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本发明提供的一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有待互连层；在衬底及待互连层上形成由至少五层氮化硅膜依次堆叠构成的层叠结构，其中，每层氮化硅膜的折射率小于或等于1.9，且在形成每层氮化硅膜后均对氮化硅膜执行等离子体表面处理...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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