本发明公开一种影像感测元件的光管结构及其制造方法。该影像感测元件的光管结构，包括基底、介电层及光管材料层。在基底中具有光感测区。介电层设置于基底上。在介电层中具有光管，且光管位于光感测区上方。光管材料层设置于光管中，且具有凹陷曲面。

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括一基底；一源极掺杂区，设于基底中；一漏极掺杂区，设于基底中，并与源极掺杂区相隔一预定距离；一通道区域，介于源极掺杂区与漏极掺杂区之间；以及一栅极结构，设于通道区域上，其中栅极结构包括...

本发明公开一种金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal：MIM)电容的结构及其制造方法，该MIM电容包括第一电极层、第二电极层以及倒T型介电层堆叠结构。其中倒T型介电层堆叠结构形成于第一电极层与第二电极层之间。上述...

本发明公开一种止逆阀，其包括阀体、多个旋启式栅门及多个挡块。阀体具有多个开口。旋启式栅门设置于阀体上。在旋启式栅门关闭时，旋启式栅门封住开口。挡块设置于阀体上。在旋启式栅门开启时，挡块挡住旋启式栅门，以限制旋启式栅门的开启角度。

本发明公开一种化学机械研磨装置与方法。该化学机械研磨装置包括：研磨台、研磨垫、研磨头、调节器、研磨液供应装置以及分离器。研磨垫配置于研磨台上。研磨头与调节器配置于研磨垫上。分离器配置于研磨头与调节器之间。分离器的第一端靠近研磨垫的圆心，...

本发明公开一种随机动态存储器芯片封装结构，包括第一线路基板、第一芯片、第二线路基板与第二芯片。第一线路基板具有相对的第一表面与第二表面。具有第一列接垫以及第二列接垫的第一芯片以第一主动表面朝向第一表面的方式配置在第一线路基板上。第一列接...

本发明公开一种研磨装置与研磨方法。该研磨装置包括：研磨台以及研磨垫。研磨台具有第一中心位置。研磨垫配置于研磨台上，其具有第二中心位置。研磨垫包括研磨层以及多个环状沟槽。环状沟槽位于研磨层中，其以第二中心位置为中心呈现同心排列。第一中心位...

本发明公开一种研磨装置与研磨方法。该研磨装置包括：研磨台以及研磨垫。研磨台具有第一中心位置。研磨垫配置于研磨台上，其具有第二中心位置。研磨垫包括研磨层以及多个环状沟槽。环状沟槽位于研磨层中，其以第二中心位置为中心呈现同心排列。第一中心位...

本发明公开一种静态随机存取存储器，包括至少一个静态随机存取存储单元。静态随机存取存储单元的栅极布局包括第一至第四条状掺杂区、凹入式栅极线、第一栅极线及第二栅极线。第一至第四条状掺杂区依序设置于基底中且彼此分离。凹入式栅极线相交于第一至第...

一种电压校正电路及电压校正系统。该电压校正电路包含待校正电压输出电路、放大器、电源切换指示电路及内置自我测试电路。待校正电压输出电路根据待校正电压选择信号选择第一待校正电压源以输出待校正电压。放大器的两输入端分别接收待校正电压及对应于第...

本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其制造方法包括下列步骤，提供基底。形成栅介电层以覆盖部分基底。形成栅极位于栅介电层上。对部分栅极进行第一掺杂制作工艺以在栅极形成多个栅极掺杂区和至少一个栅极未掺杂区，至少一个栅极未掺杂区位于栅极掺杂...

本发明公开一种静态随机存取存储器及其制造方法，该静态随机存取存储器包括第一反相器、第二反相器、第一通道栅晶体管及第二通道栅晶体管。第一反相器包括第一上拉晶体管与第一下拉晶体管。第二反相器包括第二上拉晶体管与第二下拉晶体管。第一反相器和第...

本发明涉及一种用于非易失性存储装置的感测电路以及非易失性存储装置。该感测电路，被设置于包含锁存器的页面缓冲器中，并且感测数据，所述锁存器是在对非易失性存储装置的存储单元写入或读出数据时暂时保存数据，该感测电路包括：第1开关组件及叠栅型控...

本发明公开一种半导体元件的制作以及检测方法，包括提供半导体基板，其包括元件区域和周边区域。接着，在元件区域内形成第一几何单元，并于周边区域形成多个第二几何单元，其中各第二几何单元的临界尺寸相等于第一几何单元的临界尺寸。之后，全面沉积一介...

本发明公开一种半导体制作工艺，包括：首先提供一半导体基材，其上设有多个半导体元件。再于半导体基材上形成至少一介电层，在介电层中形成多个开口，显露出半导体元件，再于半导体基材上涂布一材料层，使材料层填入开口，再对材料层进行一曝光及显影制作...

本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与多个第二介层窗。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一介层窗、二...

本发明公开一种缩小探针的针尖尺寸的方法及载台，该方法包括下列步骤。将探针固定在载台上。在载台的多个旋转角度的位置上，以离子束倾斜于探针的方式，对探针分别进行倾斜角离子切削制作工艺，而使得探针的针尖呈角锥状。

一种晶圆级动态预烧测试方法。于预烧测试期间反复切换各字线组的致能状态，并依据测试图案数据于字线组再次被致能时变换对位线施加的电压。

本发明公开一种多层王冠型金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法，该多层王冠型金属-绝缘体-金属电容器结构包含有一基底，其中设有一导电区域；一金属层间介电层，设于基底上；一电容沟槽，贯穿金属层间介电层，显露出导电区域；一电容下电极结构，...

本发明公开一种能改善像素动态范围的互补金属氧化物半导体影像感应器，包含有一半导体基底，其具有一主表面；一移转晶体管，包含一移转栅极，设置于该半导体基底的该主表面上；一光感结构，设于该移转栅极一侧的该半导体基底内；一浮置扩散节点，设于该移...