【技术实现步骤摘要】
OLED显示装置及TFT阵列基板的制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示装置及TFT阵列基板的制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。目前的OLED像素驱动电路中，一般采用顶栅自对准型非晶氧化物TFT构成的3T1C(即三个薄膜晶体管加一个电容的结构)电路来驱动OLED发光，但由于非晶氧化物对短波光非常敏感，器件的阈值电压会在光照的作用下减小，从而严重影响OLED的发光强度，因此制作背板时会先沉积金属遮光层保护TFT(薄膜晶体管)器件不受底部环境光影响。然而单纯引入遮光层增加了额外的黄光制程，却不能增大器件的开态电流。因此，现有的OLED显示装置及TFT阵列基板的制备方法采用3T1C像素电路时，使用顶栅自对准型非晶氧化物TFT结构会引入遮光层，增...
【技术保护点】
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括OLED像素驱动电路，所述OLED像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(Cst)以及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极接入电源电压(Vdd)，源极电性连接所述有机发光二极管的阳极；所述有机发光二极管的阴极接入公共接地电压；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan 1)，漏极接入数据信号线(Data)，源极与所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极以及所述存储电容(Cst)的一端电性连接；所述存储电容(Cst)的另一端电性连接所述第一薄膜晶体管(T1)...
【技术特征摘要】
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括OLED像素驱动电路，所述OLED像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(Cst)以及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极接入电源电压(Vdd)，源极电性连接所述有机发光二极管的阳极；所述有机发光二极管的阴极接入公共接地电压；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，漏极接入数据信号线(Data)，源极与所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极以及所述存储电容(Cst)的一端电性连接；所述存储电容(Cst)的另一端电性连接所述第一薄膜晶体管(T1)的源极；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接所述第一薄膜晶体管(T1)的源极，漏极电性连接电路开关(K)；
其中，所述第一薄膜晶体管(T1)为双栅氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)均为顶栅自对准氧化物薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)均同层设置于一基板上。
3.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述双栅氧化物薄膜晶体管包括：所述基板；形成于所述基板上方的第一底栅电极；形成于所述第一底栅电极上方的缓冲层；形成于所述缓冲层上方的第一半导体层；形成于所述第一半导体层上方的第一栅极绝缘层；形成于所述第一栅极绝缘层上方的第一顶栅电极；形成于所述缓冲层上并完全覆盖所述第一半导体层、所述第一栅极绝缘层以及所述第一顶栅电极的层间绝缘层；形成于所述层间绝缘层上的第一源极金属层以及第一漏极金属层；形成于所述层间绝缘层上并完全覆盖所述第一源极金属层以及所述第一漏极金属层的钝化层；所述双栅薄膜晶体管还包括第一像素电极以及第二像素电极，所述第一像素电极以及所述第二像素电极形成于所述钝化层上。
4.根据权利要求3所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一像素电极经由第一过孔与所述第一底栅电极电性连接，所述第一像素电极还经由第二过孔与所述第一顶栅电极电性连接；所述第二像素电极经由第三过孔与所述第一漏极金属层电性连接；所述第一源极金属层以及所述第一漏极金属层经由第四过孔与所述第一半导体层电性连接。
5.根据权利要求3所述的OLED显示装置，其特征在于，所述顶栅自对准氧化物薄膜晶体管包括：所述基板、形成于所述基板上方的遮光层、所述缓冲层；形成于所述缓冲层上方的第二半导体层、形成于所述第二半导体层上方的第二栅极绝缘层、形成于所述第二栅极绝缘层上方的第二顶栅电极、所述层间绝缘层、形成于所述层间绝缘层上的第二源极金属层以...
【专利技术属性】
技术研发人员：张乐陶，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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