【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led/hemt制造的，具体地涉及一种用于制作gaas衬底集成led和hemt的外延结构的制作方法。
技术介绍
1、led即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是利用ingan/gan mqw量子阱作为发光源，在正向偏置电压下发生量子阱中的载流子复合，释放出能量并发射光子，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫色的光。目前白光led则主要是在蓝光led上覆盖一层淡黄色萤光粉涂层制成的。由于半导体发光二极管led具有发光效率高、长寿命、绿色环保、开关速度快等优点，作为新一代的绿色照明光源，被广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源和城市景观照明等领域。
2、hemt是异质结两侧半导体材料禁带宽度不同，费米能级不同，导致电子从宽禁带向窄禁带转移，直到费米能级相同为止。从而在宽禁带一侧富余空穴，窄禁带一侧富余电子，富余的空穴和电子在异质结界面产生的内建电场引起能带弯曲，产生三角形势阱，势阱内聚集二维电子气。两种材料禁带宽度差别越大，内建电场越强，产生的三角形势阱越深，二维电子气浓度就越高。对于耗尽型hemt，栅极不加电压时...
【技术保护点】
1.一种用于制作集成LED和HEMT的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.一种用于制作集成LED和HEMT的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述HEMT外延层结构从下至上包括：砷化镓或砷化铝镓衬底层、缓冲层、未掺杂的宽禁带隔离层、高掺杂的宽禁带层以及高掺杂盖层。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LED器件结构从下至上包括：砷化镓衬底层、缓冲层、n型DBR、n+型下限制层、有源层、p+型上限制层、p型窗口层。
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【技术特征摘要】
1.一种用于制作集成led和hemt的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.一种用于制作集成led和hemt的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述hemt外延层结构从下至上包括：砷化镓或砷化铝镓衬底层、缓冲层、未掺杂的宽禁带隔离层、高掺杂的宽禁带层以及高掺杂盖层。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述led器件结构从下至上包括：砷化镓衬底层、缓冲层、n型dbr、n+型下限制层、有源层、p+型上限制层、p型窗口层。
5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述砷化镓衬底层为半绝缘，所述缓冲层厚度为1μm；所述未掺杂的宽禁带隔离层厚度为16nm；所述高掺杂的宽禁带层厚度为55nm，所述高掺杂盖层厚度为5nm。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷述宇，
申请(专利权)人：宁波飞芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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