半导体装置及其制造方法、电子设备以及移动体制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏的半导体装置。半导体装置包括：元件，其被配置于基板上；第一绝缘层；第一衬垫(a)以及第二衬垫(b)，其被配置于第一绝缘层上，且位于元件的上方；第二绝缘层，其被配置于第一绝缘层上、所述第一以及第二衬垫的各自的侧面上及上表面上，第二绝缘层具有位于所述第一以及第二衬垫的各自的上表面上的开口部。所述第一以及第二衬垫的各自的厚度为2μm以上，所述第二绝缘层的厚度为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下，所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。而且，本专利技术还涉及一种具备这种半导体装置的电子设备以及移动体等。
技术介绍
现有的半导体装置具有被形成在半导体基板上的元件区域、被配置在该元件区域的正上方的衬垫和被形成在衬垫上的凸块(例如参照专利文献1)。然而，在通过使上述现有的半导体装置的凸块与安装基板的电极接合而将半导体装置安装在安装基板上时，有时会向衬垫施加压力，从而由于该压力而使衬垫正下方的元件被破坏。此外，如果在元件上形成衬垫，则在将接合线接合于该衬垫上时或者在检查工序中使探针与衬垫接触时，有时会向衬垫施加压力，从而由于该压力而使衬垫正下方的元件被破坏。专利文献1：日本特公平4-74858号公报(第4图)
技术实现思路
本专利技术的几个方式涉及即使在元件上形成了衬垫也能够防止元件的破坏的半导体装置及其制造方法。此外，本专利技术的几个方式还涉及如下内容，即，提供具备这种半导体装置的电子设备、移动体等。本专利技术的第一方式为一种半导体装置，包括：基板；元件，其被配置于所述基板上；第一绝缘层，其被配置于所述元件以及所述基板上；第一衬垫，其被配置于所述第一绝缘层上，且位于所述元件的上方；第二衬垫，其被配置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其被配置于所述第一绝缘层上、所述第一衬垫的侧面上及上表面上、以及所述第二衬垫的侧面上及上表面上，所述第二绝缘层具有位于所述第一衬垫的上表面上的开口部以及位于所述第二衬垫的上表面上的开口部，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度为2μm以上，所述第二绝缘层的厚度为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下，所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。根据本专利技术的第一方式，将第一衬垫以及第二衬垫的各自的厚度设为2μm以上，并将第二绝缘层的厚度设为第一衬垫以及第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下。由此，即使在元件上形成衬垫，也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第一方式中，也可以采用如下方式，即，所述第一衬垫以及所述第二衬垫分别通过接合线或凸块而被接合，所述第一衬垫在侧面上具有凸部，所述第二衬垫在侧面上具有凸部。由此，即使在元件上形成衬垫，也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第一方式中，也可以采用如下方式，即，位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上的所述第二绝缘层具有裂缝或裂纹部。由此，即使在元件上形成衬垫，也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第一方式中，也可以采用如下方式，即，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的平面形状为多边形或圆形。由此，第一衬垫以及第二衬垫变得更易吸收冲击，从而即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第一方式中，也可以采用如下方式，即，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的材质为Al或Al合金。由此，第一衬垫以及第二衬垫变得更易吸收冲击，从而即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第一方式中，也可以采用如下方式，即，位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上的所述第二绝缘层的厚度为，位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的上表面上的所述第二绝缘层的厚度的4/5倍以下。由此，位于第一衬垫以及第二衬垫的各自的侧面上的第二绝缘层变得更易吸收冲击，从而即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏。本专利技术的第二方式为一种电子设备，所述电子设备具备上述本专利技术的一个方式所记载的半导体装置。本专利技术的第三方式为一种移动体，所述移动体具备上述本专利技术的一个方式所记载的半导体装置。本专利技术的第四方式为一种半导体装置的制造方法，包括：工序(a)，在基板上形成元件；工序(b)，在所述元件以及所述基板上形成第一绝缘层；工序(c)，在所述第一绝缘层上，形成位于所述元件的上方的第一衬垫并且形成第二衬垫；工序(d)，在所述第一绝缘层、所述第一衬垫以及所述第二衬垫上形成第二绝缘层；工序(e)，分别在所述第一衬垫的上表面以及所述第二衬垫的上表面上形成开口部，在所述工序(c)中，将所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度形成为2μm以上，并将所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离形成为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的4倍以上，在所述工序(d)中，将所述第二绝缘层的厚度形成为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下。根据本专利技术的第四方式，将第一衬垫以及第二衬垫的各自的厚度设为2μm以上，并将第二绝缘层的厚度设为第一衬垫以及第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下。由此，即使在元件上形成衬垫，也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第四方式中，也可以采用如下方式，即，在所述工序(e)之后，具有如下工序，即，通过将接合线分别接合在所述第一衬垫以及所述第二衬垫上，从而在所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的上表面上形成凹部，并在所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上形成凸部的工序。由此，通过第一衬垫以及第二衬垫而能够吸收接合线接合时的冲击，并且即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第四方式中，也可以采用如下方式，即，在所述工序(e)之后，具有工序(f)和工序(g)，在所述工序(f)中，在所述第一衬垫上形成第一凸块并且在所述第二衬垫上形成第二凸块，在所述工序(g)中，通过将所述第一凸块与安装基板上的第一电极接合并且将所述第二凸块与所述安装基板上的第二电极接合，从而将半导体装置安装在所述安装基板上，在所述工序(g)中，在将所述半导体装置安装在所述安装基板上时，在所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的上表面上形成凹部，并在所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上形成凸部。由此，通过第一衬垫以及第二衬垫而能够吸收安装时的冲击，并且即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏。此外，在本专利技术的第四方式中，也可以采用如下方式，即，在所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上形成凸部时，在位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面的所述第二绝缘层上形成裂缝或裂纹部。由此，即使在元件上形成衬垫，也能够防止元件的破坏。附图说明图1(A)为表示本专利技术的一个实施方式所涉及的半导体装置的衬垫的俯视图，(B)为本专利技术的一个实施方式所涉及的半导体装置的剖视图。图2为对图1所示的衬垫以及钝化膜的尺寸进行说明的剖视图。图3(A)为表示接合了接合线之后的衬垫的俯视图，(B)为表示在衬垫上接合了接合线之后的半导体装置的剖视图。图4(A)为表示接合了接合线之后的衬垫的俯视图，(B)为表示将在衬垫上接合了接合线到之后的半导体装置的其他示例的剖视图。图5(A)为表示图1的改变例所涉及的半导体装置的衬垫的俯视图，(B)为图1的改变例所涉及的半导体装置的剖视图。图6(A)为表示图1的改变例所涉及的半导体装置的衬垫的俯视图，(B)为图1的改变例所涉及的半导体装置的剖视图。具体实施方式以下，关于本专利技术的实施方式，参照附图来进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于以下的说明，只要是本领域技术人员，则能够很容易地理解出如下内容，即，在不脱离本专利技术的主旨及其范围的情况下，能够对该方式以及详细内容进行各种变更。因此，本专利技术不应被解释为限定于下文所示的实施方式的记载内容。另外，对于相同的构成要素标记相同的参照符号，并省略重复的说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：基板；元件，其被配置于所述基板上；第一绝缘层，其被配置于所述元件以及所述基板上；第一衬垫，其被配置于所述第一绝缘层上，且位于所述元件的上方；第二衬垫，其被配置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其被配置于所述第一绝缘层上、所述第一衬垫的侧面上及上表面上、以及所述第二衬垫的侧面上及上表面上，所述第二绝缘层具有位于所述第一衬垫的上表面上的开口部以及位于所述第二衬垫的上表面上的开口部，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度为2μm以上，所述第二绝缘层的厚度为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下，所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。

【技术特征摘要】
2015.08.20 JP 2015-1631001.一种半导体装置，包括：基板；元件，其被配置于所述基板上；第一绝缘层，其被配置于所述元件以及所述基板上；第一衬垫，其被配置于所述第一绝缘层上，且位于所述元件的上方；第二衬垫，其被配置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其被配置于所述第一绝缘层上、所述第一衬垫的侧面上及上表面上、以及所述第二衬垫的侧面上及上表面上，所述第二绝缘层具有位于所述第一衬垫的上表面上的开口部以及位于所述第二衬垫的上表面上的开口部，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度为2μm以上，所述第二绝缘层的厚度为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下，所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一衬垫以及所述第二衬垫分别接合有接合线或凸块，所述第一衬垫在侧面上具有凸部，所述第二衬垫在侧面上具有凸部。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上的所述第二绝缘层具有裂缝或裂纹部。4.如权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的平面形状为多边形或圆形。5.如权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的材质为Al或Al合金。6.如权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的侧面上的所述第二绝缘层的厚度为，位于所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的上表面上的所述第二绝缘层的厚度的4/5倍以下。7.一种电子设备，其中，具备权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置。8.一种移动体，其中，具备权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置。9.一种半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑沢和伸，新田博明，远藤刚廣，関泽充生，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP