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本发明公开一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦接在...
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