一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构，碳化硅晶片的退火用装置包括C形装置底座和多个圆弧状凸起墩，C形装置底座设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面，多个圆弧状凸起墩等间距设置于C形上表面的外缘端，多个圆弧状凸起墩包括第一圆弧侧面和第二圆弧侧面，第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与内圆弧侧面和外圆弧侧面同心设置；退火用堆叠结构包括上、下堆叠的上述退火用装置，每个退火用装置的C形装置底座的开口位置相对应。本实用新型专利技术的退火用装置和退火用堆叠结构，便于晶片取放，同时能减少晶片与装置的接触面积，避免晶片的接触污染，并通过堆叠实现多张碳化硅晶片的同时退火，提高晶片的退火效率。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构
本技术属于半导体加工制造领域，特别涉及一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构。
技术介绍
碳化硅是一种第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力，在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性，被行业寄予厚望。碳化硅晶片在加工过程中涉及到多个工序，其中晶片退火就是众多工序中的一个。在半导体晶片加工行业中，退火对于晶片材料释放加工应力，降低晶片的翘曲度和弯曲度具有非常积极的作用，在蓝宝石晶片、硅片等行业都必不可少。对于碳化硅晶片来说，由于晶片分硅面和碳面，在高温时各面原子均具有较高的活性，退火时很容易与空气中的气体或者所接触的其他物质反应造成晶片的污染。因此，碳化硅晶片退火一般不可以采取类似蓝宝石和硅片退火的成垛堆放方式。另外碳化硅退火还需要在退火炉抽真空后在高纯氩气保护下退火。严格的退火工艺导致了碳化硅晶片在工业生产中退火工序的效率较低，如何在保证工艺的前提下，提高退火效率，是研究人员们亟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片的退火用装置，其特征在于，包括C形装置底座(1)和多个圆弧状凸起墩(2)，所述C形装置底座(1)设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面，所述多个圆弧状凸起墩(2)等间距设置于所述C形上表面的外缘端，所述多个圆弧状凸起墩(2)包括圆弧形上表面、圆弧形下表面、第一圆弧侧面和第二圆弧侧面，所述第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与所述内圆弧侧面和所述外圆弧侧面同心设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片的退火用装置，其特征在于，包括C形装置底座(1)和多个圆弧状凸起墩(2)，所述C形装置底座(1)设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面，所述多个圆弧状凸起墩(2)等间距设置于所述C形上表面的外缘端，所述多个圆弧状凸起墩(2)包括圆弧形上表面、圆弧形下表面、第一圆弧侧面和第二圆弧侧面，所述第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与所述内圆弧侧面和所述外圆弧侧面同心设置。


2.如权利要求1所述的退火用装置，其特征在于，
所述C形装置底座(1)的外圆弧侧面的缺口的圆心角角度等于所述C形装置底座(1)内圆弧侧面的缺口的圆心角角度等于30～60°。


3.如权利要求1所述的退火用...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐良，曹力力，蓝文安，刘建哲，余雅俊，夏建白，李京波，郭炜，叶继春，
申请(专利权)人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33