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本发明公开了一种薄膜晶体管及其操作方法，该薄膜晶体管包括基板、底栅极、通道层、源极与漏极以及顶栅极。底栅极配置于基板上。通道层位于底栅极上。源极与漏极位于通道层的两侧上。顶栅极位于通道层与源极与漏极上，其中通道层位于底栅极与顶栅极之间，其中...
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