阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述阵列基板包括衬底基板。所述衬底基板具有显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域。所述周边区域包括至少一个对位标记区域。所述阵列基板还包括：在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上的对位标记；在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上且位于所述对位标记之间的辅助对位标记；以及覆盖所述衬底基板和所述对位标记的第一介质层。所述至少一个对位标记区域中的至少一个中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层中的凹陷。

Array substrate and its preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术的实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
制作显示装置时通常包括使用掩模板来进行曝光、显影等。此时，掩模板需要与显示装置的基板进行精确地对位，从而进行各种膜层的制作，由此获得最终产品。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能够改善因前层对位标记受损而造成的后续膜层对位失准。根据本专利技术的一方面，提供一种阵列基板。所述阵列基板包括：衬底基板，其具有显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，其中所述周边区域包括至少一个对位标记区域；在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上的对位标记；在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上且位于所述对位标记之间的辅助对位标记；以及覆盖所述衬底基板和所述对位标记的第一介质层。所述至少一个对位标记区域中的至少一个中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层中的凹陷。在本专利技术的实施例中，所述阵列基板还包括在所述对位标记区域内的位于所述第一介质层上的第二介质层。所述第二介质层具有暴露所述第一介质层的第一开口，所述第一开口的底部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述辅助对位标记在所述衬底基板上的正投影。在本专利技术的实施例中，所述第一开口具有台阶状的侧壁。在本专利技术的实施例中，所述阵列基板还包括在所述对位标记区域内的覆盖所述凹陷、所述第一介质层和所述第二介质层的第一导电层。在本专利技术的实施例中，所述至少一个对位标记区域包括第一对位标记区域和第二对位标记区域。所述第一对位标记区域中的所述辅助对位标记包括所述凹陷。所述第二对位标记区域中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层上的凸起。在本专利技术的实施例中，所述第一对位标记区域与所述第二对位标记区域不相邻。在本专利技术的实施例中，所述对位标记与所述显示区域中的薄膜晶体管的栅极同层设置。所述第一介质层包括栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层上的钝化层。在本专利技术的实施例中，所述第一导电层与所述显示区域中的公共电极同层设置。在本专利技术的实施例中，所述凸起与所述显示区域中的公共电极同层设置。根据本专利技术的一方面，还提供了一种包括如上所述的阵列基板的显示装置。根据本专利技术的一方面，还提供了一种制备阵列基板的方法。所述方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板具有显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，其中所述周边区域包括对个对位标记区域；在所述对位标记区域内在所述衬底基板上形成对位标记；形成覆盖所述衬底基板和所述对位标记的第一介质层；以及在所述对位标记区域内在所述衬底基板上且在所述对位标记之间形成辅助对位标记。所述至少一个对位标记区域中的至少一个中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层中的凹陷。在本专利技术的实施例中，形成所述凹陷包括：在形成所述第一介质层之后，构图所述第一介质层以在所述第一介质层中形成所述凹陷。在本专利技术的实施例中，所述方法还包括：在所述对位标记区域内在所述第一介质层上形成第二介质层；以及构图所述第二介质层以在第二介质层中形成暴露所述第一介质层的第一开口。所述第一开口的底部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述辅助对位标记在所述衬底基板上的正投影。在本专利技术的实施例中，所述第一开口具有台阶状的侧壁。在本专利技术的实施例中，通过半色调掩模构图所述第二介质层。在本专利技术的实施例中，所述方法还包括在所述对位标记区域内形成覆盖所述凹陷、所述第一介质层和所述第二介质层的第一导电层。在本专利技术的实施例中，所述至少一个对位标记区域包括第一对位标记区域和第二对位标记区域。所述第一对位标记区域中的所述辅助对位标记包括所述凹陷。所述第二对位标记区域中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层上的凸起。在本专利技术的实施例中，所述第一对位标记区域与所述第二对位标记区域不相邻。在本专利技术的实施例中，形成所述对位标记包括：在所述衬底基板上形成第二导电层；构图所述第二导电层以在所述显示区域内形成薄膜晶体管的栅极和在所述标记区域内形成所述对位标记。形成所述第一介质层包括：形成覆盖所述衬底基板和所述对位标记的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上形成钝化层。在本专利技术的实施例中，构图所述第二导电层还包括在所述周边区域形成第一布线。构图所述第一介质层还包括形成暴露所述第一布线的第二开口。在本专利技术的实施例中，形成所述凸起包括构图所述第一导电层以形成所述凸起和位于所述显示区域中的公共电极。适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。附图说明本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：图1示意性示出了一种显示基板的横截面图；图2示出了对位标记区域中的部分对位标记的平面示意图；图3示意性示出了对位标记区域中的部分对位标记区域的横截面结构图；图4示意性示出了对位标记区域中的部分对位标记区域的横截面结构图；图5示出了对位标记区域中的部分对位标记的平面示意图；图6示意性地示出了根据本专利技术的实施例的阵列基板的横截面结构图；图7示意性地示出了根据本专利技术的实施例的对位标记区域中的第一对位标记区域的横截面结构图；图8示意性地示出了根据本专利技术的实施例的对位标记区域中的第二对位标记区域的横截面结构图；图9示出了根据本专利技术的实施例的对位标记区域中的部分对位标记的平面示意图；以及图10示出了根据本专利技术的实施例的制备阵列基板的方法的流程图。贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。具体实施方式首先，需要说明的是，除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中另有说明。在本文中使用术语“实例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。另外，还需要说明的是，当介绍本申请的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素；除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素；术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。此外，在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。应当理解的是，当提到层、区域、或组件在别的部分“上”时，指其直接位于别的部分上，或者也可能有别的组件介于其间。相反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：/n衬底基板，其具有显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，其中所述周边区域包括至少一个对位标记区域；/n在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上的对位标记；/n在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上且位于所述对位标记之间的辅助对位标记；以及/n覆盖所述衬底基板和所述对位标记的第一介质层，/n其中，所述至少一个对位标记区域中的至少一个中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层中的凹陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：
衬底基板，其具有显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，其中所述周边区域包括至少一个对位标记区域；
在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上的对位标记；
在所述对位标记区域内的位于所述衬底基板上且位于所述对位标记之间的辅助对位标记；以及
覆盖所述衬底基板和所述对位标记的第一介质层，
其中，所述至少一个对位标记区域中的至少一个中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层中的凹陷。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括在所述对位标记区域内的位于所述第一介质层上的第二介质层，
其中，所述第二介质层具有暴露所述第一介质层的第一开口，所述第一开口的底部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述辅助对位标记在所述衬底基板上的正投影。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口具有台阶状的侧壁。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，还包括在所述对位标记区域内的覆盖所述凹陷、所述第一介质层和所述第二介质层的第一导电层。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一个对位标记区域包括第一对位标记区域和第二对位标记区域，
所述第一对位标记区域中的所述辅助对位标记包括所述凹陷，
其中，所述第二对位标记区域中的所述辅助对位标记包括位于所述第一介质层上的凸起。


6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一对位标记区域与所述第二对位标记区域不相邻。


7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述对位标记与所述显示区域中的薄膜晶体管的栅极同层设置，
所述第一介质层包括栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层上的钝化层。


8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层与所述显示区域中的公共电极同层设置。


9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起与所述显示区域中的公共电极同层设置。


10.一种显示装置，包括根据权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。


11.一种制备阵列基板的方法，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，其中所述周边区域包括至少一个对位标记区域；
在所述对位标记区域内在所述衬底基板上形成对位标记；
形成覆盖所述衬底基板和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马涛，焦超，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34