薄膜晶体管及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其操作方法，该薄膜晶体管包括基板、底栅极、通道层、源极与漏极以及顶栅极。底栅极配置于基板上。通道层位于底栅极上。源极与漏极位于通道层的两侧上。顶栅极位于通道层与源极与漏极上，其中通道层位于底栅极与顶栅极之间，其中底栅极与顶栅极电性分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种主动元件及其操作方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
平面显示器主要包括具有多个切换元件的阵列基板以及对向基板。一般来说，切换元件包括栅极、通道层以及与通道层电性耦接的源极与漏极。切换元件可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管或氧化物半导体(oxidesemiconductor)薄膜晶体管等。然而，在薄膜晶体管的操作中，薄膜晶体管容易受到背光光源、环境的蓝光或紫外光照射等影响，而产生临界电压(Threshold Voltage, Vth)偏移的问题，进而影响到薄膜晶体管的电特性与稳定性。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括分别接收不同电位的底栅极与顶栅极。本专利技术提供另一种薄膜晶体管，包括电性分离的底栅极与顶栅极。本专利技术另提供一种薄膜晶体管的操作方法，包括同时给予底栅极与顶栅极不同电压以关闭或开启薄膜晶体管。本专利技术的薄膜晶体管包括基板、底栅极、通道层、源极与漏极以及顶栅极。底栅极配置于基板上。通道层位于底栅极上。源极与漏极位于通道层的两侧上。顶栅极位于通道层与源极与漏极上，其中底栅极用以接收第一电位，顶栅极用以接收第二电位，且第二电位小于第一电位以关闭薄膜晶体管。本专利技术的薄膜晶体管包括基板、底栅极、通道层、源极与漏极以及顶栅极。底栅极配置于基板上。通道层位于底栅极上。源极与漏极位于通道层的两侧上。顶栅极位于通道层与源极与漏极上，其中通道层位于底栅极与顶栅极之间，其中底栅极与顶栅极电性分离。在本专利技术的一实施例中，上述的底栅极与顶栅极分别与不同扫描线连接。在本专利技术的一实施例中，上述的底栅极用以接收接地电压，同时顶栅极用以接收小于接地电压的电压以关闭薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，上述的顶栅极用以接收接地电压，同时底栅极用以接收大于接地电压的电压以开启薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，上述的顶栅极与通道层在投影方向上的重叠区域的重叠宽度至少大于1 ym。本专利技术的上述薄膜晶体管的操作方法包括以下步骤:使底栅极接收接地电压，同时使顶栅极接收小于接地电压的电压，以关闭薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，还包括使顶栅极接收接地电压，同时使底栅极接收大于接地电压的电压，以开启薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，上述的底栅极与顶栅极之间的电压差至少等于或大于晶体管的临界电压以关闭薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，上述的底栅极与顶栅极之间的电压差至少等于或大于晶体管的临界电压以开启薄膜晶体管。基于上述，本专利技术的薄膜晶体管具有电性分离的底栅极与顶栅极或接收不同电位的底栅极与顶栅极，其中底栅极主导开启晶体管，顶栅极主导关闭晶体管。如此一来，可以改善薄膜晶体管的临界电压发生偏移的问题，使得薄膜晶体管具有较佳的电特性与稳定性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1是依照本专利技术的一实施例的一种薄膜晶体管的示意图；图2是根据图1的薄膜晶体管应用于显示器中的等效电路示意图；图3为图1的薄膜晶体管在驱动下，与底栅极电性耦接的扫描线及与顶栅极电性耦接的扫描线的时序信号示意图；图4是本专利技术之图1的薄膜晶体管的漏极电流对底栅极电压(Id-Vbg)的关系图；图5A是现有的薄膜晶体管的漏极电流对底栅极电压(Id-Vbg)的关系图；图5B是本专利技术的图1的薄膜晶体管的漏极电流对底栅极电压(Id-Vbg)的关系图。100:薄膜晶体管102:基板104:栅绝缘层110:底栅极120:通道层122:蚀刻终止层132:源极134:漏极136:保护层140:顶栅极510 ?550:曲线el:第一边缘e2:第二边缘CGD:栅极/漏极电容CST:储存电压CLC:液晶电容Dpj:投影方向Da:方向DL:数据线ON:开启OFF:关闭SLn、SLn，、SLn+1:扫描线Vcom:共享电位VGND:接地电压VON、VOFF:电压【具体实施方式】本申请中所用的用语一般具有其在本申请背景领域中的通常意思，以及其在特定背景中使用时的意义。某些特定用以描述本揭示的用语将于后定义及讨论，或是在说明书中的其他地方讨论，以供做为本领域技术人员了解本揭示说明。除此之外，同一事物可能会以超过一种方式来说明，其意义应了解为可选择是多种说明方式的其中之一或整体意思。因此，在本文中会使用可替换性的语言以及同义词来表现任何一个或多个的用语，不论此用语是否有在本文中进行精辟的阐述或是讨论，使用可替换性的语言以及同义词均不具特定意义。本揭示提供某些用语的同义词。一或多个常用的同义词并不排除其他同义词的使用。本说明书中任何部分所提到的例子，包含所讨论的任何用语的例子，均仅用来说明，并无限制本揭示的范围及意义或是任何当作例子来说明的用语。同样地，本揭示也不受限于本说明书所提供的各种实施例。可被理解的是，当称一元件(电性)耦接于另一元件时，其可为直接(电性)耦接其他元件、或有介于其中间之元件。相反地，当称一元件直接(电性)親接于另一元件时，并无介于中间之元件出现。如于本文所使用，用语「和/或」包含一个或多个相关之列出项目的任一与所有组合。另一可被理解的是，本文对于信号传递或提供的描述，经传输的信号实际上可能会产生衰减或失真，但仍与传输之前的信号具有对应的关系，而可在工程上传递默认的信息，因此，通常不因传输过程中产生的衰减或失真情形而排除信号发射端与信号接收端两信号的对应关系。另一可被理解的是，当称一元件位于另一元件上(on, above or over)时，其可为直接位于其他元件上、或有介于其中间之元件。相反地，当称一元件直接位于另一元件上时，并无介于中间之元件出现。相应的，其他相对位置的指称，例如「上」或「之上」，也可以具有相应的理解。另一可被理解的是，虽然在本揭示使用「第一」、「第二」和「第三」等用语来描述各种元件、零件、区域、层和/或部分，但此些用语不应限制此些元件、零件、区域、层和/或部分。此些用语仅用以区别一元件、零件、区域、层和/或部分与另一元件、零件、区域、层和/或部分。因此，可在不偏离本揭示所教当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一底栅极，配置于该基板上方；一通道层，配置于该底栅极上方；一源极与一漏极，电性耦接该通道层；以及一顶栅极，位于该通道层与该源极与该漏极上方，其中该底栅极用以接收一第一电位，该顶栅极用以接收一第二电位，且该第二电位小于该第一电位而关闭该薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨育鑫，陈国光，石宗祥，蔡明谚，张鼎张，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71