半导体制作工艺方法技术

本发明专利技术公开一种半导体制作工艺，包括：首先提供一半导体基材，其上设有多个半导体元件。再于半导体基材上形成至少一介电层，在介电层中形成多个开口，显露出半导体元件，再于半导体基材上涂布一材料层，使材料层填入开口，再对材料层进行一曝光及显影制作工艺，去除部分材料层，显露出部分介电层的上表面，如此形成一材料图案，然后对材料图案进行一化学机械研磨制作工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制作工艺方法，特别是涉及CMOS影像感测器的后段制作工艺(backendofline,BEOL)方法。
技术介绍
随着数字相机、电子扫描机等产品不断地开发与成长，市场上对影像感测元件的需求持续增加。目前常用的影像感测元件包含有电荷耦合感测元件(CCD)以及CMOS影像感测元件(CIS)两大类。而CMOS影像感测元件因具有低操作电压、低功率消耗与高操作效率、并可根据需要进行随机存取等优点，以及可整合于目前的半导体技术来大量制造的优势，因此受到广泛的应用。CMOS影像感测器的感光原理将入射光线区分为各种不同波长光线的组合，例如红、蓝、绿三色，再分别由半导体基底上的多个光学感测元件，如感光二极管(photodiode)予以接收，并将之转换为不同强弱的数字讯号。然而，随着像素尺寸的微缩，感光二极管的尺寸也跟着微小化，这使得像素灵敏度降低，而串扰(crosstalk)增加。为解决这个问题，有人提出在像素阵列区形成光导管(lightpipe)结构，其<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制作工艺，包含有：提供一半导体基材，其上设有多个半导体元件；在所述半导体基材上形成至少一介电层；在所述介电层中形成多个开口，显露出所述半导体元件；在所述半导体基材上涂布一材料层，并使所述材料层填入所述开口；对所述材料层进行一曝光及显影制作工艺，去除部分该材料层，显露出部分所述介电层的上表面，如此形成一材料图案；以及对所述材料图案进行一化学机械研磨制作工艺。

【技术特征摘要】
2014.10.24 TW 1031368451.一种半导体制作工艺，包含有：
提供一半导体基材，其上设有多个半导体元件；
在所述半导体基材上形成至少一介电层；
在所述介电层中形成多个开口，显露出所述半导体元件；
在所述半导体基材上涂布一材料层，并使所述材料层填入所述开口；
对所述材料层进行一曝光及显影制作工艺，去除部分该材料层，显露出
部分所述介电层的上表面，如此形成一材料图案；以及
对所述材料图案进行一化学机械研磨制作工艺。
2.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中所述半导体基材包含一硅
基材。
3.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中所述半导体元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟泽伟，周宗辉，赖郁元，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71