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本发明公开了一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极；所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间；所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方；所述源漏极在半导...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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