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本发明公开一种半导体制作工艺，包括：首先提供一半导体基材，其上设有多个半导体元件。再于半导体基材上形成至少一介电层，在介电层中形成多个开口，显露出半导体元件，再于半导体基材上涂布一材料层，使材料层填入开口，再对材料层进行一曝光及显影制作工艺...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。

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