三维存储器及其制备方法技术

本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在衬底上形成隔离层；在三维存储器中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构；其中，阻挡层围设在半导体层的周边；刻蚀所述存储结构朝向衬底的一侧，以暴露出半导体层；沿暴露出的半导体层形成第一半导体结构；其中，第一半导体结构连接半导体层，且至少部分隔离层位于衬底与第一半导体结构之间。本申请提供的三维存储器的制备方法分步形成半导体结构，提高三维存储器的良率。

Three dimensional memory and its preparation

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法
本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维存储器及其制备方法。
技术介绍
三维(3Dimension,3D)存储器作为一种典型的垂直沟道式三维存储器，通常包括衬底以及位于衬底上的堆叠结构。三维存储器的工艺制备过程中，需要先在堆叠结构内形成贯穿堆叠结构的多个沟槽，然后通过沟槽沿衬底及存储结构外延生长形成“L”形状半导体结构。但是，在外延生长形成“L”形状半导体结构的过程中，存在半导体结构生长不良及不均匀的问题，导致制备三维存储器的可靠性低。
技术实现思路
基于上述半导体结构生长不均一的问题，本申请提供了一种三维存储器的制备方法，在沿存储结构形成第一半导体结构的过程中，衬底上设有隔离层，避免存储结构与衬底一起形成半导体结构而导致形成的半导体结构不均一，从而提高制备三维存储器的可靠性。第一方面，本申请提供了一种三维存储器的制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成隔离层；在所述隔离层远离所述衬底的一侧形成堆叠结构层，且在所述堆叠结构层中形成包括阻挡层与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成隔离层；/n在所述隔离层远离所述衬底的一侧形成堆叠结构层，且在所述堆叠结构层中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构；其中，所述阻挡层围设在所述半导体层的周边；/n刻蚀朝向所述衬底一侧的部分所述存储结构，以暴露出所述半导体层；/n沿暴露出的所述半导体层形成第一半导体结构；其中，所述第一半导体结构连接所述半导体层，且至少部分所述隔离层位于所述衬底与所述第一半导体结构之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成隔离层；
在所述隔离层远离所述衬底的一侧形成堆叠结构层，且在所述堆叠结构层中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构；其中，所述阻挡层围设在所述半导体层的周边；
刻蚀朝向所述衬底一侧的部分所述存储结构，以暴露出所述半导体层；
沿暴露出的所述半导体层形成第一半导体结构；其中，所述第一半导体结构连接所述半导体层，且至少部分所述隔离层位于所述衬底与所述第一半导体结构之间。


2.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“沿暴露出的所述半导体层形成第一半导体结构”之后或之前，所述制备方法还包括：
去除所述隔离层，以暴露出所述衬底；
沿暴露出的所述衬底形成第二半导体结构；其中，所述第二半导体结构连接所述第一半导体结构。


3.如权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“在所述衬底上形成隔离层”之后，且在所述“在所述隔离层远离所述衬底的一侧形成堆叠结构层”之前，所述制备方法还包括：
在所述隔离层上形成牺牲层；
在所述“刻蚀朝向所述衬底一侧的部分所述存储结构，以暴露出所述半导体层”之前，所述制备方法还包括：
刻蚀所述牺牲层，以暴露出所述存储结构邻近所述衬底的一侧。


4.如权利要求3所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述“在所述堆叠结构层中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构”包括：
刻蚀所述堆叠结构层，以形成贯穿所述堆叠结构层的沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，薛家倩，刘小欣，黄波，高庭庭，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42