]实施例1
[0035]图1示出了本专利技术实施例提供的基于标准CMOS工艺的浮栅突触的结构示意图(以PMOS为例)，包括一个隧穿晶体管M1和输出晶体管M2。隧穿管M1是一个MOS电容器，由漏极，源极和阱短接的标准MOS晶体管构成，其短接端口连接到输入电压V
pre
。隧穿管M1和输出管M2的栅极相连形成浮栅，浮栅被栅氧化层隔离，可以长时间存储电荷，具有非易失性。在输入电压V
pre
的作用下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于标准CMOS工艺的浮栅突触，其特征在于，包括2个标准MOS晶体管M1和M2，其中M1为隧穿晶体管，其当作突触前神经元，用来接收尖峰刺激V
pre
；M2为输出信号管，其当作突触后神经元，用来输出突触后电流；通过共浮栅方式隧穿晶体管M1控制输出信号管M2的沟道电流状态，进而影响输出信号管M2的漏极电流，并以此模拟生物突触行为。2.根据权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的浮栅突触，其特征在于，所述隧穿晶体管M1为MOS电容器，由漏极、源极和阱短接的标准MOS晶体管构成，其短接端口连接到输入电压V
pre
。3.根据权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的浮栅突触，其特征在于，所述输出信号管M2通过共浮栅的方式与所述隧穿晶体管M1连接在一起，而且所述输出信号管M2的源极外接固定偏压，以保证所述输出信号管M2工作在亚阈值区，实现低功耗的工作状态。4.根据权利要求3所述的基于标准CMOS工艺的浮栅突触，其特征在于，所述共浮栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢生，高旭斌，毛陆虹，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：