【技术实现步骤摘要】
具有改进的电荷存储容量的集成成像设备优先权要求本申请要求2018年11月22日提交的法国专利申请号1871689的优先权，其内容在法律允许的最大范围内通过引用以其整体并入本文。
实施例涉及集成电路，特别是成像集成电路，并且尤其涉及成像设备的动态范围的改进。
技术介绍
成像设备通常包括像素的矩阵阵列，像素的矩阵阵列可操作以将入射光信号转换成电荷。在每个像素中，在光敏区(通常是光电二极管)中生成的电荷被传输到读取节点，该读取节点被耦合到传输电路和处理电路，例如，该处理电路包括模数转换器，模数转换器可操作以将表示像素的照度的电荷转换成数字值。像素的照度的值可以取多个值，这取决于成像设备的动态范围，即成像设备区分更多或更少数目的光强度的能力。通过组合多个拍摄的图像可以增加成像设备的动态范围。然而，允许实施这种方法的图像传感器包括特定的并且常常是复杂的电路，这不利于集成电路的占地面积(footprint)。需要获得具有小占地面积的高动态范围的成像设备。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种集成成像设备，包括：/n至少一个像素，其中每个像素包括：/n延伸到所述衬底中的沟槽；/n涂覆所述沟槽的绝缘体；以及/n在所述沟槽内的堆叠，所述堆叠包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域，其中所述堆叠内的所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域通过绝缘材料层彼此绝缘。/n
【技术特征摘要】
20181122 FR 18716891.一种集成成像设备，包括：
至少一个像素，其中每个像素包括：
延伸到所述衬底中的沟槽；
涂覆所述沟槽的绝缘体；以及
在所述沟槽内的堆叠，所述堆叠包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域，其中所述堆叠内的所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域通过绝缘材料层彼此绝缘。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个像素包括电容器，所述电容器具有：由所述第二多晶硅区域形成的第一电极、由所述绝缘材料层形成的电介质、以及被耦合到存储区域的第二电极，所述存储区域被配置成存储表示所述像素的照度的电荷。
3.根据权利要求2所述的设备，还包括偏置电路，所述偏置电路被配置成分别偏置所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域。
4.根据权利要求2所述的设备，还包括金属化物，所述金属化物电连接所述第二多晶硅区域和所述存储区域。
5.根据权利要求2所述的设备，其中所述至少一个像素还包括：光敏区；读取节点，所述读取节点包括所述存储区域；以及至少一个传输门，所述至少一个传输门被配置成将在所述光敏区中累积的所述电荷传输到所述读取节点，其中所述沟槽划定所述读取节点的外围，其中所述第一多晶硅区域形成所述传输门。
6.根据权利要求2所述的设备，其中所述沟槽形成电容隔离沟槽，所述电容隔离沟槽划定所述像素的所述外围，所述第二多晶硅区域形成所述电容器的第一电极，并且所述电容器的所述第二电极通过金属轨道的方式连接到所述读取节点。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述堆叠被绝缘体的区域覆盖。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备是智能移动电话的组件。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备是数码相机的组件。
10.根据权利要求1所述的设...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·苏勒，F·罗伊，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR
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