半导体制作工艺设备以及预防破片的方法技术

本发明专利技术公开一种半导体制作工艺设备以及预防破片的方法，该设备适于处理基板。半导体制作工艺设备包括腔体、静电吸盘、气体交换管路、进气排气单元、压力调节管路以及压力调节阀门。静电吸盘配置于腔体内且适于吸附基板。静电吸盘包括图案化沟槽。图案化沟槽与基板之间形成图案化气体通道。气体交换管路连接图案化气体通道。进气排气单元连接气体交换管路。压力调节管路连接于气体交换管路与腔体之间。压力调节阀门配置于压力调节管路中。另提供一种预防破片的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作工艺设备以及制作工艺方法，且特别是涉及一种半导体制作工艺设备以及预防破片的方法。
技术介绍
半导体制作工艺设备常使用静电吸盘作为基板的承接盘。此静电吸盘是利用静电吸附原理来固定基板。在半导体制作工艺结束后，通常会先排出基板与静电吸盘之间的气体，再除去静电吸盘的静电，以利基板移出腔体。在除去静电时，基板与静电吸盘之间不再有静电吸附力。此时，若基板的背压(back pressure)大于基板上方的气体压力(即腔体内的气体压力)会形成一股向上的冲击力。此冲击力容易导致基板破片，而不得不报废基板。除了报废基板之外，基板破片还会污染腔体以及损害到腔体内的零组件，导致机台无法正常运作，而需停机清理以及更换零组件。上述种种都将导致重大的成本支出。是以，如何改善因气体压力不平衡所导致的破片问题，实为此领域技术人员亟欲解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体制作工艺设备，其具有平衡压力机制。本专利技术的再一目的在于提供一种预防破片的方法，其可改善现有因气体压力不平衡所导致的破片问题。为达上述目的，本专利技术的一种半导体制作工艺设备，其适于处理基板。半导体制作工艺设备包括腔体、静电吸盘、气体交换管路、进气排气单元、压力调节管路以及压力调节阀门。静电吸盘配置于腔体内且适于吸附基板。静电吸盘包括图案化沟槽。图案化沟槽与基板之间形成图案化气体通道。气体交换管路连接图案化气体通道。进气排气单元连接气体交换管路。压力调
节管路连接于气体交换管路与腔体之间。压力调节阀门配置于压力调节管路中。在本专利技术的一实施例中，上述的进气排气单元包括钝气供应源、导入阀以及排气阀单元。导入阀连接钝气供应源。气体交换管路连接于导入阀与图案化气体通道之间以及图案化气体通道与排气阀单元之间。在本专利技术的一实施例中，上述的钝气供应源为氦气供应源。在本专利技术的一实施例中，上述的排气阀单元包括第一排气阀、第二排气阀以及限流单元。第一排气阀位于第一管路中。第二排气阀以及限流单元位于第二管路中。半导体制作工艺设备还包括第一泵。第一管路与第二管路分别连接于气体交换管路与第一泵之间。在本专利技术的一实施例中，上述的压力调节阀门由第一线路控制。第一排气阀由第二线路控制。第一线路与第二线路彼此并联。半导体制作工艺设备还包括延迟开关。延迟开关与第一线路串联，且驱动压力调节阀门的控制信号先通过延迟开关再通过第一线路。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体制作工艺设备还包括连接腔体的制作工艺气体供应源、连接腔体的第二泵以及连接于腔体与第二泵之间的制作工艺压力控制阀。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体制作工艺设备为蚀刻设备。本专利技术的一种预防破片的方法，其适于应用在半导体制作工艺之后。预防破片的方法包括：在利用半导体制作工艺处理基板之后，将承载基板的静电吸盘与基板之间的图案化气体通道中的气体排出；平衡图案化气体通道与基板所在的腔体的气体压力；以及在平衡图案化气体通道与腔体的气体压力一段期间之后，去除静电吸盘的静电。在本专利技术的一实施例中，上述的平衡图案化气体通道与腔体的气体压力的方法包括将连通腔体与图案化气体通道的压力调节管路中的压力调节阀门开启。在本专利技术的一实施例中，上述在图案化气体通道中的气体排出一段期间之后，再平衡图案化气体通道与腔体的气体压力。在本专利技术的一实施例中，上述在去除静电吸盘的静电的同时，继续将图案化气体通道中的气体排出且继续平衡图案化气体通道与腔体的气体压力。在本专利技术的一实施例中，上述在排出图案化气体通道中的气体之前，停
止供应图案化气体通道中的气体。在本专利技术的一实施例中，上述的预防破片的方法还包括在去除静电吸盘的静电之后，将基板升起。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体制作工艺为蚀刻制作工艺。基于上述，本专利技术上述实施例的半导体制作工艺设备在气体交换管路与腔体之间设置压力调节管路以及控制此压力调节管路开与关的压力调节阀门。通过开启压力调节阀门，可连通图案化气体通道与腔体，从而有助于平衡图案化气体通道与腔体的气体压力。此外，本专利技术上述实施例的预防破片的方法在半导体制作工艺结束之后且在去除静电吸盘的静电之前，平衡图案化气体通道与腔体的气体压力，因而能够预防现有因气体压力不平衡所导致的破片问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术的一实施例的一种半导体制作工艺设备的示意图；图1B为图1A中静电吸盘的上视示意图；图1C为图1A中静电吸盘的局部剖面示意图；图1D为图1A中第一排气阀与压力调节阀门的方块图；图1E为图1A中压力调节阀门的一种实施型态；图2为本专利技术的一实施例的一种预防破片的方法的流程图；图3为图1A中半导体制作工艺设备应用所述预防破片的方法的时序图。符号说明100：半导体制作工艺设备110：腔体120：静电吸盘130：气体交换管路140：进气排气单元142：钝气供应源144：导入阀146：排气阀单元146A：第一排气阀146B：第二排气阀146C：限流单元150：压力调节管路160：压力调节阀门170：制作工艺气体供应源180：制作工艺压力控制阀190：制作工艺压力计A、AA：气体AS：气体源C：延迟开关CH：图案化气体通道CHA：环状气体通道EMV：电磁阀LP：顶针P1：第一泵P2：第二泵PL1：第一管路PL2：第二管路PL3：第三管路PL4：第四管路S1、S2、S3、S4：步骤SC1：第一线路SC2：第二线路SIG：信号源SUB：基板T：图案化沟槽TT：环状沟槽T1、T2：期间具体实施方式图1A是依照本专利技术的一实施例的一种半导体制作工艺设备的示意图。图1B是图1A中静电吸盘的上视示意图。图1C是图1A中静电吸盘的局部剖面示意图。图1D是图1A中第一排气阀与压力调节阀门的方块图。图1E是图1A中压力调节阀门的一种实施型态。图2是依照本专利技术的一实施例的一种预防破片的方法的流程图。图3是图1A中半导体制作工艺设备应用所述预防破片的方法的时序图。请先参照图1A至图1C，本实施例的半导体制作工艺设备100适于处理基板SUB。所述处理基板SUB可以是对基板SUB进行蚀刻制作工艺，亦即，半导体制作工艺设备100可以是蚀刻设备，但不限于此。半导体制作工艺设备100包括腔体110、静电吸盘120、气体交换管路130、进气排气单元140、压力调节管路150以及压力调节阀门160。静电吸盘120配置于腔体110内且适于吸附基板SUB。如图1B所示，静电吸盘120包括图案化沟槽T。图案化沟槽T例如包括多个环状沟槽TT。各环状沟槽TT的形状可以是一封闭的圆形，且这些环状沟槽TT可具有相同的圆心。此外，这些环状沟槽TT可分别通过未绘示的管路而彼此连通于静电吸盘120的内部，亦即，这些环状沟槽TT中的气体通过未绘示的管路而彼此流通。如图1C所示，当静电吸盘120吸附基板SUB时，图案化沟槽T与基板SUB之间形成图案化气体通道CH。具体地，各环状沟槽TT与基板SUB之间形成一环状气体通道CHA，且这些环状气体通道CHA共同组成图案化气体通道CH。如图1A及图1C所示，气体交换管路130连接于图案化气体通道CH与进气排气单元140之间，以作为两者传递气体的媒介。具体地，来自本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制作工艺设备，适于处理一基板，该半导体制作工艺设备包括：腔体；静电吸盘，配置于该腔体内且适于吸附该基板，该静电吸盘包括一图案化沟槽，该图案化沟槽与该基板之间形成一图案化气体通道；气体交换管路，连接该图案化气体通道；进气排气单元，连接该气体交换管路；压力调节管路，连接于该气体交换管路与该腔体之间；以及压力调节阀门，配置于该压力调节管路中。

【技术特征摘要】
2015.02.11 TW 1041045251.一种半导体制作工艺设备，适于处理一基板，该半导体制作工艺设备包括：腔体；静电吸盘，配置于该腔体内且适于吸附该基板，该静电吸盘包括一图案化沟槽，该图案化沟槽与该基板之间形成一图案化气体通道；气体交换管路，连接该图案化气体通道；进气排气单元，连接该气体交换管路；压力调节管路，连接于该气体交换管路与该腔体之间；以及压力调节阀门，配置于该压力调节管路中。2.如权利要求1所述的半导体制作工艺设备，其中该进气排气单元包括钝气供应源、导入阀以及排气阀单元，该导入阀连接该钝气供应源，该气体交换管路连接于该导入阀与该图案化气体通道之间以及该图案化气体通道与该排气阀单元之间。3.如权利要求2所述的半导体制作工艺设备，其中该钝气供应源为一氦气供应源。4.如权利要求2所述的半导体制作工艺设备，其中该排气阀单元包括第一排气阀、第二排气阀以及限流单元，该第一排气阀位于一第一管路中，该第二排气阀以及该限流单元位于一第二管路中，该半导体制作工艺设备还包括第一泵，该第一管路与该第二管路分别连接于该气体交换管路与该第一泵之间。5.如权利要求4所述的半导体制作工艺设备，其中该压力调节阀门由一第一线路控制，该第一排气阀由一第二线路控制，该第一线路与该第二线路彼此并联，该半导体制作工艺设备还包括：延迟开关，与该第一线路串联，且驱动该压力调节阀门的控制信号先通过该延迟开关再通过该第一线路。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：周俊吉，陈志铭，谢其忠，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71