薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供薄膜晶体管。上述薄膜晶体管包括：基板；活性图案，配置于上述基板上，包括氮化物；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物；栅电极，与上述活性电极重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极及上述活性图案之间。

Thin film transistor and method for manufacturing the same

The present invention provides a thin film transistor. The thin film transistor includes: a substrate; active pattern disposed on the substrate, including a nitride; protecting pattern disposed on the activity pattern, including non nitride; gate electrode, overlap with the active electrode; and a gate insulating film formed on the gate electrode and the active patterns.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及薄膜晶体管及其制作方法，更详细地，薄膜晶体管及其制作方法包括：活性图案，由氮化物形成；以及保护图案，配置于上述活性图案上，由非氮化物形成。
技术介绍
最近，显示器面前处于大面积化、最高分辨率(HUD，UltraHighDefinition)化、高速驱动化，并且，具有对于能够适用于可穿戴设备(wearabledevice)等的柔性显示器的要求。以往的非晶质硅半导体元件(AmorphousSiTFT)具有低的移动度(0.5cm2/Vs以下)，因此，很难使用非晶质硅半导体元件来实现大面积及最高分辨率的显示器，并很难体现柔性显示器装置。为了解决上述问题，正在进行着对于有机薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管等的研究。例如，在韩国专利公开公报10-2011-0095530(申请号10-2010-0015052)公开了减少工作电压，为了制作工序的简化而包括在上部具有凹陷区域的绝缘膜及配置于上述栅极绝缘膜的上述凹陷区域内的有机半导体层的有机薄膜晶体管。作为另一例，在韩国专利公开公报10-2008-0054941(申请号10-2006-0127671)中公开了为了防止在大面积显示装置发生的信号延迟，为使化合物半导体层和源/漏电极良好地接触，而由第一导电层和第二导电层形成源/漏电极的技术，上述第二导电层由低电阻形成。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术所要解决的第一技术问题在于，提供高可靠性的薄膜晶体管及其制作方法。本专利技术所要解决的再一技术问题在于，提供高移动度的薄膜晶体管及其制作方法。本专利技术所要解决的另一技术问题在于，提供收益率得到提高的薄膜晶体管的制作方法。本专利技术所要解决的技术问题并不局限于上述技术问题。技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供薄膜晶体管。根据一实施例，薄膜晶体管可包括：基板；活性图案(activepattern)，配置于上述基板上，包括氮化物(nitride)；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物(nonnitride)；栅电极，与上述活性电极重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极及上述活性图案之间。根据一实施例，上述保护图案可由半导体性非氮化物形成，上述活性图案具有大于上述保护图案的移动度。根据一实施例，上述薄膜晶体管可包括：钝化膜，覆盖上述保护图案；源电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极一侧的上述保护图案的一部分相接触；以及漏电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极一侧的上述保护图案的一部分相接触。根据一实施例，上述薄膜晶体管还可包括上述栅电极一侧的源电极及上述栅电极另一侧的漏电极，上述源电极及上述漏电极分别与靠近上述栅电极的上述一侧及上述另一侧的上述保护图案的一部分相接触。根据一实施例，上述活性图案可配置于上述保护图案及上述栅电极之间。根据一实施例，上述保护图案可配置于上述活性图案及上述栅电极之间。根据一实施例，上述活性图案可由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，上述保护图案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。根据一实施例，上述第一元素可包括锌，上述第二元素包括氧。根据一实施例，上述保护图案的厚度可以小于上述活性图案的厚度。根据一实施例，上述保护图案可以与上述活性图案直接接触(directlycontact)。为了解决上述技术问题，本专利技术提供薄膜晶体管的制作方法。根据一实施例，上述薄膜晶体管的制作方法可包括：在基板上形成包括氮化物的活性膜的步骤；在上述活性膜上形成包括非氮化物的保护膜的步骤；以及按上述保护膜及上述活性膜依次形成图案，来形成层叠于上述基板上的活性图案及保护图案的步骤，上述保护膜从用于上述活性膜的形成图案的溶液工序保护上述活性膜。根据一实施例，上述活性膜利用可包括第一元素的第一源、包括第二元素的第二源及包括氮的第三源形成，上述保护膜利用上述第一元素及上述第二元素来与通过上述活性膜的制作方法相同制作方法形成。根据一实施例，在上述薄膜晶体管的制作方法中，在形成上述活性膜之前，还可包括：在上述基板上形成栅电极的步骤；以及在栅电极上形成栅极绝缘膜的步骤。根据一实施例，在上述薄膜晶体管的制作方法中，在形成上述活性膜之后，还可包括：在上述保护图案上形成栅极绝缘膜的步骤；以及在上述栅极绝缘膜上形成栅电极的步骤。根据一实施例，上述薄膜晶体管的制作方法可包括：在基板上形成包括氮氧化物的活性膜的步骤；在上述活性膜上形成保护膜的步骤，上述保护膜包括金属氧化物，且具有小于上述活性膜的厚度，并具有小于上述活性膜的移动度；以及利用溶液工序来依次使上述保护膜及上述活性膜形成图案的步骤，上述保护膜从上述溶液工序保护上述活性膜。根据一实施例，上述活性膜及上述保护膜可通过相同工序来制作，在上述活性膜中的金属和在上述保护膜中的金属相同。根据一实施例，使上述保护膜及上述活性膜形成图案的步骤可包括在上述保护膜及上述活性膜上形成光阻图案的步骤，上述保护膜从对上述光阻图案进行冲洗的溶液工序保护上述活性膜。根据一实施例，使上述保护膜及上述活性膜形成图案的步骤可包括：在上述保护膜及上述活性膜形成光阻图案的步骤，上述保护膜将上述光阻图案用作掩膜，以此从对上述保护膜及上述活性膜进行蚀刻的溶液工序保护上述活性膜的过蚀刻现象。根据一实施例，上述活性膜可包括锌氧氮化物，上述保护膜包括锌氧化物。根据一实施例，上述保护膜可由半导体性金属氧化物形成。根据一实施例，上述薄膜晶体管的制作方法还可包括形成与上述活性膜隔开的栅电极的步骤，借助向上述栅电极施加的电压，在上述活性膜内限定性地形成通道，在上述保护膜内不形成通道。有益效果本专利技术实施例的薄膜晶体管可包括：活性图案，由氮化物形成；以及保护图案，配置于上述活性图案上，由非氮化物形成。借助上述保护图案，可从上述活性图案的制作工序中所使用的溶液等保护上述活性图案，借助上述活性图案中的氮，可提高移动度。由此，可提供高可靠性及高移动度的薄膜晶体管。附图说明图1a为用于说明本专利技术一实施例的薄膜晶体管的图。图1b为用于说明本专利技术一实施例的变形例的薄膜晶体管的图。图2为用于说明本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制作方法的流程图。图3及图4为用于说明本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制作方法的工序剖视图。图5为用于说明本专利技术另一实施例的薄膜晶体管的图。图6为用于说明本专利技术另一实施例的薄膜晶体管的制作方法的流程图。图7及图8为用于说明本专利技术另一实施例的薄膜晶体管的制作方法的工序剖视图。图9为用于说明本专利技术实施例的薄膜晶体管的电流电压特性的图表。图10为用于说明本专利技术实施例的薄膜晶体管的移动度的图表。图11为用于说明本专利技术实施例的薄膜晶体管的显示装置的框图。具体实施方式以下，参照附图，详细说明本专利技术的优选实施例。但是，本专利技术的技术思想并不局限于在此说明的实施例，而是可具体化成其他形态。反而，上述实施例为使在此介绍的实施例中公开的内容变得完整而且向本专利技术所述
的普通技术人员充分传递本专利技术的思想而提供。在本说明书中，当提及一种结构要素在另一种结构要素上的情况下，这意味着直接形成于另一结构要素上或者在之间隔着第三结构要素。并且，在图中，膜及区域的厚度为了有效说明所记述的内容而被放大。并且，在说明书中的多种实施例中，第一、第二、第三等的术语仅为了记述多种结构要素而使用，这些结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；活性图案，配置于上述基板上，包括氮化物；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物；栅电极，与上述活性图案重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极与上述活性图案之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.16 KR 10-2014-01229571.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；活性图案，配置于上述基板上，包括氮化物；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物；栅电极，与上述活性图案重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极与上述活性图案之间。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案由半导体性非氮化物形成，上述活性图案具有大于上述保护图案的移动度。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：钝化膜，覆盖上述保护图案；源电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极的一侧的上述保护图案的一部分相接触；以及漏电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极的另一侧的上述保护图案的一部分相接触。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括上述栅电极的一侧的源电极及上述栅电极的另一侧的漏电极，上述源电极及上述漏电极分别与靠近上述栅电极的上述一侧及上述另一侧的上述保护图案的一部分相接触。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案配置于上述活性图案与上述栅电极之间。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述活性图案由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，上述保护图案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述第一元素包括锌，上述第二元素包括氧。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案的厚度小于上述活性图案的厚度。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案与上述活性图案直接接触。10.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成包含氮化物的活性膜的步骤；在上述活性膜上形成包含非氮化物的保护膜的步骤；以及按上述保护膜及上述活性膜的顺序依次形成图案，来形成层叠于上述基板上的活性图案及保护图案的步骤，上述保护膜在用于使上述活性膜形成图案的溶液工序中保护上述活性膜。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，上述活性膜利用包含第一元素的第一源、包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇成，玉敬喆，郑贤浚，
申请(专利权)人：汉阳大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR