半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明专利技术提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。个导电柱。个导电柱。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
[0001]本申请为申请日2017年1月25日、申请号201710056209.3、专利技术创造名称“半导体封装及其制造方法”的分案申请。


[0002]本专利技术的某些实施例涉及一种半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0003]随着对当今半导体行业中的电子产品的小型化和高性能的增加的需求，正在研究且已经研发出用于提供大容量半导体封装的各种技术。为了提供大容量半导体封装，许多无源和/或激活的元件被集成或堆叠在有限的衬底上，由此获得高度集成的半导体封装。
[0004]通过比较此类系统与如在本申请的其余部分中参看图式阐述的本专利技术的一些方面，常规和传统方法的进一步限制和劣势将对所属领域的技术人员变得显而易见。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体封装及其制造方法该方法可以通过在临时(或虚拟)金属板上通过蚀刻形成多个导电柱来确保用于安装半导体装置的空间。
[0006]本专利技术的一态样提供一种制造半导体封装的方法，所述制造方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。所述制造方法包括：在所述填充物的顶部表面和所述导电柱的顶部表面上形成第一导电图案；形成覆盖所述填充物、所述导电柱和所述第一导电图案的第一介电层；并且形成延伸穿过所述第一介电层的导电通孔以连接到所述第一导电图案；其中所述电连接所述半导体裸片到所述导电柱包括电连接所述至少一个半导体裸片中的第一个到所述导电通孔。所述制造方法包括：在所述第一介电层的顶部表面上并且在所述导电通孔的顶部表面上形成第二导电图案以将所述第二导电图案电连接到所述导电通孔；并且形成覆盖所述第二导电图案的第一部分并且并不覆盖所述第二导电图案的第二部分的第二介电层，其中所述电连接所述半导体裸片到所述导电柱包括电连接所述半导体裸片到所述第二导电图案的所述第二部分。所述的方法中，所述电连接所述半导体裸片到所述导电柱包括将所述半导体裸片附接到所述第二导电图案。所述的方法包括用囊封材料覆盖所述半导体裸片的至少一部分和所述第二介电层的至少一部分。所述的方法包括：移除所述填充物以暴露所述第一导电图案的一部分、所述导电柱的侧表面和所述第一介电层的一部分；并且用囊封材料覆盖所述第一导电图案的所述暴露部分、所述导电柱的所述暴露侧表面和所述第一介电层的所述暴露部分。所述的方法包括用囊封材料覆盖所述第一导电图案的所述暴露部分、所述导电柱的所述暴露侧表面、所述第一介电层的所述暴露部分和所述半导体裸片的一部分。所述的方法包括在所述导电柱的底部表面上形成导电凸块。所述的方法中，邻近导电柱之间的距离的范围介于90μm到500μm。所述的方法中，所
述导电柱中的每一个的顶部表面和底部表面之间的高度的范围介于60μm到100μm。所述的方法中，所述导电柱中的每一个的宽度的范围介于200μm到450μm。本专利技术还提供一种半导体封装及其制造方法，该方法可以减少用于制造导电柱的成本和处理时间。本专利技术的另一态样提供一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；在所述填充物的顶部表面和所述导电柱的顶部表面上形成第一导电图案，其中所述第一导电图案中的一个或多个电连接到所述导电柱中的对应的一个或多个；形成覆盖所述填充物、所述导电柱和所述第一导电图案的介电层；形成延伸穿过所述介电层并且连接到所述第一导电图案的导电通孔；在所述介电层的顶部表面上形成第二导电图案，其中所述第二导电图案电连接到所述导电通孔；并且进行以下各项中的至少一者：在所述介电层的顶部表面上安装第一半导体裸片以将所述第一半导体裸片电连接到所述第二导电图案的至少一部分；或者在所述介电层的底部表面上安装第二半导体裸片以将所述第二半导体裸片电连接到所述第一导电图案的至少一部分。根据所述方法，其包括在第一囊封材料中覆盖所述第一半导体裸片的至少一部分。根据所述方法，其包括在与所述第一囊封材料分开的第二囊封材料中覆盖所述第二半导体裸片的至少一部分。
[0007]本专利技术的另一态样还提供一种半导体封装，其包括：衬底，其包括：介电层；第一导电图案，其在所述介电层的底部表面处至少部分嵌入在所述介电层中；第二导电图案，其位于所述介电层的顶部表面上；导电通孔，以电连接所述第一导电图案和所述第二导电图案；以及导电柱，其从所述第一导电图案的底部表面向下突出；至少一个半导体装置，其安装在所述衬底的顶部表面和底部表面中的一个或多个上；以及囊封物，其在所述衬底上以完全覆盖所述至少一个半导体装置。所述半导体封装中，所述至少一个半导体装置包括：第一半导体装置，其安装在所述衬底的所述顶部表面上以电连接到所述第二导电图案；以及第二半导体装置，其安装在所述衬底的所述底部表面上以电连接到所述第一导电图案。所述半导体封装中，所述第二半导体装置在对应于所述介电层的所述底部表面的所述衬底的所述底部表面的中心区域中电连接到所述第一导电图案，并且所述导电柱在对应于所述介电层的所述底部表面的所述衬底的所述底部表面的外围区域中电连接到所述第一导电图案。所述半导体封装中，所述囊封物包括：第一囊封物，以覆盖所述第一半导体装置和所述衬底的所述顶部表面；以及第二囊封物，以覆盖所述第二半导体装置和所述衬底的所述底部表面同时留下所述导电柱的底部表面暴露于外部。所述半导体封装还包括电连接到所述导电柱的底部表面的多个导电凸块。
附图说明
[0008]图1是说明根据本专利技术的实施例的半导体封装的截面图；
[0009]图2是说明制造图1中说明的半导体封装的实例方法的流程图；并且
[0010]图3A到3L是说明在图2中说明的实例半导体封装制造方法中形成衬底的实例方法的截面图。
具体实施方式
[0011]本申请引用2016年4月7日递交的第10
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2016
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0042986号韩国专利申请、主张所述韩国专利申请的优先权并主张所述韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的内容在此以全文引入的方式并入本文中。
[0012]本专利技术的各种方面可以许多不同形式实施且不应理解为受限于在本文中所阐述的实例实施例。实际上，提供本专利技术的这些实例实施例是为了使本专利技术将为透彻且完整的，并且将向所属领域的技术人员传达本专利技术的各个方面。
[0013]在图式中，为了清楚起见而放大了层和区域的厚度。此处，类似参考标号通篇指代类似元件。如本文中所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。另外，本文中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意图限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”在用于本说明书时指定所陈述的特征、数目、步骤、操作、元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括衬底顶侧及衬底底侧；铜柱，所述铜柱包括横向侧，所述横向侧从所述衬底底侧向下突出至所述铜柱的下末端；上半导体裸片，所述上半导体裸片耦接到所述衬底顶侧；下半导体裸片，所述下半导体裸片耦接到所述衬底底侧；及下囊封物，所述下囊封物囊封且接触所述下半导体裸片以及囊封且接触所述铜柱的所述横向侧。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述下半导体裸片包括下裸片顶侧及下裸片底侧；且所述下裸片顶侧耦接到所述衬底的下导电图案。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述上半导体裸片包括上裸片顶侧及上裸片底侧；且所述上裸片底侧耦接到所述衬底的上导电图案。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述铜柱的所述横向侧包括蚀刻铜表面。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述铜柱耦接到在所述衬底底侧的外围区域中的第一导电图案；并且所述下半导体裸片耦接到在所述衬底底侧的一区域中的第二导电图案。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括上囊封物，所述上囊封物覆盖所述上半导体裸片及所述衬底顶侧。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括上囊封物，所述上囊封物接触所述上半导体裸片及所述衬底顶侧。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述下囊封物接触所述下半导体裸片、所述铜柱的所述横向侧以及所述衬底底侧。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括导电凸块，所述导电凸块耦接到所述铜柱的下末端。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述导电凸块延伸超过所述下囊封物的底侧。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底包括:介电层，所述介电层具有介电层顶侧及介电层底侧；下导电图案，所述下导电图案在所述介电层中并且在所述介电层底侧处暴露；上导电图案，所述上导电图案在所述介电层中并且在所述介电层顶侧处暴露；一个或多个导电路径，所述一个或多个导电路径通过所述介电层将所述下导电图案耦接到所述上导电图案。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琼延，李泰勇，新闵哲，欧瑟门，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：