一种OLED显示面板及其制备方法、显示器技术

本发明专利技术提供了一种OLED显示面板及其制备方法、显示器，该方法包括在第一基板的表面形层多个膜层，多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于缓冲层上的半导体氧化物图案层；在多个膜层上设置第二基板；在第一基板的底面形成遮光层，遮光层与半导体氧化物图案层对应设置的方法，将遮光层设置于第一基板的底面，在对半导体氧化物图案层进行遮光的同时，去除了现有技术中的金属遮光层，避免了金属遮光层产生的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示面板及其制备方法、显示器
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示器。
技术介绍
目前，由于顶栅结构的半导体氧化物TFT具有较小的寄生电容，TFT尺寸可以较小，成为OLED驱动的较好选择，但是半导体氧化物在被外界光照射的情况下会改变其特性，降低TFT功能。现有技术中，一般在TFT沟道层与半导体氧化物相对应的位置设置一层金属遮光层，以防止外界光照射半导体氧化物，但是金属遮光层会与TFT产生额外的寄生电容从而影响TFT的功能。
技术实现思路
本专利技术主要提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示器，旨在解决金属遮光层的存在会产生寄生电容的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种OLED显示面板的制备方法，该方法包括：在第一基板的表面形层多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；在所述多个膜层上设置第二基板；在所述第一基板的底面形成遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，该显示面板包括：第一基板，所述第一基板的表面有多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；第二基板，设置于所述多个膜层上；其中，所述第一基板的底面设有遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，该显示器包括上述的显示面板。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过在第一基板的表面形层多个膜层，多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于缓冲层上的半导体氧化物图案层；在多个膜层上设置第二基板；在第一基板的底面形成遮光层，遮光层与半导体氧化物图案层对应设置的方法，将遮光层设置于第一基板的底面，在对半导体氧化物图案层进行遮光的同时，去除了现有技术中的金属遮光层，避免了金属遮光层产生的寄生电容。附图说明图1是本专利技术OLED显示面板的制备方法实施例的流程示意图；图2是图1中各步骤制备而成的OLED显示面板实施例的结构示意图；图3是图1中步骤S11的具体流程示意图；图4是图3中步骤S113的具体流程示意图；图5是图3中步骤S114的具体流程示意图；图6是图1中步骤S13的一具体流程示意图；图7是图6中薄膜层的结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种OLED显示面板及其制备方法、显示器做进一步详细描述。参阅图1和图2，本专利技术提供的OLED显示面板的制备方法实施例包括：S11：在第一基板10的表面形成多个膜层；其中，多个膜层包括位于底层的缓冲层101和设于缓冲层101上的半导体氧化物图案层102。参阅图3，该步骤S11可具体包括：S111：在第一基板10的表面形成依次层叠的缓冲层101及半导体氧化物图案层102；具体地，将第一基板10清洗干净之后，可使用物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在第一基板10上沉积一层氧化硅层作为缓冲层，或者先沉积一层氮化硅层，然后在氮化硅层上继续沉积一层氧化硅层以共同作为缓冲层101；进而在缓冲层101上沉积半导体氧化物层，经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，形成图案化的半导体氧化物层，即为半导体氧化物图案层102。其中，半导体氧化物图案层102包括第一部分1021及与第一部分1021相邻的第二部分1022，在本实施例图示中，第二部分1022位于第一部分1021相对的两侧。可选的，第一基板10为玻璃基板或硅片基板，半导体氧化物为IGZO，即铟镓锌氧化物。S112：在半导体氧化物图案层102上形成依次层叠的栅极绝缘层103和栅极图案层104；可选的，在缓冲层101上沉积一层覆盖半导体氧化物图案层102的氧化硅层，经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，在半导体氧化物图案层102上形成与半导体氧化物图案层102的第一部分1021相对设置的栅极绝缘层103；然后在沉积一层金属层，经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，形成图案化的金属层以作为栅极图案层104。可选的，金属层为钼、铝或铜金属层。进一步地，对半导体氧化物图案层102进行退火处理，可使用氢气等离子或氩气等离子的退火方式对半导体氧化物图案层102进行退火处理，以在退火过程中，使得半导体氧化物图案层102的第二部分1022具有导体特性，第一部分1021与栅极绝缘层103相对设置而被栅极绝缘层103保护以在退火之后仍然保留半导体特性，当然，使得半导体氧化物图案层102的第二部分1022具有导体特性的退火处理也可以在其他步骤中进行，在此不作限定。S113：形成与半导体氧化物图案层102接触的源极图案层105和漏极图案层106。参阅图4，该步骤S113可具体包括：S1131：在缓冲层101上形成覆盖半导体氧化物图案层102、栅极绝缘层103及栅极图案层104的介电层107；具体地，可使用物理气相沉积法或化学气相沉积法在缓冲层101形成覆盖半导体氧化物图案层102、栅极绝缘层103及栅极图案层104的介电层107，该介电层107可以是氧化硅或氮化硅的单层结构，也可以是包括氧化硅及氮化硅的双层结构。S1132：开设贯穿介电层107且连通半导体氧化物图案层102的第一接触孔1071；具体地，在介电层107上通过光阻涂布、曝光之后形成图案化的接触孔，然后对该图案化的接触孔进行蚀刻，在剥离之后即可得到第一接触孔1071。其中，在本实施例中，第一接触孔1071连通半导体氧化物图案层102的第二部分1022。S1133：在介电层107上通过第一接触孔1071形成与半导体氧化物图案层102接触的源极图案层105和漏极图案层106。具体地，在介电层107上及第一接触孔1071中沉积金属，形成金属层，然后在沉积的金属层上沉积光阻层，再进行曝光、显影、刻蚀和剥离的制程，以得到图案化的金属层作为源极图案层105和漏极图案层106，由于第一接触孔1071与半导体氧化物图案层102的第二部分1022连通，以使得源极图案层105和漏极图案层106与半导体氧化物图案层102的第二部分1022接触。S114：形成与源极图案层105或漏极图案层106电连接的第一电极图案层108；参阅图5，该步骤S114可具体包括：S1141：在介电层107上形成依次层叠的保护层109及平坦层110；其中，在保护层109上设有彩色滤光层1091，平坦层110设置于保护层109上且覆盖彩色滤光层1091。S1142：开设贯穿保护层109及平坦层110且连通源极图案层105或漏极图案层106的第二接触孔1101；具体地，在平坦层110上与源极图案层105或漏极图案层106相对应的位置通过光阻涂布、曝光之后形成图案化的接触孔，然后蚀刻该图案化的接触孔至源极图案层105或漏极图案层106，在剥离之后即可得到与源极图案层105或漏极图案层106连通的第二接触孔1101。S1143：在平坦层110上通过第二接触孔1101形成与源极图案层105或漏极图案层106电连接的第一电极图案层108。具体地，可使用物理气相沉积法在平坦层110上及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在第一基板的表面形层多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；在所述多个膜层上设置第二基板；在所述第一基板的底面形成遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在第一基板的表面形层多个膜层，所述多个膜层包括位于底层的缓冲层和设于所述缓冲层上的半导体氧化物图案层；在所述多个膜层上设置第二基板；在所述第一基板的底面形成遮光层，所述遮光层与所述半导体氧化物图案层对应设置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的底面形成遮光层包括：在所述第一基板的底面印刷吸光材料以形成所述遮光层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的底面形成遮光层包括：形成具有吸光材料的薄膜层，并将所述薄膜层贴附于一偏光片上；将所述偏光片贴附于所述第一基板底面，并使得所述薄膜层具有所述吸光材料的位置与所述半导体氧化物图案层对应设置。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一基板的表面形层多个膜层包括：在所述第一基板的表面形成依次层叠的缓冲层及半导体氧化物图案层；在所述半导体氧化物图案层上形成依次层叠的栅极绝缘层和栅极图案层；形成与所述半导体氧化物图案层接触的源极图案层和漏极图案层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成与所述半导体氧化物图案层接触的源极图案层和漏极图案层包括：在所述缓冲层上形成覆盖所述半导体氧化物图案层、所述栅极绝缘层及所述栅极图案层的介电层；开设贯穿所述介电层且连通所述半导体氧化物图案层的第一接触孔；在所述介电层上通过所述第一接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44