【技术实现步骤摘要】
影像传感器及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种影像传感器及其制造方法。
技术介绍
目前有些种类的影像传感器(如，全域快门影像传感器(globalshutterimagesensor))具有位于基底中且用以存储信号的存储节点(storagenode)。然而，杂散光(straylight)会对存储在存储节点中的信号造成干扰。因此，如何有效地防止杂散光干扰为目前持续研究发展的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种影像传感器及其制造方法，其可有效地防止杂散光干扰。本专利技术提出一种影像传感器，包括基底、感光元件、半导体层、第一栅极与遮光层。感光元件设置在基底中。半导体层设置在感光元件的一侧的基底上。第一栅极设置在感光元件与半导体层之间的基底上。第一栅极与基底彼此绝缘。遮光层覆盖半导体层。基底具有第一导电型，且半导体层具有第二导电型。依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器中，半导体层的材料例如是外延硅。依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感...
【技术保护点】
1.一种影像传感器，其特征在于，包括：/n基底；/n感光元件，设置在所述基底中；/n半导体层，设置在所述感光元件的一侧的所述基底上；/n第一栅极，设置在所述感光元件与所述半导体层之间的所述基底上，其中所述第一栅极与所述基底彼此绝缘；以及/n遮光层，覆盖所述半导体层，其中/n所述基底具有第一导电型，且所述半导体层具有第二导电型。/n
【技术特征摘要】
20190107 TW 1081005081.一种影像传感器，其特征在于，包括：
基底；
感光元件，设置在所述基底中；
半导体层，设置在所述感光元件的一侧的所述基底上；
第一栅极，设置在所述感光元件与所述半导体层之间的所述基底上，其中所述第一栅极与所述基底彼此绝缘；以及
遮光层，覆盖所述半导体层，其中
所述基底具有第一导电型，且所述半导体层具有第二导电型。
2.如权利要求1所述的影像传感器，其中所述半导体层的材料包括外延硅。
3.如权利要求1所述的影像传感器，其中所述第一栅极覆盖至少部分所述半导体层，且所述第一栅极与所述半导体层彼此绝缘。
4.如权利要求3所述的影像传感器，其中所述第一栅极位于所述遮光层与所述半导体层之间，且所述遮光层同时覆盖所述第一栅极与所述半导体层。
5.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：
介电层，设置在所述第一栅极与所述基底之间。
6.如权利要求1所述的影像传感器，其中所述遮光层延伸到至少部分所述第一栅极上。
7.如权利要求1所述的影像传感器，其中所述遮光层与所述半导体层彼此隔离。
8.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：
第一阱区与第二阱区，位于所述半导体层的两侧的所述基底中，且具有所述第二导电型。
9.如权利要求8所述的影像传感器，还包括：
掺杂区，位于所述第一阱区与所述第二阱区之间的所述基底中，且具有所述第一导电型。
10.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：
第二栅极，设置在所述半导体层的远离所述感光元件的一侧的所述基底上，其中所述第二栅极与所述基底彼此绝缘；以及
浮...
【专利技术属性】
技术研发人员：李世平，林以秾，庄志豪，叶益诚，黄国芳，黄文澔，蔡博安，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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