【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。
技术介绍
目前发展出一种存储器结构，包括彼此耦接晶体管与电容器。在此种存储器结构中，使用电容器作为存储组件。因此，如何增加电容器的电容以提升存储器元件的电性效能为目前业界持续努力的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器结构及其制造方法，其可有效地增加电容器的电容，进而可提升存储器元件的电性效能。本专利技术提出一种存储器结构，包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦接在第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在第一开口的表面上。第二电极设置在第一开口中的第一电极上，且具有延伸至第二开口中的延伸部。延伸部覆盖第二开口所暴露出的第一电极的侧面。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。依照本专利技术的一实...
【技术保护点】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：/n第一晶体管；/n第二晶体管，位于所述第一晶体管的一侧；/n介电层，覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管，其中在所述介电层中具有相连通的第一开口与第二开口，且所述第二开口位于所述第一开口的侧边；以及/n电容器，耦接在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，其中所述电容器包括：/n第一电极，设置在所述第一开口的表面上；/n第二电极，设置在所述第一开口中的所述第一电极上，且具有延伸至所述第二开口中的延伸部，其中所述延伸部覆盖所述第二开口所暴露出的所述第一电极的侧面；以及/n绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。/n
【技术特征摘要】
20181210 TW 1071443891.一种存储器结构，其特征在于，包括：
第一晶体管；
第二晶体管，位于所述第一晶体管的一侧；
介电层，覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管，其中在所述介电层中具有相连通的第一开口与第二开口，且所述第二开口位于所述第一开口的侧边；以及
电容器，耦接在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，其中所述电容器包括：
第一电极，设置在所述第一开口的表面上；
第二电极，设置在所述第一开口中的所述第一电极上，且具有延伸至所述第二开口中的延伸部，其中所述延伸部覆盖所述第二开口所暴露出的所述第一电极的侧面；以及
绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。
3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二开口的底部高于所述第一开口的底部。
4.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二开口的底部低于所述第一电极的顶部。
5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一电极的顶部低于所述第一开口的顶部。
6.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述延伸部的底部低于所述第一电极的顶部。
7.如权利要求1所述的存储器结构，其中
所述第一晶体管包括第一栅极结构与位于所述第一栅极结构两侧的第一掺杂区与第二掺杂区，
所述第二晶体管包括第二栅极结构与位于所述第二栅极结构两侧的第三掺杂区与第四掺杂区，且
所述第二掺杂区与所述第三掺杂区位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间。
8.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述延伸部位于所述第一电极与所述第一栅极结构之间，且所述延伸部的底部高于所述第一栅极结构的顶部。
9.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述延伸部位于所述第一电极与所述第二栅极结构之间，且所述延伸部的底部高于所述第二栅极结构的顶部。
10.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述第一开口暴露出所述第二掺杂区与所述第三掺杂区。
11.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述第一电极耦接至所述第二掺杂区与所述第三掺杂区。
12.一种存储器结构的制造方法，包括：
提供第一晶体管与第二晶体管，其中所述第二晶体管位于所述第一晶体管的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志鹏，林家佑，魏易玄，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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