制造半导体封装的方法以及使用其制造的半导体封装技术

制造半导体封装的方法以及使用其制造的半导体封装。本發明可以通过形成在上面可以安装半导体裸片的引线框而无需单独研磨过程来简化该半导体封装的制造过程，并且可以通过防止在研磨过程期间弯曲的出现来改进产品可靠性。在实施例中，制造半导体封装的方法包括：在载体上形成框；在框上形成第一图案层；使用第一囊封物第一囊封框和第一图案层；形成电连接到第一图案层同时穿过第一囊封物的传导通路；形成电连接到第一囊封物上的传导通路的第二图案层；形成第一焊接掩模，第一焊接掩模形成于第一囊封物上并且向外暴露第二图案层的一部分；通过刻蚀过程移除框并且蚀刻第一图案层的一部分；以及将半导体裸片附接到第一图案层。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体封装的方法以及使用其制造的半导体封装相关申请的交叉参考本申请参考2015年12月8日递交的第10-2015-0174092号韩国专利申请、主张该韩国专利申请的优先权并主张该韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的内容在此以全文引入的方式并入本文中。
本专利技术的某些实施例涉及一种用于制造半导体封装的方法以及一种使用所述方法制造的半导体封装。
技术介绍
近来，例如蜂窝式电话或智能电话等移动通信终端，或例如平板电脑、MP3播放器或数码相机等小型电子装置倾向于变得尺寸越来越小且重量越来越轻。根据这种趋势，构成小型电子装置的半导体封装正变得越来越小且越来越轻。具体而言，需要的是能够容纳尽可能多的I/O衬垫同时维持引线框的优良热/电特性且能够改进价格竞争力同时维持PCB层合物的扇入和扇出设计灵活性的半导体封装。根据此类市场需求，研发出组合类型的可布设模制型引线框(routablemoldedleadframe，RtMLF)封装，其具有引线框和PCB层合物这两者的优势。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供用于制造半导体封装的方法以及使用该方法制造的半导体封装，其可以是半导体封装的制造过程的简化并且可以通过防止在研磨过程期间出现弯曲而改进产品可靠性。根据本专利技术的一方面，提供一种用于制造半导体封装的方法，该方法包括：在载体上形成框；在框上形成第一图案层；使用第一囊封物第一囊封框和第一图案层；形成电连接到第一图案层同时穿过第一囊封物的传导通路；形成电连接到第一囊封物上的传导通路的第二图案层；形成第一焊接掩模，该第一焊接掩模形成于第一囊封物上并且向外暴露第二图案层的一部分；通过刻蚀过程移除框并且蚀刻第一图案层的一部分；以及将半导体裸片附接到第一图案层。根据本专利技术的另一方面，提供半导体封装，其包括：衬底，该衬底包括：第一囊封物；第一图案层，其形成于第一囊封物上；第二图案层，其形成于第一囊封物下面；以及传导通路，其将第一图案层电连接到第二图案层；半导体裸片，其安装在衬底上且电连接到第一图案层；以及第一焊接掩模，其形成于衬底下面并且向外暴露第二图案层的一部分。如上文所述，在用于制造半导体封装的方法中，可以形成半导体裸片可以安装在上面的引线框而无需单独的研磨过程，方法是在框上形成第一图案层和第一囊封、形成穿过第一囊封的传导通路且形成电连接到传导通路的第二图案层。相应地，制造过程可以得到简化并且可以防止由研磨过程引起的弯曲由此改进产品的可靠性。附图说明图1是说明根据本专利技术的实施例的用于制造半导体封装的方法的流程图；图2A到2J是说明图1中说明的用于制造半导体封装的方法的截面图；图3是说明根据本专利技术的另一实施例的用于制造半导体封装的方法的流程图；以及图4A到4C是说明图3中说明的用于制造半导体封装的方法的截面图。具体实施方式现将详细参考本专利技术的示例性实施例，所述示例性实施例的实例在附图中说明。本专利技术的各种方面可以许多不同形式实施且不应理解为受限于在本文中所阐述的实例实施例。实际上，提供本专利技术的这些实例实施例是为了使本专利技术将为充分且完整的，并且将向所属领域的技术人员传达本专利技术的各种方面。在图式中，为了清楚起见而放大了层和区域的厚度。此处，类似参考标号通篇指代类似元件。如本文中所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。另外，还将理解当元件A被称作“连接到”元件B时，元件A可以直接连接到元件B或者可以存在插入元件C并且元件A和元件B间接连接到彼此。本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，且并不意图限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”当在本说明书中使用时，表示所陈述特征、数目、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。应理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种部件、元件、区域、层和/或区段，但是这些部件、元件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区域、层和/或区段与另一部件、元件、区域、层和/或区段。因此，举例来说，下文论述的第一部件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一区段可能被称为第二部件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二区段而不脱离本专利技术的教示。在本文中为了易于描述可以使用空间相对术语，例如“以下”、“在下方”、“下部”、“在上方”、“上部”等等以描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如图中所说明。应理解，空间相对术语意图涵盖装置在使用或操作中除图中描绘的定向外的不同定向。举例来说，如果图中的装置倒过来，那么描述为“在”其它元件或特征“下方”或“在”其它元件或特征“下面”的元件的定向则将变成“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在下方”可涵盖在上方及在下方两种定向。图1是说明根据本专利技术的实施例的用于制造半导体封装的方法的流程图并且图2A到2J是说明图1中说明的用于制造半导体封装的方法的截面图。参考图1，根据本专利技术的实施例的用于制造半导体封装的方法包括：形成框(S1)；形成第一图案层(S2)；第一囊封(S3)；形成传导通路(S4)；形成第二图案层(S5)；形成焊接掩模(S6)；蚀刻(S7)以及附接半导体裸片(S8)。现在将参考图2A到2J描述图1中说明的用于制造半导体封装的方法的各个步骤。在框的形成(S1)中，如图2A中所说明，框110形成于载体10上。框110可以由例如铜(Cu)等金属制成。另外，载体10可以由硅(Si)、玻璃、金属或其等效物制成，但本专利技术的各方面并不限于此。另外，框110可以通过在载体10上形成晶种层随后通过镀覆或使用粘合部件附接而形成，但本专利技术的各方面并不限于此。在第一图案层的形成(S2)中，如图2B中所说明，第一图案层120形成于框110上。第一图案层120可以使用无电极镀覆、电镀和/或溅镀由选自由铜、铝、金、银、钯和其等效物组成的群组中的一个制成，但本专利技术的各方面并不限于此。举例来说，第一图案层120可以由与框110相同的材料制成，例如，铜(Cu)。另外，第一图案层120的图案化或布设可以使用光阻剂通过光刻蚀刻过程执行，但本专利技术的各方面并不限于此。在第一囊封(S3)中，如图2C中所说明，框110和第一图案层120的顶部部分是使用第一囊封物130囊封的。第一囊封物130完全囊封框110和第一图案层120以保护框110和第一图案层120免受外部冲击和氧化。第一囊封物130可以由选自由一般热可固化环氧树脂模塑料、用于分配的室温可固化软胶顶部(gloptop)及其等效物组成的群组中的一个制成，但本专利技术的各方面并不限于此。在传导通路的形成(S4)中，如图2D中所说明，传导通路140形成通过第一囊封物130。传导通路140形成于第一图案层120上。也就是说，在传导通路的形成(S4)中，穿过第一图案层120的顶部部分的传导通路140由第一囊封物130的顶部部分形成。详细地说，传导通路140可以通过制造过程通过形成穿过第一囊封物130的通孔形成，该制造过程例如，激光钻孔、贯穿通孔的内壁镀覆具有优良电和热导率的导热金属，例如，铜或铝，并且用例如金属浆料等传导材料填充或镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：形成第一引线框图案；通过囊封物囊封所述第一引线框图案限定：囊封物第一表面，其邻近所述第一引线框图案；以及囊封物第二表面，其与所述囊封物第一表面相对；形成从所述囊封物第二表面延伸到所述第一引线框图案的导电通路；在所述囊封物第二表面上形成第二引线框图案，所述第二引线框图案穿过所述导电通路耦合到所述第一引线框图案；蚀刻所述第一引线框图案的一部分以形成蚀刻过的第一引线框表面，所述蚀刻过的第一引线框表面被配置成接收到半导体裸片的互连件；以及以下项中的一个或两个：在所述囊封物第二表面上形成第一焊接掩模并且暴露所述第二引线框图案的一部分；和/或在所述囊封物第一表面上形成第二焊接掩模并且暴露所述蚀刻过的第一引线框表面的一部分。

【技术特征摘要】
2015.12.08 KR 1020150174092;2016.05.06 US 15/148,81.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：形成第一引线框图案；通过囊封物囊封所述第一引线框图案限定：囊封物第一表面，其邻近所述第一引线框图案；以及囊封物第二表面，其与所述囊封物第一表面相对；形成从所述囊封物第二表面延伸到所述第一引线框图案的导电通路；在所述囊封物第二表面上形成第二引线框图案，所述第二引线框图案穿过所述导电通路耦合到所述第一引线框图案；蚀刻所述第一引线框图案的一部分以形成蚀刻过的第一引线框表面，所述蚀刻过的第一引线框表面被配置成接收到半导体裸片的互连件；以及以下项中的一个或两个：在所述囊封物第二表面上形成第一焊接掩模并且暴露所述第二引线框图案的一部分；和/或在所述囊封物第一表面上形成第二焊接掩模并且暴露所述蚀刻过的第一引线框表面的一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述导电通路包括填充有传导材料的激光钻孔通孔。3.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第二引线框图案与所述传导通路同时形成。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：穿过所述互连件将所述半导体裸片附接到所述蚀刻过的第一引线框表面；其中所述互连件包括以下项中的一个或两个：金属支柱；和/或焊料。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：在所述囊封物第一表面上并且围绕所述半导体裸片提供模制囊封物。6.根据权利要求5所述的方法，其中：所述模制囊封物囊封所述半导体裸片与所述蚀刻过的第一引线框表面之间的所述互连件。7.根据权利要求1所述的方法，其中：所述囊封物第一表面突出通过所述蚀刻过的第一引线框表面。8.根据权利要求1所述的方法，其中：所述形成第一引线框图案包括：在由载体支撑的金属框上形成所述第一引线框图案；以及所述蚀刻所述第一引线框图案包括：移除所述载体和所述金属框以暴露所述第一引线框图案以用于蚀刻。9.根据权利要求1所述的方法，其包括：形成所述第二焊接掩模；其中所述囊封物是模制化合物。10.一种半导体封装，其包括：衬底，其包括：第一囊封物；第一引线框图案，其嵌入到所述第一囊封物的顶部表面中；第二引线框图案，其突出到所述第一囊封物的底部表面以下；以及传导通路，其将所述第一引线框图案连接到所述第二引线框图案；半导体裸片，其安装在所述衬底上并且电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李胜吴，金本吉，班文贝，姜桑古，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US