一种阵列基板及其制作方法、显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。该阵列基板包括基板以及依序叠置在所述基板之上的多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极、第一间绝缘层、第二间绝缘层，以及设置在所述第二间绝缘层之上的源极和漏极；其中，所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面，使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面，所述源极远离基板一侧为一平面，且所述漏极远离基板一侧也为一平面。通过上述方式，能够减少寄生电容，保证电信号传输的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
技术介绍
目前，液晶显示面板以低温多晶硅技术(英文：LowTemperaturePoly-silicon，简称：LTPS)类型为主流。如图1所示，LTPS液晶显示面板需要在基板上叠置多晶硅(英文：poly)沟道层11、栅极12、用于将栅极12与源极13和漏极14绝缘的间绝缘层15，再在间绝缘层15上设置源极13和漏极14。由于多晶硅沟道层11和栅极12具有一定膜厚，导致间绝缘层所处的面为不平的，且现有间绝缘层的制膜通常采用化学气相沉积(英文：ChemicalVaporDeposition，简称：CVD)制得一定厚度的膜，故导致间绝缘层顶层也为不平整，进而导致设置在间绝缘层上的源极和漏极均是不平的。而源极和漏极的该不平整结构会影响其电性，产生更多的寄生电容，导致影响电信号传输不稳，影响器件性能。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，能够减少寄生电容，保证电信号传输的稳定性。本申请第一方面提供一种阵列基板，包括基板以及依序叠置在所述基板之上的多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极、第一间绝缘层、第二间绝缘层，以及设置在所述第二间绝缘层之上的源极和漏极；所述栅绝缘层将所述多晶硅沟道层和栅极绝缘，所述源极和所述漏极均通过所述第二间绝缘层、第一间绝缘层、栅绝缘层与所述多晶硅沟道层连接，进而与所述栅极形成薄膜晶体管；其中，所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面，使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面，所述源极远离基板一侧为一平面，且所述漏极远离基板一侧也为一平面。其中，所述第一间绝缘侧和所述第二间绝缘层的其中之一为氧化硅绝缘层，另一个为氮化硅绝缘层。其中，所述基板上还叠置有遮光层、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层均位于所述遮光层与所述多晶硅沟道层之间。其中，所述栅极、多晶硅沟道层均相对所述遮光层设置。其中，所述栅极由钼层形成；所述源极和漏极均由钼层、铝层、钼层叠置形成，或者所述源极和漏极均由钼层、第一铜层、第二铜层、钼层叠置形成。其中，所述源极和漏极上还叠置平坦层、第一ITO层、钝化层及第二ITO层，其中，所述第二ITO层与所述源极或漏极电连接。本申请第二方面提供一种显示面板，包括以上所述的阵列基板。本申请第三方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上依序叠置多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极，其中，所述栅绝缘层将所述多晶硅沟道层和栅极绝缘；在所述栅极上设置第一间绝缘层，其中，所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面；在所述第一间绝缘层上设置第二间绝缘层，其中，所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面；在所述第二间绝缘层上设置源极和漏极，其中，所述源极远离基板一侧为一平面，且所述漏极远离基板一侧也为一平面，所述源极和所述漏极均通过所述第二间绝缘层、第一间绝缘层、栅绝缘层与所述多晶硅沟道层连接，进而与所述栅极形成薄膜晶体管。其中，所述在所述栅极上设置第一间绝缘层，其中，所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面的步骤包括：通过化学气相沉积在所述栅极上形成第一间绝缘层，并通过曝光、显影、蚀刻使得所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面。其中，在所述在基板上依序叠置多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极的步骤之前，所述方法还包括：在基板上依序叠置遮光层、第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层和第二绝缘层均位于所述遮光层与所述多晶硅沟道层之间；在所述第二间绝缘层上设置源极和漏极的步骤之前，所述方法还包括：在所述栅极和漏极上叠置平坦层、第一ITO层、钝化层及第二ITO层，其中，所述第二ITO层与所述源极或漏极电连接。上述方案中，阵列基板设置在栅极与源极、漏极之间的间绝缘层包括两层，且第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面，使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面，进而使得源极和漏极形成在平面上，故所述源极远离基板一侧为一平面，且所述漏极远离基板一侧也为一平面，由于该阵列基板的源极和漏极均是平整结构，故可减少寄生电容，且避免表面不平使得电信号传输不稳，从而保证了电信号传输的稳定性。附图说明图1是现有显示面板的结构示意图；图2是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图；图3是本申请阵列基板的制成方法一实施方式的流程图；图4a是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中对第一间绝缘层曝光时的结构示意图；图4b是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中对第一间绝缘层进行显影时的结构示意图；图4c是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中对第一间绝缘层进行刻蚀时的结构示意图。具体实施方式以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。请参阅图2，图2是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图。本实施方式中，阵列基板包括基板201以及依序叠置在所述基板201之上的多晶硅沟道层202、栅绝缘层203、栅极204、第一间绝缘层205、第二间绝缘层206，以及设置在所述第二间绝缘层206之上的源极207和漏极208。其中，第一间绝缘层205远离基板一侧a与栅极204远离基板一侧b处于同一平面，使得所述第二间绝缘层206远离基板一侧c为一平面，所述源极207远离基板一侧d为一平面，且所述漏极208远离基板一侧e也为一平面。具体地，该第一间绝缘层205和第二间绝缘层206的其中之一可为氧化硅(化学式：SiOx)绝缘层，另一个可为氮化硅(化学式：SiNx)绝缘层。例如，第一间绝缘层205由氧化硅形成，第二间绝缘层206由氮化硅形成；或者，第一间绝缘层205由氮化硅形成，第二间绝缘层206由氧化硅形成。本实施例中，栅绝缘层203将多晶硅沟道层202和栅极204绝缘。源极207和漏极208均通过第二间绝缘层206、第一间绝缘层205、栅绝缘层203与所述多晶硅沟道层202连接(即形成导电结构)，进而与栅极204形成薄膜晶体管(英文：Th本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括基板以及依序叠置在所述基板之上的多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极、第一间绝缘层、第二间绝缘层，以及设置在所述第二间绝缘层之上的源极和漏极；所述栅绝缘层将所述多晶硅沟道层和栅极绝缘，所述源极和所述漏极均通过所述第二间绝缘层、第一间绝缘层、栅绝缘层与所述多晶硅沟道层连接，进而与所述栅极形成薄膜晶体管；其中，所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面，使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面，所述源极远离基板一侧为一平面，且所述漏极远离基板一侧也为一平面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板以及依序叠置在所述基板
之上的多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极、第一间绝缘层、第二间绝缘层，
以及设置在所述第二间绝缘层之上的源极和漏极；
所述栅绝缘层将所述多晶硅沟道层和栅极绝缘，所述源极和所述漏
极均通过所述第二间绝缘层、第一间绝缘层、栅绝缘层与所述多晶硅沟
道层连接，进而与所述栅极形成薄膜晶体管；
其中，所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处
于同一平面，使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面，所述源极
远离基板一侧为一平面，且所述漏极远离基板一侧也为一平面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一间绝缘
侧和所述第二间绝缘层的其中之一为氧化硅绝缘层，另一个为氮化硅绝
缘层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板上还叠
置有遮光层、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层
均位于所述遮光层与所述多晶硅沟道层之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、多晶
硅沟道层均相对所述遮光层设置。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极由钼层
形成；
所述源极和漏极均由钼层、铝层、钼层叠置形成，或者所述源极和
漏极均由钼层、第一铜层、第二铜层、钼层叠置形成。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和漏极
上还叠置平坦层、第一ITO层、钝化层及第二ITO层，其中，所述第二
ITO层与所述源极或漏极电连接。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的
阵列基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷婉婷，涂望华，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42