一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极；所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间；所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方；所述源漏极在半导体有源层上，且源漏电极两端与两个栅端电极存在交叠区域。本发明专利技术可通过两个栅端电极偏压有效调控器件处于不截止、遥截止或锐截止转移特性,可根据实际应用需要获得所需的阈值电压、关态电流和跨导值，两个栅端电极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效扩大了薄膜晶体管的应用范围，能有效地解决阈值电压漂移、大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种电阻栅薄膜晶体管结构及其制备方法。
技术介绍
近年来，供平板显示器件和其它图像显示器用的薄膜晶体管(TFT)方面的研究与开发极为活跃。用于有源矩阵LCD和其它显示器件的TFT需要具有高迀移率、低关态电流、高开关电流比、低阈值电压等特性，且电性能需要具有偏压应力稳定性和工作环境稳定性。本世纪以来，随着平板显示技术的快速发展，对TFT器件性能提出了更高要求。多年来，围绕器件性能的改进，已开发出多种可用于TFT的半导体薄膜材料，主要包括非晶硅、多晶硅、以并五苯为代表的有机小分子半导体材料、以聚噻吩类为代表的有机聚合物半导体材料、以氧化锌为代表的宽能隙氧化物半导体材料等。非晶硅TFT由于低迀移率在高分辨率显示方面受到限制。多晶硅TFT虽具有较高的迀移率，但具有工艺复杂、制作成本昂贵、大面积难以实现等缺点而制约其市场空间。更重要的是，硅为窄能隙半导体，硅基TFT对可见光敏感，光照条件下器件性能发生明显的变化，因此，在平板显示中需要引入黑矩阵，这不仅增加了制备工艺的复杂度，而且降低了显示器件的开口率。有机TFT尽管在低成本、柔性化方面有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极，所述电阻栅薄膜层（4）位于两栅端电极 (301和302) 与绝缘栅介质层（5）之间，电阻栅薄膜层的电阻率低于半导体有源层；所述两栅端电极位于电阻栅薄膜层下方，其连线方向与沟道方向垂直，其结构和功能上是等效的；所述源电极（701）和漏电极（702）制作在垂直于两栅端电极连线的方向，使得源漏电极两端与两个栅端电极构成类#型交叠区域，且源漏电极长度即沟道宽度小于两栅端电极宽度与两栅端电极间距的总和。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉荣，姚若河，耿魁伟，韦岗，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44