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本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在衬底上形成隔离层；在三维存储器中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构；其中，阻挡层围设在半导体层的周边；刻蚀所述存储结构朝向衬底的一侧，以暴露出半导体层；沿暴露出的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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