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本公开的实施例涉及具有改进的电荷存储容量的集成成像设备。一种集成成像设备包括像素，该像素具有延伸到衬底中的沟槽。沟槽涂覆有绝缘体并且填充有包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域的堆叠。第一和第二多晶硅区域通过绝缘材料的层彼此分离。第一多晶硅区域...
该专利属于意法半导体(克洛尔2)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(克洛尔2)公司授权不得商用。

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