一种OLED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板，该OLED显示面板包括：透明衬底，所述透明衬底包括像素区和非像素区，所述透明衬底的像素区之上设置有有机薄膜晶体管和堆叠于有机薄膜晶体管之上的有机发光模组；本发明专利技术还公开了该OLED显示面板的制备方法，通过利用所包括的复数层膜层中至少部分为透明有机膜层的有机薄膜晶体管驱动OLED，从而进一步提高显示面板的透过率。

OLED display panel and preparation method thereof

The invention relates to the field of semiconductor manufacturing technology, especially relates to a OLED display panel, the OLED display panel includes a transparent substrate, wherein the transparent substrate includes a pixel region and a non pixel region on the pixel region of the transparent substrate is provided with a transistor and stacked organic thin film on the organic thin film transistor organic light emitting module of the invention; the invention also discloses the preparation method of OLED display panel, at least in part through the use of complex film layer includes the organic thin film transistor for transparent organic film drive OLED, so as to further improve the transmittance of display panel.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示面板及其制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
技术介绍
目前，据估计，透明显示器市值可达1亿美元，十年后将跳增至870亿美元，每年将以近两倍的速度增长。其应用领域包含多个方面：如透明手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、电视、广告牌、窗户(建筑、汽车、飞机)等，但其透过率很少超过50％的，但目前市场最好的透过率为40％-50％，还有待进一步提高。常见顶发光(TOP)结构的AMOLED各层透过率如表一所示：表一由表一可知，影响透过率的因素主要有TFT(薄膜晶体管)、OLED的阳极和OLED阴极。另外，AMOLED面板的RGB子像素的开口率之和一般低于20％，其余位置大多被TFT以及电路所覆盖，其面积占整个面板的60-80％，如表二所示：表二常见的透明OLED技术主要分为以下几种：第一种，降低显示面板的分辨率，从而将面板分为像素区和非像素区，如图1a所示，像素区由TFT电路和OLED构成，由于TFT不透明，整个像素区是不透光的；如图1b所示，非像素区除去PLN(平坦化层)/PDL(像素定义层)之后由于镀有OLED的有机层和阴极，因此为半透明的(如图2a所示的结构)。第二种，在第一种技术上，阴极Finemetalmask(FFM)蒸镀，进一步提高非像素区的透明度(如图2b所示的结构)；第三种，减少TFT的个数，将TFT由目前的7T1C改为4T1C甚至2T1C，但是会影响OLED显示效果；第四种，将顶发射OLED改为底发射OLED，透过率虽有些上升，但TFT电路和布线处仍不透光，透明度提升有限，且会造成OLED效率和NTSC的下降，影响OLED使用寿命和画质；尽管如此，TFT仍然是制约透明度进一步提升的瓶颈，这是本领域技术人员所不愿看到的。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开一种OLED显示面板，包括：透明衬底，包括像素区和非像素区；薄膜晶体管，设置于所述透明衬底的所述像素区之上；以及有机发光模组，与所述薄膜晶体管连接，且所述有机发光模组堆叠于所述薄膜晶体管之上；其中，所述薄膜晶体管包括复数层膜层，且所述复数层膜层中至少部分为透明有机膜层。上述的OLED显示面板，其中，所述薄膜晶体管包括：栅极，设置于所述透明衬底的所述像素区之上；有机绝缘层，覆盖所述栅极暴露的表面；有机半导体有源层，位于所述有机绝缘层之上；以及保护层，位于所述有机绝缘层之上，且将所述有机半导体有源层暴露的表面予以覆盖。上述的OLED显示面板，其中，所述薄膜晶体管还包括：源极和漏极，分别位于所述有机半导体有源层的两侧；接触孔，设置于所述保护层中以将所述漏极和所述有机发光模组电极连接。上述的OLED显示面板，其中，所述有机绝缘层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇和聚乙烯基苯酚中的一种或两种以上的混合物。上述的OLED显示面板，其中，所述有机半导体有源层的材质为有机小分子材料、酞菁类金属配合物或聚合物。上述的OLED显示面板，其中，所述有机发光模组按照从下至上的顺序依次包括阳极、有机功能层和阴极。上述的OLED显示面板，其中，所述有机功能层可依据设计不同，选择性的包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的全部或部分。上述的OLED显示面板，其中，所述透明衬底为透明玻璃或柔性衬底。上述的OLED显示面板，其中，所述OLED显示面板还包括用于封装所述有机发光模组的封装结构。上述的OLED显示面板，其中，所述封装结构为玻璃盖板或薄膜封装结构。本专利技术还公开了一种OLED显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供一透明衬底，所述透明衬底包括像素区和非像素区；于所述透明衬底的所述像素区上形成薄膜晶体管；于所述透明衬底的所述像素区上形成与所述薄膜晶体管连接的有机发光模组；其中，所述薄膜晶体管包括复数层膜层，且所述复数层膜层中至少部分为透明有机膜层。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，于所述透明衬底的所述像素区之上形成所述薄膜晶体管的步骤包括：于所述透明衬底的所述像素区之上形成栅极；形成有机绝缘层以将所述栅极暴露的表面予以覆盖；于所述有机绝缘层之上形成有机半导体有源层；于所述有机半导体有源层的两侧分别形成源极和漏极；于所述有机绝缘层之上形成保护层以将所述有机半导体有源层、所述源极和漏极暴露的表面均予以覆盖；以及于所述保护层中形成接触孔以将所述漏极和所述有机发光模组电极连接。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，所述有机绝缘层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇和聚乙烯基苯酚中的一种或两种以上的混合物。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，所述有机半导体有源层的材质为有机小分子材料、酞菁类金属配合物或聚合物。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，于所述薄膜晶体管之上形成所述有机发光模组的步骤具体为：于所述薄膜晶体管之上按照从下至上的顺序依次形成阳极、有机功能层和阴极；其中，所述有机功能层可依据设计不同，选择性的包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的全部或部分。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，所述透明衬底为透明玻璃或柔性衬底。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，所述方法还包括于所述透明衬底之上形成封装结构以将所述有机发光模组予以封装的步骤。上述的OLED显示面板的制备方法，其中，所述封装结构为玻璃盖板或薄膜封装结构。上述专利技术具有如下优点或者有益效果：本专利技术公开了一种OLED显示面板及其制备方法，通过利用所包括的复数层膜层中至少部分为透明有机膜层的有机薄膜晶体管驱动OLED，从而进一步提高显示面板的透过率。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1a是本专利技术
技术介绍
中OLED像素区的示意图；图1b是本专利技术
技术介绍
中OLED非像素区的示意图；；图2a是阴极为共同层的OLED示意图；图2b是阴极不为共同层的OLED示意图；图3是本专利技术实施例中OLED显示面板的结构示意图；图4是本专利技术实施例中OLED显示面板的制备方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。本专利技术公开一种OLED显示面板，包括像素区和非像素区的透明衬底、设置于透明衬底的像素区之上的薄膜晶体管(TFT)、与薄膜晶体管连接的有机发光模组，且该有机发光模组堆叠于薄膜晶体管之上；其中，薄膜晶体管包括复数层膜层，且复数层膜层中至少部分为透明有机膜层，即薄膜晶体管为有机薄膜晶体管(OTFT)，该有机薄膜晶体管全部或部分采用有机材料以提高OLED显示面板的透过率。在本专利技术一个优选的实施例中，上述薄膜晶体管包括设置于透明衬底的像素区之上的栅极、覆盖栅极暴露的表面的有机绝缘层，位于有机绝缘层之上的有机半导体有源层以及位于有机绝缘层之上，且将有机半导体有源层暴露的表面予以覆盖的保护层。在此基础上，进一步的，上述薄膜晶体管还包括：分别位于有机半导体有源层两侧的源极和漏极以及设置于保护层中以将漏极和有机发光模组电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示面板，其特征在于，包括：透明衬底，包括像素区和非像素区；薄膜晶体管，设置于所述透明衬底的所述像素区之上；以及有机发光模组，与所述薄膜晶体管连接，且所述有机发光模组堆叠于所述薄膜晶体管之上；其中，所述薄膜晶体管包括复数层膜层，且所述复数层膜层中至少部分为透明有机膜层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：透明衬底，包括像素区和非像素区；薄膜晶体管，设置于所述透明衬底的所述像素区之上；以及有机发光模组，与所述薄膜晶体管连接，且所述有机发光模组堆叠于所述薄膜晶体管之上；其中，所述薄膜晶体管包括复数层膜层，且所述复数层膜层中至少部分为透明有机膜层。2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极，设置于所述透明衬底的所述像素区之上；有机绝缘层，覆盖所述栅极暴露的表面；有机半导体有源层，位于所述有机绝缘层之上；以及保护层，位于所述有机绝缘层之上，且将所述有机半导体有源层暴露的表面予以覆盖。3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：源极和漏极，分别位于所述有机半导体有源层的两侧；接触孔，设置于所述保护层中以将所述漏极和所述有机发光模组电极连接。4.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机绝缘层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇和聚乙烯基苯酚中的一种或两种以上的混合物。5.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机半导体有源层的材质为有机小分子材料、酞菁类金属配合物或聚合物。6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机发光模组按照从下至上的顺序依次包括阳极、有机功能层和阴极。7.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的全部或部分。8.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透明衬底为透明玻璃或柔性衬底。9.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括用于封装所述有机发光模组的封装结构。10.如权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于，所述封装结构为玻璃盖板或薄膜封装结构。11.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：牟鑫，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31