有机半导体薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括基板、数据线、中转区、源极、漏极、主动层图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层以及透明电极。所述数据线以及所述中转区设置于所述基板之上。所述源极以及所述漏极设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上。所述主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板、所述源极以及所述漏极之上。通过设置所述主动层图案所述源极以及所述漏极之上进而避免所述源极以及所述漏极受到等离子体轰击。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机半导体薄膜晶体管的
，特别是涉及一种应用于有机半导体薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
OTFT(OrganicThinFilmTransistor)是一种使用有机物作为半导体材料的薄膜晶体管，多用于塑料基板，因其具有可卷曲、制程成本低等特点，成为当前最具潜力的下一代柔性显示器的新型Array板技术。有机薄膜晶体管制作方法相对传统无机薄膜晶体管更为简单，其对成膜气氛的条件及纯度的要求都很低，因此其制作成本更低；有机薄膜晶体管有优异的柔韧性，适用于柔性显示、电子皮肤、柔性传感器等领域。为了降低注入势垒，OTFT源漏电极的材料一般选择金或银等金属。但金因其价格高昂，并不适合应用于大量生产。银相对金成本要低廉，但银表面在被等离子体(plasma)轰击时，会容易发生氧化导致导电能力急剧下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机半导体薄膜晶体管以及其制作方法，以解决上述技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括基板、数据线、中转区、源极、漏极、主动层图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层以及透明电极。所述数据线以及所述中转区设置于所述基板之上。所述源极以及所述漏极，设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上。所述主动层图案设置于所述数据线、所述中转区、所述基板、所述源极以及所述漏极之上。所述第一绝缘层，设置于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上。所述栅极以及扫描线，设置于所述第一绝缘层之上。所述第二绝缘层，设置于所述栅极以及所述第一绝缘层之上。所述透明电极设置于所述第二绝缘层之上并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的通孔电性连接所述中转区。在一优选实施例中，所述数据线以及所述中转区是钛或钼。在一优选实施例中，所述源极以及所述漏极是银。在一优选实施例中，所述栅极是铝或铜。在一优选实施例中，所述透明电极是氧化铟锡。为实现上述目的，本专利技术另提供一种有机半导体薄膜晶体管的制作方法，包括：首先，设置基板；接着，沉积第一金属层于所述基板之上；使用第一掩膜对所述第一金属层进行蚀刻以形成数据线以及中转区；接着，沉积第二金属层于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上；接着，使用第二掩膜对所述第二金属层进行蚀刻以形成源极以及漏极；接着，涂布有机半导体层于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上；接着，使用第三掩膜对所述有机半导体层以形成主动层图案；接着，涂布第一绝缘层于所述数据线以及所述中转区之上；接着，沉积第三金属层于所述第一绝缘层之上；接着，使用第四掩膜对所述第三金属层进行蚀刻以形成栅极以及扫描线；接着，涂布第二绝缘层于所述第三金属层以及所述第一绝缘层之上；接着，于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层形成通孔；最后，沉积透明电极于所述第二绝缘层之上并通过所述通孔电性连接所述中转区。在一优选实施例中，所述第一金属层是钛或钼。在一优选实施例中，所述第二金属层是银。在一优选实施例中，所述第三金属层是铝或铜。在一优选实施例中，所述透明电极是氧化铟锡。相较于现有技术，本专利技术先于所述基板上设置所述数据线以及所述中转区，接着在所述数据线以及所述中转区上形成所述源极以及所述漏极，接着再使用所述主动层图案包覆所述源极以及所述漏极。因為所述主动层图案包覆所述源极以及所述漏极，所以可以保護所述源极以及所述漏极不受等离子体轰击而氧化。【附图说明】图1绘示本专利技术的有机半导体薄膜晶体管的侧视图；图2-图14绘示本专利技术的有机半导体薄膜晶体管的制作方法的流程图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。参考图1，绘示本专利技术的有机半导体薄膜晶体管100的侧视图。所述有机半导体薄膜晶体管100包括基板110、数据线121、中转区122、源极131、漏极132、主动层图案141、第一绝缘层142、栅极151、第二绝缘层152、通孔160以及透明电极171。所述数据线121以及所述中转区122，设置于所述基板110之上。优选地，所述数据线121以及所述中转区122是钛或钼。所述源极131以及所述漏极132设置于所述基板110、所述数据线121以及所述中转区122之上。详细地，所述源极131以及所述漏极132个别设置于部分的所述数据线121以及所述中转区122之上。所述源极131以及所述漏极132並未連接。优选地，所述源极131以及所述漏极132可以是银。所述主动层图案141设置于所述数据线121、所述中转区122、所述基板110所述源极131以及所述漏极132之上。详细地，所述主动层图案141会完整的包覆所述源极131以及所述漏极132，进而达到保护所述源极131以及所述漏极132免于受到等离子体轰击。优选地，所述主动层图案141可以是有机半导体。所述第一绝缘层142，设置于所述数据线121、所述中转区122以及所述主动层图案141之上。详细地，所述第一绝缘层142必须完整包覆所述数据线121、所述中转区122以及所述主动层图案141。一般而言，所述第一绝缘层142可以是有机绝缘体。所述栅极151以及扫描线(未图示)设置于所述第一绝缘层142之上。通过所述第一绝缘层142的隔绝，可以避免所述栅极151以及所述扫描线与所述数据线121、所述基板110所述源极131以及所述漏极132之间形成短路。优选地，所述栅极151可以是铝或铜。所述第二绝缘层152设置于所述栅极151以及所述第一绝缘层142之上。一般而言，所述第二绝缘层142亦可以是有机绝缘体。所述透明电极171设置于所述第二绝缘层152之上并通过贯穿所述第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152的所述通孔160电性连接所述中转区122。优选地，所述透明电极171是氧化铟锡。通过于所述基板110上设置所述数据线121以及所述中转区122，接着在所述数据线121以及所述中转区122上形成所述源极131以及所述漏极132，接着再使用所述主动层图案141包覆所述源极131以及所述漏极132，进而达到避免避免所述源极131以及所述漏极132被等离子体轰击而氧化。参考图2-14，绘示本专利技术的有机半导体薄膜晶体管100的制作方法的流程图。其中依照附图数字的增加表示制作方法的步骤，图号若无英文数字或英文数字为a表示为该步骤所形成產物的侧视图，图号若有英文数字b表示为该步骤所形成产物的上视图。首先，参考图2，设置基板110。参考图3，沉积第一金属层120于所述基板110之上。参考图3、图4a以及图4b，使用第一掩膜(未图示)对所述第一金属层120进行蚀刻以形成数据线121以及中转区122。...

【技术保护点】
一种有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管包括：基板；数据线以及中转区，设置于所述基板之上；源极以及漏极，设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上；主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上；第一绝缘层，设置于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上；栅极以及扫描线，设置于所述第一绝缘层之上；第二绝缘层，设置于所述栅极以及所述第一绝缘层之上；透明电极，设置于所述第二绝缘层之上并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的通孔电性连接所述中转区。

【技术特征摘要】
1.一种有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半
导体薄膜晶体管包括：
基板；
数据线以及中转区，设置于所述基板之上；
源极以及漏极，设置于所述基板、所述数据线以及所述中转
区之上；
主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板所
述源极以及所述漏极之上；
第一绝缘层，设置于所述数据线、所述中转区以及所述主动
层图案之上；
栅极以及扫描线，设置于所述第一绝缘层之上；
第二绝缘层，设置于所述栅极以及所述第一绝缘层之上；
透明电极，设置于所述第二绝缘层之上并通过贯穿所述第一
绝缘层以及所述第二绝缘层的通孔电性连接所述中转区。
2.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在
于，所述数据线以及所述中转区是钛或钼。
3.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在
于，所述源极以及所述漏极是银。
4.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在
于，所述栅极是铝或铜。
5.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在
于，所述透明电极是氧化铟锡。
6.一种有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
包括：
设置基板；
沉积第一金属层于所述基板之上；
使用第一掩膜对所述第一金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，苏长义，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44