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本发明提供一种NAND存储器及其制备方法，该NAND存储器包括：衬底；形成于衬底上方的堆栈，该堆栈包括，在垂直于衬底的纵向上，交错间隔设置的多个横向延伸栅极层和层间绝缘层；竖直延伸穿过堆栈的多个存储串；竖直延伸穿过堆栈的阵列共源极，该竖直延...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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