半导体存储装置制造方法及图纸

本公开涉及半导体存储装置。实施方式提供存储器单元晶体管的集成度高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1结构体和第2结构体。第1结构体与第2结构体沿第1方向交替地排列。第1结构体具有沿第2方向相互分隔开地排列的多个电极膜。第2结构体具有柱状构件、第1绝缘构件、以及第1方向上的长度比多个第1绝缘构件的第1方向上的长度长的第2绝缘构件。柱状构件具有在第2方向上延伸的半导体构件、以及设置在半导体构件与电极膜之间的电荷蓄积构件。第2绝缘构件沿第3方向排列。在第1方向上相邻的第2结构体间，第3方向上的第2绝缘构件的位置相互不同。在第2绝缘构件间，柱状构件与第1绝缘构件交替地排列。

Semiconductor storage device

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置本申请享有以日本专利申请2018-171220号(申请日：2018年9月13日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括在先申请的全部内容。
实施方式涉及半导体存储装置。
技术介绍
近年来，正在开发一种三维型半导体存储装置。在三维型半导体存储装置中，在基板上设置层叠了多个电极膜而得到的层叠体，并设置有贯穿层叠体的多个半导体构件，在电极膜与半导体构件的交叉部分形成存储器单元晶体管。在三维型半导体存储装置中还要求存储器单元晶体管的进一步的高集成化。
技术实现思路
实施方式提供一种存储器单元晶体管的集成度高的半导体存储装置。实施方式涉及的半导体存储装置具备多个第1结构体以及多个第2结构体。所述多个第1结构体以及所述多个第2结构体沿第1方向交替地排列。所述第1结构体具有沿与所述第1方向交叉的第2方向相互分隔开地排列的多个电极膜。所述第2结构体具有多个柱状构件、多个第1绝缘构件以及在所述第1方向上的长度比所述多个第1绝缘构件在所述第1方向上的长度长的多个第2绝缘构件。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，/n具备多个第1结构体和多个第2结构体，/n所述多个第1结构体和所述多个第2结构体沿第1方向交替地排列，/n所述第1结构体具有沿与所述第1方向交叉的第2方向相互分隔开地排列的多个电极膜，/n所述第2结构体具有：/n多个柱状构件，包括在所述第2方向上延伸的半导体构件和设置在所述半导体构件与所述电极膜之间的电荷蓄积构件；/n多个第1绝缘构件；以及/n多个第2绝缘构件，沿与所述第1方向以及所述第2方向交叉的第3方向排列，所述第1方向上的长度比所述多个第1绝缘构件的所述第1方向上的长度长，/n在所述第1方向上相邻的所述第2结构体间，所述第3方向上的所述第2绝缘构件的位置相互不同...

【技术特征摘要】
20180913 JP 2018-1712201.一种半导体存储装置，
具备多个第1结构体和多个第2结构体，
所述多个第1结构体和所述多个第2结构体沿第1方向交替地排列，
所述第1结构体具有沿与所述第1方向交叉的第2方向相互分隔开地排列的多个电极膜，
所述第2结构体具有：
多个柱状构件，包括在所述第2方向上延伸的半导体构件和设置在所述半导体构件与所述电极膜之间的电荷蓄积构件；
多个第1绝缘构件；以及
多个第2绝缘构件，沿与所述第1方向以及所述第2方向交叉的第3方向排列，所述第1方向上的长度比所述多个第1绝缘构件的所述第1方向上的长度长，
在所述第1方向上相邻的所述第2结构体间，所述第3方向上的所述第2绝缘构件的位置相互不同，
在所述第2绝缘构件间，所述柱状构件与所述第1绝缘构件交替地排列。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
在所述第2绝缘构件间，所述柱状构件沿所述第3方向(X)周期性地排列。


3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
在所述第2结构体的第1部分中，所述柱状构件以第1周期排列，
在所述第2结构体的第2部分以及第3部分中，所述第3方向上的所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期长，
在所述第2部分配置有所述第2绝缘构件，
所述第3部分在所述第1方向上位于所述第2部分间，
所述第1部分在所述第3方向上位于所述第2部分与所述第3部分之间。


4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，
在所述第2部分中，所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期的3倍大且比4倍小，
在所述第3部分中，所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期的3倍大且比4倍小。


5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，
在所述第2部分中，所述柱状构件的中心间的距离是所述第1周期的3.5倍，
在所述第3部分中，所述柱状构件的中心间的距离是所述第1周期的3.5倍。


6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，
在所述第2部分中，所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期的3.5倍大且比4.5倍小，
在所述第3部分中，所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期的2.5倍大且比3.5倍小。


7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，
在所述第2部分中，所述柱状构件的中心间的距离是所述第1周期的4倍，
在所述第3部分中，所述柱状构件的中心间的距离是所述第1周期的3倍。


8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，
在所述第2部分中，所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期的3倍大且比4倍小，
在所述第3部分中，所述柱状构件的中心间的距离比所述第1周期的2倍大且比3倍小。


9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，
在所述第2部分中，所述柱状构件的中心间的距离是所述第1周期的3.5倍，
在所述第3部分中，所述柱状构件的中心间的距离是所述第1周期的2.5倍。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体存储装置，
还具备设置在所述柱状构件与所述电极膜之间的第2绝缘层，
所述柱状构件还具有设置在所述电荷蓄积构件与所述第2绝缘层之间的第1绝缘层，
所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：中冢圭祐，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP