A method of manufacturing a fin type metal oxide semiconductor field effect transistor method includes providing a substrate, forming a shallow trench isolation, fin structure, gate structure and offset the side wall on the substrate; a first layer of epitaxial source and drain region EpiSD is formed, the fin structure offset side wall on both sides; in the first layer of epitaxial source and drain regions above and on both sides of the wall offset formed on the side wall outside the first layer; to form the second layer epitaxial source drain region in the first layer of the first layer of epitaxial lateral walls on both sides of the source drain region; in the first layer of the lateral wall on both sides of the second layer above the source drain region continued to form wall outside layer second, repeatedly forming an epitaxial source and drain area and outer wall, eventually forming stepped side walls and the source drain extension region structure. The total thickness of the required drain source drain region is the sum of the thickness of all epitaxial source drain regions and all epitaxial source drain regions, and the total wall thickness of the outer wall is the sum of all the outer walls and all the outer wall thicknesses.
【技术实现步骤摘要】
一种制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造
,更具体地,涉及一种制造具有阶梯型侧墙(Spacer)结构的低寄生电容鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管(FinFET)的方法。
技术介绍
在现代集成电路
中,进入90nm工艺时代后,随着集成电路器件尺寸的大幅度减少,源漏极的结深越来越浅,需要采用选择性外延技(SEG)以增厚源漏极(elevatedsource/drain)来作为后续硅化(silicide)反应的牺牲层(sacrificiallayer),从而降低串联电阻。而对于65/45nm以及更小技术结点工艺,业界普遍采用对PMOS源漏极刻蚀后外延SiGe层来引入对沟道压应力(compressivestress),以提高空穴(hole)的迁移率(mobility)。也就是说,使用外延源漏区域(EpitaxySD,简称EpiSD)作为源极和漏极可以引入应力,是一种有效提升晶体管性能的方法。在FinFET中,由于结构限制,源漏区硅层很薄,更是必须采用EpiSD以减少源极漏极电阻。EpiSD的主要问题是仅通过栅极两侧的较薄的侧墙(Spacer)与栅极相互隔离,导致栅极和源漏极之间寄生电容较大。在FinFET中,由于源漏结电容很小,EpiSD和栅极间的寄生电容是主要的寄生电容来源,尤其是在采用FinFET结构的22nm以下工艺代中,前道工序引入的寄生电容显著增加,更需要专门的优化手段以提升晶体管速度。美国专利US8828831B2公开了一种全耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(FDSOI)中通过改变侧墙的几何 ...
【技术保护点】
一种制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1:提供一衬底,在所述衬底上形成浅沟槽隔离、鳍结构、栅结构和内偏移侧墙;步骤S2:在所述内偏移侧墙两侧的所述鳍结构上形成第一层外延源漏区域;步骤S3:在所述第一层外延源漏区域上方、所述内偏移侧墙两侧形成第一层外侧墙;步骤S4:在所述第一层外侧墙两侧的第一层外延源漏区域上继续形成第二层外延源漏区域;在所述第二层外延源漏区域上方的第一层外侧墙两侧继续形成第二层外侧墙,其中,所需的抬高源漏区域总厚度为所述第一层外延源漏区域和第二层外延源漏区域厚度之和,外侧墙总厚度为所述第一层外侧墙和第二层外侧墙厚度之和。
【技术特征摘要】
1.一种制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1:提供一衬底,在所述衬底上形成浅沟槽隔离、鳍结构、栅结构和内偏移侧墙;步骤S2:在所述内偏移侧墙两侧的所述鳍结构上形成第一层外延源漏区域;步骤S3:在所述第一层外延源漏区域上方、所述内偏移侧墙两侧形成第一层外侧墙;步骤S4:在所述第一层外侧墙两侧的第一层外延源漏区域上继续形成第二层外延源漏区域;在所述第二层外延源漏区域上方的第一层外侧墙两侧继续形成第二层外侧墙,其中,所需的抬高源漏区域总厚度为所述第一层外延源漏区域和第二层外延源漏区域厚度之和,外侧墙总厚度为所述第一层外侧墙和第二层外侧墙厚度之和。2.根据权利要求1所述制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法,其特征在于,还包括步骤S5:判断所需的抬高源漏区域总厚度和外侧墙总厚度是否满足要求,如果没有,在步骤S4的基础上,重复执行步骤S3和步骤S4,直至得到所需的所述抬高源漏区域总厚度及外侧墙总厚度。3.根据权利要求1所述制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法,其特征在于,所述第一外延源漏区域和第二层外延源漏区域总厚度是15纳米至60纳米。4.根据权利要求1或2所述制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法,其特征在于,所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:师沛,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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