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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为首先提供一基底，该基底上具有一鳍状结构，然后形成一第一浅沟隔离于鳍状结构周围，将鳍状结构分隔为一第一部分与一第二部分，以及形成一第二浅沟隔离于第一部分及第二部分之间。...
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