半导体处理装置及其方法制造方法及图纸
Semiconductor processing device and method thereof
The invention discloses a semiconductor processing device and method thereof, which relates to the field of semiconductor technology, the semiconductor processing device comprises a main body; the main body is formed with at least one of the semiconductor processing unit, each semiconductor processing unit includes a body formed in the upper end of the recess, with at least one position of the bottom wall of the recessed part on the edge of the self position toward the bottom wall along the direction of gravity decreased or from the edge of the position toward the bottom wall along the direction of the anti gravity upward trend; the first channel is communicated with the recessed part is provided at each position of the bottom wall; communicating with the recess second channel are arranged in the concave portion the bottom wall at the edge of the body; wherein, the first and second channel can be used as fluid outlet and / or export. The invention can control the fluid flowing in the direction of the surface of the substrate, the fluid surface contact with the substrate in the planned through recess process and physical and / or chemical reaction on the substrate surface treatment process.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体处理装置及其方法。
技术介绍
半导体基片表面对微污染物的存在非常敏感，为了得到符合要求的基片表面，常需要去除表面的污染物同时避免污染物重新附着在基片表面。因此在制造过程中，半导体基片需要经过多次的表面清洗步骤，去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。目前基片清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为主流。湿式清洗技术，是由液状酸碱溶液和去离子水的混合物清洗基片表面，随后可以再加以漂洗、干燥的程序。在工业生产中，通常采用将基片分别浸没在几种适当的流体里或通过适当的流体喷射在旋转中的半导体基片上，通过处理溶液对基片表面的物理和化学作用，得到符合要求的基片表面。这两种清洗技术在对基片进行处理时都需要耗费较大量的超纯化学溶液和超纯气体，处理溶液使用过后通常会作为废液而被废弃掉，一方面由于消耗的超纯化学溶液和超纯气体十分巨量，使每道工序的工艺费用成本极高；另一方面由于排放的废液十分巨量，进一步增大了对废液进行处理的成本费用；同时也会给环境带来严重危害。半导体制造工程师们一直在寻找可减少半导体制造过程中化学原料消耗量的方法和新技术，如此不但能降低处理过程的成本，还能减少废液排放的处理费用、提高安全保障以及保护环境。中国专利技术专利申请公布说明书CN103367197A公开了一种基片表面处理系统，可以有效减少基片表面湿处理过程的流体使用量，且还能在线回收和处理使用过的流体。其中，该基片表面处理系统中包括一个用于半导体硅片处理的微腔室处理装置，结构如图1所示包括上腔室部和下腔室部。上腔室部与下腔室部处于关闭位...
【技术保护点】
一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：本体，在所述本体上的至少一个半导体处理单元，每个所述半导体处理单元包括：在所述本体的上端面形成的凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力方向呈下降趋势或自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升趋势；在所述底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道；所述第一通道和/或所述第二通道能够作为流体的出口和/或入口。
【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：本体，在所述本体上的至少一个半导体处理单元，每个所述半导体处理单元包括：在所述本体的上端面形成的凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力方向呈下降趋势或自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升趋势；在所述底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道；所述第一通道和/或所述第二通道能够作为流体的出口和/或入口。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述位置位于所述凹进部的底壁的中心。3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理单元为一个，自所述位置向所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升的斜面。4.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理单元为一个，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降的斜面。5.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凹进部的底壁的所边缘设置有一导向槽，所述导向槽内与至少一个所述第二通道相连通。6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述第二通道绕所述凹进部的中心呈环形分布。7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述本体上还设置有一凹槽，所述凹槽设置于所述凹进部的外围，以收集从所述凹进部内溢出的所述流体，所述本体上还设置有用于连通所述凹槽和外界的第三通道，以送出所述凹槽内收集的所述流体。8.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理单元为一个，所述位置位于所述凹进部底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升的
\t曲线，所述曲线的斜率由大变小；或自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈下降的曲线，所述曲线的斜率由小变大。9.根据权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，以所述中心位置为原点，以向所述边缘延伸的射线方向为正方向，所述曲线所呈形状的解析函数为其中C为大于0的常数。10.根据权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，以所述中心位置为原点，以向所述边缘延伸的射线方向为正方向，所述曲线所呈形状的解析函数为y＝Alnx+C，其中A、C为常数。11.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述装置还包括能够设置于所述本体上方的盖体，所述盖体上开设有第四通道，所述盖体放置在所述本体上时，所述本体的所述凹进部与所述盖体的下端面之间形成空腔，所述第四通道使得所述空腔与外界连通。12.根据权利要求11所述的半导体处理装置，其特征在于，所述本体上具有第一卡合部，所述盖体上具有与第一卡合部相对应的第二卡合部，当所述本体与所述盖体相卡合时，所述本体与所述盖体之间密封连接。13.根据权利要求11所述的半导体处理装置，其特征在于，所述盖体的下端面开设有至少一条导气槽，所述导气槽与所述第四通道连通。14.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述本体的上端面设置有多个相互独立的所述半导体处理单元，以使得多个所述半导体处理单元能对同一块基片上一面的不同区域进行分别处理。15.一种半导体处理方法，其特征在于，其包括以下步骤：将待处理的基片放置于本体的凹进部上，需要处理的表面朝下；其中，所述本体具有与所述凹进部连通的第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道与所述凹进部连通的
\t开口具有不同的高度；自所述第一通道和所述第二通道两者中的至少一个通道向所述凹进部内送入流体，所述流体充满所述基片的下表面与所述本体形成的凹进部之间的空间，所述流体与所述基片的下表面接触；通过所述第一通道和所述第二通道两者中开口处于较低位置的一个通道送出所述凹进部内的所述流体。16.根据权利要求15所述的半导体处理方法，其特征在于，当将所述流体送出所述凹进部时，所述流体与所述基片的下表面形成固液气分界面，通过控制所述固液气分界面的移动速度和移动方向，进而控制在所述基片下表面的遗留物质的量和物理分布状态。17.根据权利要求16所述的半导体处理方法，其特征在于，当将所述流体送出所述凹进部时，所述流体与所述基片的下表面形成的固...
【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，王致凯，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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