半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿切割区域对贴附于粘接层的状态的半导体晶片进行分割，而获得多个半导体芯片；密封工序，在将多个半导体芯片的主面贴附于粘接层的状态下，将多个半导体芯片一起密封，由此在半导体芯片的侧面之间的间隙和半导体芯片的背面上形成包含半导体密封树脂组合物的密封材料层；和第二分割工序，通过对形成在半导体芯片的侧面之间的间隙的密封材料层进行分割，而获得在侧面和背面形成有密封材料层的多个上述半导体芯片。

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor device manufacturing method includes: preparation, preparation of semiconductor wafer with a circuit forming the main surface; attaching process, the semiconductor wafer is adhered to the adhesive layer; the first step segmentation, segmentation of the semiconductor chip state along the cutting area of the attached to the adhesive layer the obtained a plurality of semiconductor chips; sealing process, the main surface of a semiconductor chip is attached to the adhesive layer under the condition of a plurality of semiconductor chips with sealing material layer, containing resin composition for sealing semiconductor sealing is formed on the side of the back of the gap between the semiconductor chip and semiconductor chip on the second; and through the segmentation process, the sealing material layer is formed in the gap between the side surface of the semiconductor chip segmentation, and get on the side And a plurality of semiconductor chips formed with a sealing material layer on the back surface.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法和半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法和半导体装置。
技术介绍
在目前的半导体装置的制造工艺中，利用密封树脂将单片化的半导体芯片个别地进行密封。作为这种技术，例如有专利文献1所记载的技术。在该文献中，记载了利用筒夹拾取半导体芯片并安装在基板后，使用半导体密封用环氧树脂并利用传递模塑法将半导体芯片个别地密封(专利文献1)。专利文献2中记载了从半导体晶片将芯片单片化的技术。具体而言，通过半切割，在半导体晶片的主面形成槽。通过对背面进行研磨，将包含半导体的芯片单片化。单片化的芯片在表面露出基底半导体的状态下被拾取后进行芯片焊接。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9-107046号公报专利文献2：日本特开2011-210927号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，在上述文献记载的半导体封装体的制造工艺中，由于将各半导体芯片个别地进行密封，在生产率方面具有改善的余地。并且，专利技术人进行研究后得知，当利用筒夹拾取芯片时，会产生芯片破裂(碎裂)。即上述文献所记载的技术在可靠性方面具有改善的余地。用于解决课题的方法本专利技术人进一步研究后发现，当拾取半导体芯片时，通过保护半导体芯片的表面能够抑制碎裂。根据这种见解进而深入研究后发现，通过将多个半导体芯片一起密封并且对相邻芯片之间进行分割，能够获得侧面和背面(与电路形成面相反的一侧)被密封材料层覆盖的半导体芯片。而且，发现对该半导体芯片进行操作时的碎裂得到抑制，从而完成本专利技术。根据本专利技术，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将上述半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿着切割区域对贴附于上述粘接层的状态的上述半导体晶片进行分割而获得多个半导体芯片；密封工序，在多个上述半导体芯片的上述主面贴附于上述粘接层的状态下，将多个上述半导体芯片一起密封，由此在上述半导体芯片的侧面之间的间隙和上述半导体芯片的背面上形成包含半导体密封树脂组合物的密封材料层；和第二分割工序，对形成在上述半导体芯片的上述侧面之间的间隙的上述密封材料层进行分割，而获得在上述侧面和上述背面形成有上述密封材料层的多个上述半导体芯片。并且，根据本专利技术，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：准备结构体的工序，该结构体具备粘接部件和贴附于上述粘接部件的粘接面的多个半导体芯片，多个上述半导体芯片相互隔着规定间隔而配置，并且多个上述半导体芯片的电路形成面贴附于上述粘接部件的上述粘接面；使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物与多个上述半导体芯片进行接触，在上述间隔填充上述半导体密封用树脂组合物，并且利用上述半导体密封用树脂组合物覆盖上述半导体芯片的与电路形成面相反的一侧的面和侧面而进行密封的工序；和使上述半导体密封用树脂组合物固化的工序。并且，根据本专利技术，提供一种半导体装置，其具备：主面形成有电路的半导体芯片；形成在上述主面的凸块；和覆盖上述半导体芯片的侧面和与上述主面相反的一侧的背面的密封材料层。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种可靠性和生产率优异的半导体装置的制造方法，并且能够提供一种在可靠性方面得到改善的半导体装置。附图说明通过以下所述的优选实施方式和与之附带的以下附图进一步明确上述目的和其他目的、特征和优点。图1为表示本实施方式所涉及的半导体装置的一例的剖面图。图2为表示本实施方式所涉及的半导体装置的一例的剖面图。图3为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的工序剖面图。图4为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的工序剖面图。图5为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的工序剖面图。图6为本实施方式所涉及的制造方法中在使相邻的半导体芯片间的间隔扩大时可使用的扩展装置的结构例。图7为本实施方式所涉及的制造方法中在使相邻的半导体芯片间的间隔扩大时可使用的扩展装置的结构例。图8为表示本实施方式所涉及的半导体装置的一例的剖面图。图9为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的图。图10为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的图。图11为表示本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法中的半导体晶片的切割区域的俯视概念图。图12为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的图。图13为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的一例的图。具体实施方式以下，利用附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，所有附图中，对相同的构成要件标注相同的符号，并适当省略说明。＜第一实施方式＞对本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法进行说明。本实施方式的半导体装置8的制造方法包括：准备结构体7的工序，该结构体7具备粘接部件10或30(粘接层)和贴附于粘接部件10或30的粘接面的多个半导体芯片5，多个半导体芯片5相互隔着规定间隔而配置，并且多个半导体芯片5的电路形成面贴附于粘接部件10或30的粘接面；使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物49与多个半导体芯片5进行接触，在相邻的半导体芯片5之间的间隔填充半导体密封用树脂组合物49，并利用半导体密封用树脂组合物49覆盖半导体芯片5的与电路形成面相反的一侧的面和侧面而进行密封的工序；和使半导体密封用树脂组合物49固化的工序。本实施方式的半导体装置的制造方法中，能够获得以下的半导体装置8，该半导体装置8能够在利用半导体密封用树脂组合物的固化体(密封材料层40)覆盖并保护半导体芯片5的与电路形成面(主面3)相反的一侧的面(背面4)和侧面9的状态下利用筒夹进行拾取。由此，能够在利用筒夹等操作装置进行拾取时防止操作装置直接接触半导体芯片5，或者能够通过半导体密封用树脂组合物的固化体(密封材料层40)缓和筒夹等操作装置接触时对半导体芯片5施加的冲击。因此，能够预先防止因利用筒夹等操作装置拾取半导体芯片5时施加的冲击而导致半导体芯片5破损(碎裂)。因此，能够实现具有可靠性优异的结构的半导体装置。在此，关于专利文献2所记载的单片化的半导体芯片，其侧面和背面(与形成有凸块的面相反的一侧的面)未受到保护，为露出基底半导体材料的状态。根据本专利技术人的研究可判明，若在该表面露出的状态下实施拾取或搬送等操作，则该半导体芯片产生碎裂的可能性高。相对于此，在本实施方式的制造工艺中，能够在半导体芯片5的侧面9和背面4(与主面3相反的一侧的面)形成有密封材料层40的状态下操作半导体芯片5。由此，能够抑制拾取或搬送时产生的碎裂。因此，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，与现有的制造工艺相比，能够获得可靠性优异的半导体装置8。并且，根据本实施方式的半导体装置8的制造方法，能够在单片化后将多个半导体芯片5一起进行树脂密封。因此，能够提高半导体装置8的生产率。因此，在本实施方式中，可以实现能够兼顾可靠性和生产率的半导体装置的制造方法。以下，对半导体装置的制造方法的各工序进行说明。图3～图5为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置8的制造方法的一例的工序剖面图。图3(a)为表示本实施方式所涉及的半导体晶片1的一例的图。图3(b)为表示在电路形成面贴附有保护膜10的半导体晶片1的图。图3(c)为表示对与电路形成面相反的一侧的面进行研磨而成的半导体晶片1的图。图3(d本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将所述半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿切割区域对贴附于所述粘接层的状态的所述半导体晶片进行分割，而获得多个半导体芯片；密封工序，在多个所述半导体芯片的所述主面贴附于所述粘接层的状态下，将多个所述半导体芯片一起密封，由此在所述半导体芯片的侧面之间的间隙和所述半导体芯片的背面上形成包含半导体密封树脂组合物的密封材料层；和第二分割工序，通过对形成在所述半导体芯片的所述侧面之间的间隙的所述密封材料层进行分割，而获得在所述侧面和所述背面形成有所述密封材料层的多个所述半导体芯片。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.29 JP 2014-1751351.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将所述半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿切割区域对贴附于所述粘接层的状态的所述半导体晶片进行分割，而获得多个半导体芯片；密封工序，在多个所述半导体芯片的所述主面贴附于所述粘接层的状态下，将多个所述半导体芯片一起密封，由此在所述半导体芯片的侧面之间的间隙和所述半导体芯片的背面上形成包含半导体密封树脂组合物的密封材料层；和第二分割工序，通过对形成在所述半导体芯片的所述侧面之间的间隙的所述密封材料层进行分割，而获得在所述侧面和所述背面形成有所述密封材料层的多个所述半导体芯片。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述贴附工序包括：将所述半导体晶片的主面贴附于所述粘接层的工序；和通过将所述半导体晶片的背面去除而使所述半导体晶片的膜厚变薄的工序。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：使膜厚变薄的所述工序之后的所述半导体晶片的膜厚为100μm以上300μm以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第二分割工序中的分割宽度比所述第一分割工序中的分割宽度小。5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第一分割工序包括：通过在所述半导体晶片的所述背面贴附于所述粘接层的状态下对所述半导体晶片进行分割而获得多个所述半导体芯片的工序；和扩大相邻的所述半导体芯片之间的间隔的扩展工序，所述密封工序在扩大所述半导体芯片之间的间隔的状态下实施。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第一分割工序在分割所述半导体晶片并在所述粘接层形成切口之后实施所述扩展工序。7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述准备工序中，所述半导体晶片的所述主面上形成有外部连接用凸块。8.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述密封工序之后，包括在所述半导体晶片的所述主面上形成外部连接用凸块的工序，之后实施所述第二分割工序。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备结构体的工序，该结构体具备粘接部件和贴附于所述粘接部件的粘接面的多个半导体芯片，多个所述半导体芯片相互隔着规定间隔而配置，并且多个所述半导体芯片的电路形成面贴附于所述粘接部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：森弘就，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP