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本申请公开一种用于制作集成LED和HEMT的外延结构的制作方法，所述方法包括如下步骤：生长LED外延结构；刻蚀截止层；生长HEMT外延结构；制备HEMT电极；制备LED区域台面，制备所述LED器件的P面电极与N面电极，电连接HEMT与LED...
该专利属于宁波飞芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波飞芯电子科技有限公司授权不得商用。

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