一种单像元红外和可见光双波段传感器及阵列制造技术

本发明专利技术公开了一种单像元红外和可见光双波段传感器，包括上层感光组件、桥柱、可见光感光组件和硅衬底；所述上层感光组件通过所述桥柱安装于所述硅衬底上方，且所述可见光感光组件设置于所述硅衬底的上表面；所述上层感光组件上设置有透光通孔，且所述可见光感光组件位于所述透光通孔的正下方。本发明专利技术还公开了一种单像元红外和可见光双波段传感器阵列。本发明专利技术一种单像元红外和可见光双波段传感器及阵列，可以实现可见光和红外双波段在单个像元的同时探测，目标信息更加丰富。同时，材料生长及器件制作工艺简单，有利于器件的焦平面化。

A single pixel infrared and visible dual band sensor and array

【技术实现步骤摘要】
一种单像元红外和可见光双波段传感器及阵列
本专利技术涉及红外及可见光探测与成像
，具体涉及一种单像元红外和可见光双波段传感器及阵列。
技术介绍
红外探测技术由于其拥有特别的优点：无形的红外辐射，保密性好；良好的环境适应性；无源接收系统，抗干扰能力强；体积小，重量轻，功耗低；可以揭示伪装的目标；分辨率优于微波，因此广泛应用于红外夜视，红外探测，红外引导等领域。目前比较成熟的光子探测器已经应用到了通信、医学等领域。而非制冷红外焦平面阵列技术已经成为红外探测技术最主流的方向，这种技术使我们在常温下就能获得具有很高敏感性能的红外探测器。另外，其成本低、体积小、重量轻、功耗小和响应波段宽等很多优点，使其大规模的市场化成为可能。随着红外技术的不断发展，为提高目标的识别和分辨能力，红外系统对于双波段需求越来越大，在现有技术中，可见光探测常采用硅基光电二极管实现，红外探测利用微测辐射热计实现，两种波段分别用两种结构完成，双波段传感器受单波段器件发展水平及集成的限制，因此总体发展水平远低于单波段同类型的传感器。同时，现有技术中的双波段传感器采集红外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单像元红外和可见光双波段传感器，其特征在于，包括上层感光组件(1)、桥柱(2)、可见光感光组件(3)和硅衬底(4)；所述上层感光组件(1)通过所述桥柱(2)安装于所述硅衬底(4)上方，且所述可见光感光组件(3)设置于所述硅衬底(4)的上表面；/n所述上层感光组件(1)上设置有透光通孔(13)，且所述可见光感光组件(3)位于所述透光通孔(13)的正下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种单像元红外和可见光双波段传感器，其特征在于，包括上层感光组件(1)、桥柱(2)、可见光感光组件(3)和硅衬底(4)；所述上层感光组件(1)通过所述桥柱(2)安装于所述硅衬底(4)上方，且所述可见光感光组件(3)设置于所述硅衬底(4)的上表面；
所述上层感光组件(1)上设置有透光通孔(13)，且所述可见光感光组件(3)位于所述透光通孔(13)的正下方。


2.根据权利要求1所述的一种单像元红外和可见光双波段传感器，其特征在于，所述上层感光组件(1)包括红外感光组件(11)和桥腿(12)；所述桥腿(12)连接于所述红外感光组件(11)的侧面，且所述桥腿(12)通过所述桥柱(2)安装于所述硅衬底(4)上方；所述透光通孔(13)设置于所述红外感光组件(11)上。


3.根据权利要求2所述的一种单像元红外和可见光双波段传感器，其特征在于，所述红外感光组件(11)由自上而下依次设置的顶层氮化硅(14)、氧化钒薄膜(15)和氮化硅支撑层(16)组成。


4.根据权利要求3所述的一种单像元红外和可见光双波段传感器，其特征在于，所述顶层氮化硅(14)的厚度为120nm～...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕坚，邹灵乐，张逸，鲁竞原，阙隆成，周云，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51