半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供的一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有待互连层；在衬底及待互连层上形成由至少五层氮化硅膜依次堆叠构成的层叠结构，其中，每层氮化硅膜的折射率小于或等于1.9，且在形成每层氮化硅膜后均对氮化硅膜执行等离子体表面处理；对层叠结构执行紫外光照射工艺；以及，形成介质层覆盖层叠结构，在介质层及层叠结构中形成导电结构以电性引出待互连层。本发明专利技术中的层叠结构，既保留了折射率小于或等于1.9的氮化硅膜的耐蚀刻的强度低的特点，又利用氮化硅膜内的间隙相互错开的结构特点从而提供较佳的扩散阻挡效果，而且，还对层叠结构执行紫外光照射工艺，以解决氮化硅膜的应力大及附着性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，传统的平面器件已难以满足人们对高性能器件的需求。鳍式场效应晶体管(fin-field-effect-transistor，finfet)是一种立体型器件，包括在衬底上垂直形成的鳍片以及覆盖鳍片两侧的栅极结构，这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，同时也可以大幅缩短晶体管的闸长。

2、以其中段制程工艺为例，在形成衬底上形成m0金属层后需形成的蚀刻阻挡层(etch stop layer，esl)覆盖衬底及m0金属的表面，该蚀刻阻挡层可例如为氮化硅，其阻挡效果较佳，但在打开该蚀刻阻挡层以暴露m0金属层时却经常由于其不易蚀刻(耐蚀刻的强度较高)而导致接触孔的开口扩大而变形。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的形成方法，用以提供一种具有较佳阻挡效果且较易蚀刻的蚀刻阻挡层。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的半导体结构的形成方法，包括：>

3、提供一衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层叠结构中最靠近所述衬底的一层氮化硅膜的厚度大于或等于30埃。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每层所述氮化硅膜内均包括若干间隙，且所述层叠结构中的至少部分所述氮化硅膜的间隙在所述层叠结构的厚度方向上错开。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用PECVD工艺形成每层所述氮化硅膜，且所述PECVD工艺的功率小于或等于100瓦特。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层叠结构中最靠近所述衬底的一层氮化硅膜的厚度大于或等于30埃。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每层所述氮化硅膜内均包括若干间隙，且所述层叠结构中的至少部分所述氮化硅膜的间隙在所述层叠结构的厚度方向上错开。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用pecvd工艺形成每层所述氮化硅膜，且所述pecvd工艺的功率小于或等于100瓦特。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用氮源气体对所述氮化硅膜执行等离子体表面处理，所述等离子体表面处理的功率小于或等于100瓦特。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在同一工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：成国良，张文广，张华，孙忠祥，张旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：