【技术实现步骤摘要】
晶片的标记方法、晶圆及晶片
本专利技术是有关于一种半导体制程及结构，且特别是有关于一种晶片的标记方法、晶圆及晶片。
技术介绍
在未对晶圆进行切割前的晶片测试阶段，可以清楚知道每个晶片在晶圆上的位置信息，因此很容易掌握到制造过程中的相关信息。然而，若是在进行晶片切割封装后的最终测试发生问题，就很难掌握相关信息。现在的封装测试厂虽然可以在封装上打上编号，但因为每个晶片都有一笔资料，所产生的庞大资料常常造成追查的不便。
技术实现思路
本专利技术提供一种。本专利技术提供一种晶片的标记方法、晶圆及晶片，其可轻易地掌握晶片在制造过程中的相关信息。本专利技术提出一种晶片的标记方法，包括以下步骤。提供晶圆，其中晶圆包括多个晶片。在晶圆上划分出多个曝光区(shotarea)，其中每个曝光区对应到多个晶片中的至少一个。利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号。利用第二掩膜与重迭偏移(overlayshift)的曝光方式形成每个曝光区的每个晶片中的代表曝光区坐标的坐标符...
【技术保护点】
1.一种晶片的标记方法，包括：/n提供晶圆，其中所述晶圆包括多个晶片；/n在晶圆上划分出多个曝光区，其中每个曝光区对应到所述多个晶片中的至少一个；/n利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号；以及/n利用第二掩膜与重迭偏移的曝光方式形成每个曝光区的每个晶片中的代表曝光区坐标的坐标符号，其中不同曝光区中的不同坐标符号在由所述第一坐标轴与所述第二坐标轴所形成的坐标系中具有不同坐标。/n
【技术特征摘要】
20190107 TW 1081005151.一种晶片的标记方法，包括：
提供晶圆，其中所述晶圆包括多个晶片；
在晶圆上划分出多个曝光区，其中每个曝光区对应到所述多个晶片中的至少一个；
利用第一掩膜形成每个晶片中的第一坐标轴上的多个第一符号与第二坐标轴上的多个第二符号；以及
利用第二掩膜与重迭偏移的曝光方式形成每个曝光区的每个晶片中的代表曝光区坐标的坐标符号，其中不同曝光区中的不同坐标符号在由所述第一坐标轴与所述第二坐标轴所形成的坐标系中具有不同坐标。
2.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号、所述多个第二符号与所述坐标符号位在每个晶片中的同一层中。
3.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号与所述多个第二符号位在每个晶片中的同一层中，且所述多个第一符号与所述坐标符号位在每个晶片中的不同层中。
4.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中以上视方式观察，所述坐标符号位在所述坐标系中。
5.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中先形成所述多个第一符号与所述多个第二符号，再形成所述坐标符号。
6.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中先形成所述坐标符号，再形成所述多个第一符号与所述多个第二符号。
7.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述多个第一符号与所述多个第二符号的形成方法包括使用所述第一掩膜对膜层进行图案化制程。
8.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述坐标符号的形成方法包括使用所述第二掩膜对膜层进行图案化制程。
9.如权利要求1所述的晶片的标记方法，其中所述第一掩膜包括用于形成所述多个第一符号的图案与用于形成所述多个第二符号的图案。
10.如权利要求9所述的晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：车行远，吕景元，吕美蓉，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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