有机电致发光晶体管制造技术

本发明专利技术涉及具有改进的光发射特征的有机电致发光晶体管。更具体地，本发明专利技术有机电致发光晶体管具有包括至少一个n型半导体材料层、至少一个p型半导体材料层和布置在该p型半导体材料层与该n型半导体材料层之间的至少一个发射材料层的发射双极通道，其中该n型半导体材料包含由式(N‑1)表示的电子传输化合物：

Organic electroluminescent transistor

The present invention relates to organic electroluminescent transistors having improved light emission characteristics. More specifically, the invention of organic light-emitting transistor with bipolar emitter comprises at least one n type semiconductor material layer and at least one p type semiconductor material layer and arranged between the P type semiconductor material layer and the N type semiconductor material layer and at least one emitting material layer channel, wherein the N type a semiconductor material comprising by type (N 1) electron transport compound represented by the:

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电致发光晶体管
技术介绍
有机电致发光场效应晶体管也称为OLET(有机发光晶体管)，为组合薄膜晶体管与电致发光装置的开关装置的相对最新型装置。虽然电荷传输垂直于OLED(有机发光二极管)中的有机层发生，但大部分电流水平流动穿过OLET中的半导体层。因此，OLET中的光可沿着发射层以条带形式发射，而非如常规的OLED中均匀地穿过电极区。OLET的平面传输几何结构有助于抑制有害的光子损失和OLED架构中固有的激子淬灭机制。因此，相同有机电致发光材料已经显示在OLET中达到比在等效OLED中高得多的外量子效率(EQE)和发光度。欧洲专利第EP1609195号描述具有可通过一层或数个共平面层有机半导体实现的双极通道的OLET。关于此类OLET的功能特征及其优于OLED的优点的其他详情可见于Capelli等人,“Organiclight-emittingtransistorswithanefficiencythatoutperformstheequivalentlight-emittingdiodes,”NatureMaterials,第9卷,第496-503页(2010)。迄今为止，OLET的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光晶体管，其包含：至少一个介电层；至少一个控制电极；至少一个空穴电极；至少一个电子电极；和包含发射双极通道的组装件，其中：该介电层布置在该控制电极和该组装件之间；该发射双极通道包含至少一个n型半导体材料层、至少一个p型半导体材料层和至少一个布置在该p型半导体材料层与该n型半导体材料层之间的发射材料层；该n型半导体材料包含由式(N‑1)表示的电子传输化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.24 EP 14425099.0;2014.07.24 US 62/028,3991.一种有机电致发光晶体管，其包含：至少一个介电层；至少一个控制电极；至少一个空穴电极；至少一个电子电极；和包含发射双极通道的组装件，其中：该介电层布置在该控制电极和该组装件之间；该发射双极通道包含至少一个n型半导体材料层、至少一个p型半导体材料层和至少一个布置在该p型半导体材料层与该n型半导体材料层之间的发射材料层；该n型半导体材料包含由式(N-1)表示的电子传输化合物：其中：X选自由O、S和Se所组成的组；Ar和Ar'在每次出现时独立地为相同或不同的单环芳基或杂芳基；R1和R2独立地为相同或不同的吸电子基团，其选自由-CN、Ra、-C(O)Rb和-C(O)ORb所组成的组；其中Ra为以至少一个氟或氰基取代的C1-20烷基、C2-20烯基或C2-20炔基；和Rb选自由H、C1-20烷基、C2-20烯基和C2-20炔基所组成的组，其中该C1-20烷基、该C2-20烯基和该C2-20炔基各自任选以一或多个氟和/或氰基取代；和m和m'独立地为1或2。2.如权利要求1的晶体管，其中该电子传输化合物由式(N-2)表示：3.如权利要求1的晶体管，其中该电子传输化合物由式(N-3)表示：其中n为1至12(包括端点)范围内的整数。4.如权利要求1至3中任一项的晶体管，其中Ar和Ar'在每次出现时独立地选自由以下所述组成的组：苯基、噻吩基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、呋喃基、恶唑基、异恶唑基、恶二唑基、吡咯基、三唑基、四唑基、吡唑基、咪唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基和吡嗪基。5.如权利要求4的晶体管，其中该电子传输化合物由式(N-4)表示：6.如权利要求5的晶体管，其中该电子传输化合物为2,5-双(4-(全氟辛基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩(N-F2-6)：或2,5-双(4-(三氟甲基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩(N-F2-6-CF3)：7.如权利要求1至6中任一项的晶体管，其中该p型半导体材料包含选自由低聚噻吩、并苯和稠合杂芳烃组成的组的空穴传输化合物。8.如权利要求1至6中任一项的晶体管，其中该p型半导体材料包含选自由以下所述组成的组的空穴传输化合物：二噻吩、四噻吩、噻吩并噻吩、苯并噻吩、萘并噻吩、苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩和二萘并[2,3-b:2',3'-f]噻吩并[3,2-b]噻吩，其各自可任选以烃基α-取代和/或ω-取代。9.如权利要求1至6中任一项的晶体管，其中该p型半导体材料包含由式(P-1)、(P-2)、(P-3)、(P-4)、(P-5)或(P-6)表示的空穴传输化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·法彻蒂，H·乌斯塔，M·单蒂，V·柏恩杜，C·索尔达诺，M·穆西尼，
申请(专利权)人：ETC有限责任公司，飞利斯有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT