一种NAND存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种NAND存储器及其制备方法，该NAND存储器包括：衬底；形成于衬底上方的堆栈，该堆栈包括，在垂直于衬底的纵向上，交错间隔设置的多个横向延伸栅极层和层间绝缘层；竖直延伸穿过堆栈的多个存储串；竖直延伸穿过堆栈的阵列共源极，该竖直延伸的阵列共源极在第一横向上具有特定宽度，并在第二横向上具有特定长度，而分隔多个存储串；覆盖堆栈的绝缘层；多个纵向穿过该绝缘层而连接存储串的第一触点；至少一个纵向穿过该绝缘层而与阵列共源极的上表面接触连接的第二触点，该第二触点的横截面为闭合曲线。通过减小第一触点与第二触点形状和尺寸差异，使两种触点的形成过程易于调整和控制，降低操作难度。

NAND memory and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种NAND存储器及其制备方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制备方法，尤其涉及一种NAND存储器及其制备方法。
技术介绍
目前，随着半导体工艺的发展，半导体器件(例如NAND闪存)的特征尺寸日益缩小，集成度也越来越高。由于二维NAND(2DNAND)闪存的制程工艺已经逼近物理极限，难以继续提高其存储单元密度，因此三维NAND(3DNAND)闪存应运而生，将存储单元以立体的方式进行堆叠，不但解决了二维NAND闪存成本高、可靠度低的问题，更为NAND闪存带来更大的存储容量。在现有的3DNAND存储器中，存储串上的位线触点的横截面是圆形，源触点和位触点一般是同时加工处理形成的，由于源触点和位触点的形状和尺寸差异很大，难以同时实现对这两种特征轮廓的调整和控制，进而增加了触点形成过程中刻蚀和金属沉积的操作难度。
技术实现思路
为了使源触点和位触点形成过程易于调整和控制，降低操作难度，本申请实施例提供一种NAND存储器，包括：衬底；形成于衬底上方的堆栈，该堆栈包括，在垂直于衬底的纵向上，交错间隔设置的多个横向延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND存储器，其特征在于，包括:/n衬底；/n形成于所述衬底上方的堆栈，所述堆栈包括，在垂直于所述衬底的纵向上，交错间隔设置的多个横向延伸栅极层和层间绝缘层；/n竖直延伸穿过所述堆栈的多个存储串；/n竖直延伸穿过所述堆栈的阵列共源极，所述竖直延伸的阵列共源极在第一横向上具有特定宽度，并在第二横向上具有特定长度，而分隔所述多个存储串；/n覆盖所述堆栈的绝缘层；/n多个纵向穿过所述绝缘层而连接所述存储串的第一触点；/n至少一个纵向穿过所述绝缘层而与所述阵列共源极的上表面接触连接的第二触点，所述第二触点的横截面为闭合曲线。/n

【技术特征摘要】
1.一种NAND存储器，其特征在于，包括:
衬底；
形成于所述衬底上方的堆栈，所述堆栈包括，在垂直于所述衬底的纵向上，交错间隔设置的多个横向延伸栅极层和层间绝缘层；
竖直延伸穿过所述堆栈的多个存储串；
竖直延伸穿过所述堆栈的阵列共源极，所述竖直延伸的阵列共源极在第一横向上具有特定宽度，并在第二横向上具有特定长度，而分隔所述多个存储串；
覆盖所述堆栈的绝缘层；
多个纵向穿过所述绝缘层而连接所述存储串的第一触点；
至少一个纵向穿过所述绝缘层而与所述阵列共源极的上表面接触连接的第二触点，所述第二触点的横截面为闭合曲线。


2.如权利要求2所述的一种NAND存储器，其特征在于，所述闭合曲线为闭合圆锥曲线，且所述圆锥曲线的最短轴长度大于或等于所述第一触点的直径。


3.如权利要求2所述的一种NAND存储器，其特征在于，所述第二触点的所述短轴长度，小于或等于所述阵列共源极的所述特定宽度。


4.如权利要求1所述的一种NAND存储器，其特征在于，所述多个存储串之间有虚拟存储串。


5.如权利要求4所述的一种NAND存储器，其特征在于，所述第二触点只分布于所述虚拟存储串外侧。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆聪，朱宏斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42