阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管和多条数据线，所述数据线与所述源极异层设置，且所述数据线与相应的源极电连接，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，且所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围，所述源极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分上，所述漏极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的另一部分上。本公开还提供一种显示装置和一种阵列基板的制造方法。所述阵列基板的制造方法步骤简单、需要用到的掩膜板数量少，从而简化了制造工艺，降低了所述阵列基板的制造成本。

Array substrate and its manufacturing method and display device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本公开涉及显示设备领域，具体地，涉及一种阵列基板、一种阵列基板的制造方法和一种显示装置。
技术介绍
氧化物薄膜晶体管由于电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被越来越广泛地应用于各种电子设备中。根据有源层材料的不同，薄膜晶体管又可以分为多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。顾名思义，氧化物薄膜晶体管的有源层是由氧化物制成的。为了避免制备过程中对有源层造成损伤，通常，氧化物薄膜晶体管的有源层上设置有刻蚀阻挡层。由于增设了刻蚀阻挡层，制造包括所述薄膜晶体管的阵列基板的工艺复杂程度增加，从而增加了制造成本。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种阵列基板的制造方法、由该制造方法制得的阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板。所述阵列基板中，薄膜晶体管的有源层既能够得到很好的保护，所述阵列基板的制造方法又相对简单，可以降低所述阵列基板的制造成本。为了实现上述目的，作为本公开的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板多个薄膜晶体管和多条数据线，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极，所述栅极、所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述源极依次设置在所述衬底基板上，所述数据线与所述源极异层设置，且所述数据线与相应的源极电连接，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，且所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围，所述源极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分上，所述漏极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的另一部分上。可选地，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层上形成有数据线过孔，所述数据线过孔沿厚度方向贯穿所述钝化层，所述数据线通过所述数据线过孔与相应的源极电连接。可选地，所述源极与所述漏极同层设置，所述阵列基板还包括像素电极，所述钝化层上形成有像素电极过孔，所述像素电极过孔沿厚度方向贯穿所述钝化层，所述像素电极通过所述像素电极过孔与相应的漏极电连接。可选地，所述数据线和所述像素电极同层设置，且均由透明电极材料制成。可选地，所述阵列基板还包括设置在所述有源层和所述栅极之间的栅绝缘层，所述源极的一部分搭接在所述有源层上，所述源极的另一部分搭接在所述栅绝缘层上，和/或所述漏极的一部分搭接在所述有源层上，所述漏极的另一部分搭接在所述栅绝缘层上。可选地，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。作为本公开的第二个方面，提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括本公开所提供的上述阵列基板。作为本公开的第三个方面，提供一种阵列基板的制造方法，其中，所述制造方法包括：在衬底基板上形成包括栅极的图形；利用灰色调掩模板形成包括组合结构的图形，所述组合结构与所述栅极绝缘间隔，所述组合结构包括沿远离所述栅极的方向依次层叠的有源层、刻蚀阻挡层和第一掩膜图形，所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围；形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形与所述第一掩膜图形以及所述刻蚀阻挡层共同限定源极通孔和漏极通孔，所述源极通过和所述漏极通孔的底部为所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分；在所述源极通孔形成源极，在所述漏极通孔中形成漏极；形成包括数据线的图形，所述数据线与源极电连接，且所述数据线与所述源极异层设置。可选地，形成包括组合结构的图形的步骤包括：形成组合材料层，所述组合材料层包括半导体材料层和刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层位于所述半导体材料层远离所述栅极的一侧；形成由所述第一光刻胶材料制成的第一光刻胶层；利用所述灰色调掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光，获得第一初始掩膜图形，所述第一初始掩膜图形包括刻蚀阻挡部和位于所述刻蚀阻挡部的两侧的灰化部，所述刻蚀阻挡部的厚度大于所述灰化部的厚度；对所述组合材料层进行刻蚀，以获得初始组合图形，所述初始组合图形的边缘与所述灰化部的边缘对齐；执行灰化步骤，以去除所述灰化部，以及所述初始组合图形中与所述灰化部对应的部分，并获得所述第一掩膜图形和所述组合结构。可选地，形成第二掩膜图形的步骤包括：形成由所述第二光刻胶材料制成的第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光显影，以获得所述第二掩膜图形。可选地，所述第一光刻胶材料为正性光刻胶，所述第二光刻胶材料为负性光刻胶，所述刻蚀阻挡层沿预定方向的尺寸与所述有源层的沟道部沿所述预定方向的尺寸相同，以将所述有源层分源极部、漏极部、以及位于所述源极部和所述漏极部之间的沟道部，所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道部；利用所述第二光刻胶层进行曝光显影，以获得第二掩膜图形包括：利用光从衬底基板背离包括所述栅极的图形的一侧进行照射，以利用包括所述栅极的图形为掩膜对所述第二光刻胶材料层进行曝光；对曝光后的第二光刻胶材料层进行显影，以获得所述第二掩膜图形，其中，所述源极过孔的底部为所述源极部，所述漏极过孔的底部为所述漏极部。可选地，所述制造方法还包括在所述在所述源极通孔形成源极、在所述漏极通孔中形成漏极的步骤以及所述形成包括数据线的图形的步骤之间进行的：剥离所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形；形成钝化材料层；对所述钝化材料层进行图形化，以获得数据线过孔和像素电极过孔，所述数据线过孔沿厚度方向贯穿所述钝化材料层，并到达所述源极，所述像素电极过孔沿厚度方向贯穿所述钝化材料层，并到达所述漏极；所述制造方法还包括在对所述钝化材料层进行图形化的步骤之后进行的：形成包括像素电极的图形；其中，所述数据线通过所述数据线过孔与所述源极电连接，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏极电连接。可选地，形成包括数据线的图形的步骤与形成包括像素电极的图形的步骤同步进行，且所述数据线与所述像素电极均由透明电极材料制成。可选地，所述有源层由铟镓锌氧化物制成。附图说明附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：图1是相关技术中阵列基板中，具有刻蚀阻挡层的薄膜晶体管的示意图；图2是本公开所提供的阵列基板的一种实施方式的一部分的示意图；图3是本公开所提供的制造方法的一种实施方式的流程图；图4是步骤S120的一种实施方式的流程图；图5是步骤S132的一种实施方式的流程图；图6是步骤S132的一种实施方式的流程图；图7是步骤S140和步骤S150之间的步骤的示意图；图8是展示步骤S110后获得的结构的示意图；图9是展示执行步骤S123时，掩膜板和组合材料层的位置关系的示意图；图10是展示步骤S124后获得的结构的示意图；图11是展示步骤S125后获得的结构的示意图；图12是展示执行步骤S132a时，光照方向和衬底基板的位置关系的示意图；图13是展示步骤S132b后获得的结构的示意图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、多个薄膜晶体管和多条数据线，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极，所述栅极、所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述源极依次设置在所述衬底基板上，所述数据线与所述源极异层设置，且所述数据线与相应的源极电连接，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，且所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围，所述源极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分上，所述漏极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的另一部分上。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、多个薄膜晶体管和多条数据线，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极，所述栅极、所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述源极依次设置在所述衬底基板上，所述数据线与所述源极异层设置，且所述数据线与相应的源极电连接，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，且所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围，所述源极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分上，所述漏极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的另一部分上。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层上形成有数据线过孔，所述数据线过孔沿厚度方向贯穿所述钝化层，所述数据线通过所述数据线过孔与相应的源极电连接。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极与所述漏极同层设置，所述阵列基板还包括像素电极，所述钝化层上形成有像素电极过孔，所述像素电极过孔沿厚度方向贯穿所述钝化层，所述像素电极通过所述像素电极过孔与相应的漏极电连接。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和所述像素电极同层设置，且均由透明电极材料制成。


5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述有源层和所述栅极之间的栅绝缘层，所述源极的一部分搭接在所述有源层上，所述源极的另一部分搭接在所述栅绝缘层上，和/或所述漏极的一部分搭接在所述有源层上，所述漏极的另一部分搭接在所述栅绝缘层上。


6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。


7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。


8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底基板上形成包括栅极的图形；
利用灰色调掩模板形成包括组合结构的图形，所述组合结构与所述栅极绝缘间隔，所述组合结构包括沿远离所述栅极的方向依次层叠的有源层、刻蚀阻挡层和第一掩膜图形，所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围；
形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形与所述第一掩膜图形以及所述刻蚀阻挡层共同限定源极通孔和漏极通孔，所述源极通过和所述漏极通孔的底部为所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分；
在所述源极通孔形成源极，在所述漏极通孔中形成漏极；
形成包括数据线的图形，所述数据线与源极电连接，且所述数据线与所述源极异层设置。


9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成包括组合结构的图形的步骤包括：
形成组合材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王登峰，杨海鹏，周茂秀，芮洲，陈琳，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34